Lingote de SiC tipo 4H diámetro 4 pulgadas 6 pulgadas espesor 5-10 mm investigación/grado simulado

Lingote de SiC Tipo 4H Diámetro 4 pulgadas 6 pulgadas Espesor 5-10 mm Investigación/grado ficticio Imagen destacada

Breve descripción:

El carburo de silicio (SiC) se ha convertido en un material clave en aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas avanzadas debido a sus propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas superiores. El lingote de 4H-SiC, disponible en diámetros de 4 y 6 pulgadas con un espesor de 5 a 10 mm, es un producto fundamental para fines de investigación y desarrollo o como material simulado. Este lingote está diseñado para proporcionar a investigadores y fabricantes sustratos de SiC de alta calidad adecuados para la fabricación de prototipos de dispositivos, estudios experimentales o procedimientos de calibración y prueba. Con su estructura cristalina hexagonal única, el lingote de 4H-SiC ofrece una amplia aplicabilidad en electrónica de potencia, dispositivos de alta frecuencia y sistemas resistentes a la radiación.

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Detalle del producto

Etiquetas de producto

Propiedades

1. Estructura cristalina y orientación.
Politipo: 4H (estructura hexagonal)
Constantes de celosía:
a = 3,073 Å
c = 10,053 Å
Orientación: normalmente [0001] (plano C), pero otras orientaciones como [11\overline{2}0] (plano A) también están disponibles a pedido.

2. Dimensiones físicas
Diámetro:
Opciones estándar: 4 pulgadas (100 mm) y 6 pulgadas (150 mm)
Espesor:
Disponible en el rango de 5-10 mm, personalizable según los requisitos de la aplicación.

3. Propiedades eléctricas
Tipo de dopaje: Disponible en intrínseco (semiaislante), tipo n (dopado con nitrógeno) o tipo p (dopado con aluminio o boro).

4. Propiedades térmicas y mecánicas
Conductividad térmica: 3,5-4,9 W/cm·K a temperatura ambiente, lo que permite una excelente disipación del calor.
Dureza: Escala de Mohs 9, lo que hace que el SiC sea el segundo en dureza después del diamante.

Parámetro	Detalles	Unidad
Método de crecimiento	PVT (Transporte físico de vapor)
Diámetro	50,8 ± 0,5 / 76,2 ± 0,5 / 100,0 ± 0,5 / 150 ± 0,5	mm
politipo	4H/6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm)
Orientación de la superficie	0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (otros)	grado
Tipo	tipo N
Espesor	5-10 / 10-15 / >15	mm
Orientación plana primaria	(10-10) ± 5,0˚	grado
Longitud plana primaria	15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm)	mm
Orientación plana secundaria	90˚ CCW desde la orientación ± 5,0˚	grado
Longitud plana secundaria	8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Ninguno (150 mm)	mm
Calificación	Investigación / Maniquí

Aplicaciones

1. Investigación y Desarrollo

El lingote de 4H-SiC de grado de investigación es ideal para laboratorios académicos e industriales centrados en el desarrollo de dispositivos basados en SiC. Su calidad cristalina superior permite una experimentación precisa sobre las propiedades del SiC, tales como:
Estudios de movilidad de transportistas.
Técnicas de caracterización y minimización de defectos.
Optimización de los procesos de crecimiento epitaxial.

2. Sustrato ficticio
El lingote de calidad ficticia se utiliza ampliamente en aplicaciones de prueba, calibración y creación de prototipos. Es una alternativa rentable para:
Calibración de parámetros de proceso en Deposición Química de Vapor (CVD) o Deposición Física de Vapor (PVD).
Evaluación de procesos de grabado y pulido en entornos de fabricación.

3. Electrónica de potencia
Debido a su amplia banda prohibida y alta conductividad térmica, 4H-SiC es una piedra angular para la electrónica de potencia, como por ejemplo:
MOSFET de alto voltaje.
Diodos de barrera Schottky (SBD).
Transistores de efecto de campo de unión (JFET).
Las aplicaciones incluyen inversores para vehículos eléctricos, inversores solares y redes inteligentes.

4. Dispositivos de alta frecuencia
La alta movilidad de electrones y las bajas pérdidas de capacitancia del material lo hacen adecuado para:
Transistores de radiofrecuencia (RF).
Sistemas de comunicación inalámbrica, incluida la infraestructura 5G.
Aplicaciones aeroespaciales y de defensa que requieren sistemas de radar.

5. Sistemas resistentes a la radiación
La resistencia inherente del 4H-SiC al daño por radiación lo hace indispensable en entornos hostiles como:
Hardware de exploración espacial.
Equipos de monitorización de centrales nucleares.
Electrónica de grado militar.

6. Tecnologías emergentes
A medida que avanza la tecnología SiC, sus aplicaciones continúan creciendo en campos como:
Investigación en fotónica y computación cuántica.
Desarrollo de LEDs de alta potencia y sensores UV.
Integración en heteroestructuras de semiconductores de banda ancha.
Ventajas del lingote de 4H-SiC
Alta Pureza: Fabricado bajo condiciones estrictas para minimizar las impurezas y la densidad de defectos.
Escalabilidad: Disponible en diámetros de 4 y 6 pulgadas para satisfacer las necesidades estándar de la industria y a escala de investigación.
Versatilidad: Adaptable a varios tipos y orientaciones de dopaje para cumplir con los requisitos de aplicaciones específicas.
Rendimiento robusto: Estabilidad térmica y mecánica superior en condiciones operativas extremas.

Conclusión

El lingote de 4H-SiC, con sus propiedades excepcionales y su amplia gama de aplicaciones, está a la vanguardia de la innovación de materiales para la electrónica y la optoelectrónica de próxima generación. Ya sea que se utilicen para investigación académica, creación de prototipos industriales o fabricación de dispositivos avanzados, estos lingotes proporcionan una plataforma confiable para superar los límites de la tecnología. Con dimensiones, dopaje y orientaciones personalizables, el lingote de 4H-SiC está diseñado para satisfacer las demandas cambiantes de la industria de los semiconductores.
Si está interesado en obtener más información o realizar un pedido, no dude en comunicarse para obtener especificaciones detalladas y consultas técnicas.