Lingote de SiC tipo 4H, diámetro 4 pulgadas, 6 pulgadas, espesor 5-10 mm, grado de investigación/ficticio

Lingote de SiC tipo 4H, diámetro 4 pulgadas, 6 pulgadas, espesor 5-10 mm, grado de investigación/ficción, imagen destacada

Descripción breve:

El carburo de silicio (SiC) se ha consolidado como un material clave en aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas avanzadas gracias a sus superiores propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas. El lingote de 4H-SiC, disponible en diámetros de 4 y 6 pulgadas con un espesor de 5 a 10 mm, es un producto fundamental para fines de investigación y desarrollo o como material de prueba. Este lingote está diseñado para proporcionar a investigadores y fabricantes sustratos de SiC de alta calidad, adecuados para la fabricación de prototipos, estudios experimentales o procedimientos de calibración y prueba. Gracias a su singular estructura cristalina hexagonal, el lingote de 4H-SiC ofrece una amplia aplicabilidad en electrónica de potencia, dispositivos de alta frecuencia y sistemas resistentes a la radiación.

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Detalle del producto

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Propiedades

1. Estructura y orientación cristalina
Politipo: 4H (estructura hexagonal)
Constantes de red:
a = 3,073 Å
c = 10,053 Å
Orientación: normalmente [0001] (plano C), pero otras orientaciones como [11\overline{2}0] (plano A) también están disponibles a pedido.

2. Dimensiones físicas
Diámetro:
Opciones estándar: 4 pulgadas (100 mm) y 6 pulgadas (150 mm)
Espesor:
Disponible en el rango de 5-10 mm, personalizable según los requisitos de la aplicación.

3. Propiedades eléctricas
Tipo de dopaje: Disponible en intrínseco (semiaislante), tipo n (dopado con nitrógeno) o tipo p (dopado con aluminio o boro).

4. Propiedades térmicas y mecánicas
Conductividad térmica: 3,5-4,9 W/cm·K a temperatura ambiente, lo que permite una excelente disipación del calor.
Dureza: Escala de Mohs 9, lo que convierte al SiC en el segundo material en dureza, después del diamante.

Parámetro	Detalles	Unidad
Método de crecimiento	PVT (Transporte físico de vapor)
Diámetro	50,8 ± 0,5 / 76,2 ± 0,5 / 100,0 ± 0,5 / 150 ± 0,5	mm
Politipo	4H / 6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm)
Orientación de la superficie	0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (otros)	grado
Tipo	Tipo N
Espesor	5-10 / 10-15 / >15	mm
Orientación plana primaria	(10-10) ± 5,0˚	grado
Longitud plana primaria	15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm)	mm
Orientación plana secundaria	90˚ CCW desde la orientación ± 5,0˚	grado
Longitud plana secundaria	8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Ninguno (150 mm)	mm
Calificación	Investigación / Ficticio

Aplicaciones

1. Investigación y desarrollo

El lingote de 4H-SiC de grado de investigación es ideal para laboratorios académicos e industriales dedicados al desarrollo de dispositivos basados en SiC. Su calidad cristalina superior permite la experimentación precisa con las propiedades del SiC, como:
Estudios de movilidad de portadores.
Técnicas de caracterización y minimización de defectos.
Optimización de procesos de crecimiento epitaxial.

2. Sustrato ficticio
El lingote de calidad ficticia se utiliza ampliamente en aplicaciones de prueba, calibración y prototipado. Es una alternativa rentable para:
Calibración de parámetros de proceso en deposición química de vapor (CVD) o deposición física de vapor (PVD).
Evaluación de procesos de grabado y pulido en entornos de fabricación.

3. Electrónica de potencia
Debido a su amplio ancho de banda y alta conductividad térmica, el 4H-SiC es una piedra angular para la electrónica de potencia, como por ejemplo:
MOSFET de alto voltaje.
Diodos de barrera Schottky (SBD).
Transistores de efecto de campo de unión (JFET).
Las aplicaciones incluyen inversores de vehículos eléctricos, inversores solares y redes inteligentes.

4. Dispositivos de alta frecuencia
La alta movilidad de electrones y las bajas pérdidas de capacitancia del material lo hacen adecuado para:
Transistores de radiofrecuencia (RF).
Sistemas de comunicación inalámbrica, incluida la infraestructura 5G.
Aplicaciones aeroespaciales y de defensa que requieren sistemas de radar.

5. Sistemas resistentes a la radiación
La resistencia inherente del 4H-SiC al daño por radiación lo hace indispensable en entornos hostiles como:
Hardware de exploración espacial.
Equipos de monitorización de centrales nucleares.
Electrónica de grado militar.

6. Tecnologías emergentes
A medida que avanza la tecnología de SiC, sus aplicaciones continúan creciendo en campos como:
Investigación en fotónica y computación cuántica.
Desarrollo de LEDs de alta potencia y sensores UV.
Integración en heteroestructuras semiconductoras de banda ancha.
Ventajas del lingote de 4H-SiC
Alta pureza: fabricado en condiciones estrictas para minimizar las impurezas y la densidad de defectos.
Escalabilidad: Disponible en diámetros de 4 y 6 pulgadas para satisfacer las necesidades de escala de investigación y estándares de la industria.
Versatilidad: Adaptable a varios tipos de dopaje y orientaciones para satisfacer requisitos de aplicación específicos.
Rendimiento robusto: Estabilidad térmica y mecánica superior en condiciones de funcionamiento extremas.

Conclusión

El lingote de 4H-SiC, con sus excepcionales propiedades y su amplia gama de aplicaciones, se sitúa a la vanguardia de la innovación en materiales para la electrónica y la optoelectrónica de última generación. Ya sea para investigación académica, prototipado industrial o fabricación de dispositivos avanzados, estos lingotes ofrecen una plataforma fiable para superar los límites de la tecnología. Con dimensiones, dopaje y orientaciones personalizables, el lingote de 4H-SiC está diseñado para satisfacer las cambiantes demandas de la industria de los semiconductores.
Si está interesado en obtener más información o realizar un pedido, no dude en comunicarse con nosotros para obtener especificaciones detalladas y consultas técnicas.