Placa de bandeja de cerámica de SiC de grafito con recubrimiento de SiC CVD para equipos

Las cerámicas de carburo de silicio no solo se utilizan en la etapa de deposición de película fina, como la epitaxia o MOCVD, o en el procesamiento de obleas, en cuyo corazón las bandejas portadoras de obleas para MOCVD se someten primero al entorno de deposición y, por lo tanto, son altamente resistentes al calor y la corrosión. Los portadores recubiertos de SiC también tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución térmica.

Portadores de obleas de carburo de silicio por deposición química en fase de vapor (CVD SiC) puro para el procesamiento por deposición química en fase de vapor orgánico de metales (MOCVD) a alta temperatura.

Los soportes de obleas de SiC CVD puro son significativamente superiores a los soportes de obleas convencionales utilizados en este proceso, que son de grafito y están recubiertos con una capa de SiC CVD. Estos soportes recubiertos a base de grafito no soportan las altas temperaturas (1100 a 1200 grados Celsius) requeridas para la deposición de GaN de los LED azules y blancos de alto brillo actuales. Las altas temperaturas provocan la formación de pequeños orificios en el recubrimiento, a través de los cuales los productos químicos del proceso erosionan el grafito subyacente. Las partículas de grafito se desprenden y contaminan el GaN, lo que obliga a reemplazar el soporte de obleas recubierto.

El SiC CVD tiene una pureza del 99,999 % o superior, alta conductividad térmica y resistencia al choque térmico. Por lo tanto, soporta las altas temperaturas y los entornos hostiles de la fabricación de LED de alta luminosidad. Es un material monolítico sólido que alcanza una densidad teórica, produce mínimas partículas y presenta una alta resistencia a la corrosión y la erosión. El material puede cambiar su opacidad y conductividad sin introducir impurezas metálicas. Los soportes de obleas suelen tener 43 cm de diámetro y pueden alojar hasta 40 obleas de 5 a 10 cm.