Lingote de SiC tipo 4H-N Grado ficticio 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas espesor:> 10 mm

Breve descripción:

El lingote de SiC tipo 4H-N (grado ficticio) es un material de primera calidad que se utiliza en el desarrollo y prueba de dispositivos semiconductores avanzados. Con sus robustas propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas, es ideal para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura. Este material es muy adecuado para la investigación y el desarrollo en electrónica de potencia, sistemas automotrices y equipos industriales. Disponible en varios tamaños, incluidos diámetros de 2, 3, 4 y 6 pulgadas, este lingote está diseñado para satisfacer las rigurosas demandas de la industria de semiconductores y al mismo tiempo ofrece excelente rendimiento y confiabilidad.


Detalle del producto

Etiquetas de producto

Solicitud

Electrónica de potencia:Se utiliza en la producción de transistores de potencia, diodos y rectificadores de alta eficiencia para aplicaciones industriales y automotrices.

Vehículos eléctricos (EV):Utilizado en la fabricación de módulos de potencia para sistemas de accionamiento eléctrico, inversores y cargadores.

Sistemas de Energías Renovables:Esencial para el desarrollo de dispositivos eficientes de conversión de energía para sistemas solares, eólicos y de almacenamiento de energía.

Aeroespacial y Defensa:Aplicado en componentes de alta frecuencia y alta potencia, incluidos sistemas de radar y comunicaciones por satélite.

Sistemas de control industriales:Admite sensores avanzados y dispositivos de control en entornos exigentes.

Propiedades

conductividad.
Opciones de diámetro: 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas.
Espesor: >10 mm, lo que garantiza un material sustancial para el corte y procesamiento de obleas.
Tipo: Grado ficticio, utilizado principalmente para pruebas y desarrollo que no son de dispositivos.
Tipo de portador: tipo N, optimizando el material para dispositivos de potencia de alto rendimiento.
Conductividad térmica: Excelente, ideal para una disipación eficiente del calor en electrónica de potencia.
Resistividad: Baja resistividad, mejorando la conductividad y eficiencia de los dispositivos.
Resistencia Mecánica: Alta, asegurando durabilidad y estabilidad bajo estrés y alta temperatura.
Propiedades ópticas: Transparente en el rango UV-visible, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de sensores ópticos.
Densidad de defectos: Baja, lo que contribuye a la alta calidad de los dispositivos fabricados.
Especificación del lingote de SiC
Grado: Producción;
Tamaño: 6 pulgadas;
Diámetro: 150,25 mm +0,25:
Espesor: >10 mm;
Orientación de la superficie: 4°hacia<11-20>+0,2°:
Orientación plana primaria: <1-100>+5°:
Longitud plana primaria: 47,5 mm + 1,5;
Resistividad: 0,015-0,02852:
Microtubo: <0,5;
TLP: <2000;
DST: <500;
Áreas de politipo: Ninguna;
Sangrías Fdge:<3,:lmm de ancho y profundidad;
Bastidores de borde: 3,
Embalaje: Caja de oblea;
Para pedidos al por mayor o personalizaciones específicas, los precios pueden variar. Comuníquese con nuestro departamento de ventas para obtener una cotización personalizada según sus requisitos y cantidades.

Diagrama detallado

Lingote de SiC11
Lingote de SiC14
Lingote de SiC12
Lingote de SiC15

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