Lingote de SiC tipo 4H-N, grado ficticio, 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, espesor: >10 mm

Descripción breve:

El lingote de SiC tipo 4H-N (grado ficticio) es un material de alta calidad utilizado en el desarrollo y prueba de dispositivos semiconductores avanzados. Gracias a sus robustas propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas, es ideal para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura. Este material es ideal para la investigación y el desarrollo en electrónica de potencia, sistemas automotrices y equipos industriales. Disponible en varios tamaños, incluyendo diámetros de 2, 3, 4 y 6 pulgadas, este lingote está diseñado para satisfacer las rigurosas exigencias de la industria de los semiconductores, ofreciendo un excelente rendimiento y fiabilidad.


Detalle del producto

Etiquetas de productos

Solicitud

Electrónica de potencia:Se utiliza en la producción de transistores de potencia, diodos y rectificadores de alta eficiencia para aplicaciones industriales y automotrices.

Vehículos eléctricos (VE):Se utiliza en la fabricación de módulos de potencia para sistemas de accionamiento eléctrico, inversores y cargadores.

Sistemas de energía renovable:Esencial para el desarrollo de dispositivos de conversión de energía eficientes para sistemas solares, eólicos y de almacenamiento de energía.

Aeroespacial y Defensa:Se aplica en componentes de alta frecuencia y alta potencia, incluidos sistemas de radar y comunicaciones por satélite.

Sistemas de control industrial:Admite sensores avanzados y dispositivos de control en entornos exigentes.

Propiedades

conductividad.
Opciones de diámetro: 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas.
Espesor: >10 mm, lo que garantiza un material sustancial para cortar y procesar obleas.
Tipo: Grado ficticio, utilizado principalmente para pruebas y desarrollo que no sean de dispositivos.
Tipo de portador: Tipo N, optimizando el material para dispositivos de potencia de alto rendimiento.
Conductividad térmica: Excelente, ideal para una disipación de calor eficiente en electrónica de potencia.
Resistividad: Baja resistividad, mejorando la conductividad y la eficiencia de los dispositivos.
Resistencia mecánica: Alta, garantizando durabilidad y estabilidad bajo tensión y alta temperatura.
Propiedades ópticas: Transparente en el rango UV-visible, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de sensores ópticos.
Densidad de defectos: baja, lo que contribuye a la alta calidad de los dispositivos fabricados.
Especificación del lingote de SiC
Grado: Producción;
Tamaño: 6 pulgadas;
Diámetro: 150,25 mm +0,25:
Espesor: >10 mm;
Orientación de la superficie: 4° hacia <11-20> + 0,2°:
Orientación plana primaria: <1-100>+5°:
Longitud plana primaria: 47,5 mm + 1,5;
Resistividad: 0,015-0,02852:
Micropipe: <0,5;
DBP: <2000;
TSD: <500;
Áreas de politipo: Ninguna;
Sangrías Fdge: <3, :lmm de ancho y profundidad;
Bastidores de borde: 3,
Embalaje: Caja de obleas;
Para pedidos al por mayor o personalizaciones específicas, el precio puede variar. Contacte con nuestro departamento de ventas para obtener un presupuesto personalizado según sus necesidades y cantidades.

Diagrama detallado

Lingote de SiC11
Lingote de SiC14
Lingote de SiC 12
Lingote de SiC15

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