Grafito de placa de bandeja de cerámica de SiC con revestimiento CVD SiC para equipos

Las cerámicas de carburo de silicio no sólo se utilizan en la etapa de deposición de películas finas, como epitaxia o MOCVD, o en el procesamiento de obleas, en cuyo centro las bandejas portadoras de obleas para MOCVD se someten primero al entorno de deposición y, por lo tanto, son altamente resistentes a Calor y corrosión. Los soportes recubiertos de SiC también tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución térmica.

Portadores de obleas de carburo de silicio (CVD SiC) con deposición química de vapor pura para el procesamiento de deposición química de vapor de metales orgánicos (MOCVD) a alta temperatura.

Los soportes de oblea CVD SiC puro son significativamente superiores a los soportes de oblea convencionales utilizados en este proceso, que son de grafito y están recubiertos con una capa de CVD SiC. Estos portadores recubiertos a base de grafito no pueden soportar las altas temperaturas (1100 a 1200 grados Celsius) requeridas para la deposición de GaN del LED azul y blanco de alto brillo actual. Las altas temperaturas hacen que el recubrimiento desarrolle pequeños orificios a través de los cuales los químicos del proceso erosionan el grafito que se encuentra debajo. Luego, las partículas de grafito se desprenden y contaminan el GaN, lo que provoca que se reemplace el soporte de la oblea recubierta.

CVD SiC tiene una pureza del 99,999% o más y tiene alta conductividad térmica y resistencia al choque térmico. Por lo tanto, puede soportar las altas temperaturas y los entornos hostiles de la fabricación de LED de alto brillo. Es un material monolítico sólido que alcanza una densidad teórica, produce partículas mínimas y exhibe una resistencia muy alta a la corrosión y la erosión. El material puede cambiar la opacidad y la conductividad sin introducir impurezas metálicas. Los transportadores de obleas suelen tener 17 pulgadas de diámetro y pueden contener hasta 40 obleas de 2 a 4 pulgadas.