Placa/bandeja de cerámica de SiC para soporte de obleas de 4 y 6 pulgadas para ICP

Placa/bandeja de cerámica SiC para soporte de obleas de 4 y 6 pulgadas para ICP Imagen destacada

Descripción breve:

La placa cerámica de SiC es un componente de alto rendimiento fabricado con carburo de silicio de alta pureza, diseñado para entornos térmicos, químicos y mecánicos extremos. Reconocida por su excepcional dureza, conductividad térmica y resistencia a la corrosión, la placa de SiC se utiliza ampliamente como soporte de obleas, susceptor o componente estructural en las industrias de semiconductores, LED, fotovoltaica y aeroespacial.

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Características

Placa cerámica de SiC Resumen

Con una estabilidad térmica excepcional de hasta 1600 °C y una excelente resistencia a gases reactivos y entornos de plasma, la placa de SiC garantiza un rendimiento constante durante los procesos de grabado, deposición y difusión a alta temperatura. Su microestructura densa y no porosa minimiza la generación de partículas, lo que la hace ideal para aplicaciones ultralimpias en entornos de vacío o salas blancas.

Aplicación de la placa cerámica de SiC

1. Fabricación de semiconductores

Las placas cerámicas de SiC se utilizan comúnmente como soportes de obleas, susceptores y placas de pedestal en equipos de fabricación de semiconductores, como CVD (deposición química en fase de vapor), PVD (deposición física en fase de vapor) y sistemas de grabado. Su excelente conductividad térmica y baja expansión térmica les permiten mantener una distribución uniforme de la temperatura, fundamental para el procesamiento de obleas de alta precisión. La resistencia del SiC a gases corrosivos y plasmas garantiza su durabilidad en entornos hostiles, lo que ayuda a reducir la contaminación por partículas y el mantenimiento de los equipos.

2. Industria LED – Grabado ICP

En el sector de la fabricación de LED, las placas de SiC son componentes clave en los sistemas de grabado ICP (plasma acoplado inductivamente). Al actuar como soportes para obleas, proporcionan una plataforma estable y térmicamente robusta para soportar obleas de zafiro o GaN durante el procesamiento con plasma. Su excelente resistencia al plasma, planitud superficial y estabilidad dimensional garantizan una alta precisión y uniformidad de grabado, lo que se traduce en un mayor rendimiento y rendimiento de los chips LED.

3. Energía fotovoltaica (FV) y energía solar

Las placas cerámicas de SiC también se utilizan en la producción de células solares, especialmente durante las etapas de sinterización y recocido a alta temperatura. Su inercia a temperaturas elevadas y su resistencia a la deformación garantizan un procesamiento uniforme de las obleas de silicio. Además, su bajo riesgo de contaminación es vital para mantener la eficiencia de las células fotovoltaicas.

Propiedades de la placa cerámica de SiC

1. Resistencia mecánica y dureza excepcionales

Las placas cerámicas de SiC presentan una resistencia mecánica muy alta, con una resistencia a la flexión típica superior a 400 MPa y una dureza Vickers de >2000 HV. Esto las hace altamente resistentes al desgaste mecánico, la abrasión y la deformación, garantizando una larga vida útil incluso bajo cargas elevadas o ciclos térmicos repetidos.

2. Alta conductividad térmica

El SiC posee una excelente conductividad térmica (normalmente de 120 a 200 W/m·K), lo que le permite distribuir el calor uniformemente por toda su superficie. Esta propiedad es crucial en procesos como el grabado de obleas, la deposición o la sinterización, donde la uniformidad de la temperatura afecta directamente el rendimiento y la calidad del producto.

3. Estabilidad térmica superior

Con un alto punto de fusión (2700 °C) y un bajo coeficiente de expansión térmica (4,0 × 10⁻⁶/K), las placas cerámicas de SiC mantienen la precisión dimensional y la integridad estructural en ciclos rápidos de calentamiento y enfriamiento. Esto las hace ideales para aplicaciones en hornos de alta temperatura, cámaras de vacío y entornos de plasma.

Propiedades técnicas
Índice	Unidad	Valor
Nombre del material		Carburo de silicio sinterizado por reacción	Carburo de silicio sinterizado sin presión	carburo de silicio recristalizado
Composición		RBSiC	Sistema de circuitos integrados de seguridad (SSiC)	R-SiC
Densidad aparente	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Resistencia a la flexión	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20 °C) 90-100 (1400 °C)
Resistencia a la compresión	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Dureza	Knoop	2700	2800	/
Rompiendo la tenacidad	MPa m1/2	4.5	4	/
Conductividad térmica	W/mk	95	120	23
Coeficiente de expansión térmica	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Calor específico	Julio/g 0k	0.8	0.67	/
Temperatura máxima en el aire	°C	1200	1500	1600
Módulo elástico	Promedio general	360	410	240

Preguntas y respuestas sobre la placa cerámica de SiC

P: ¿Cuáles son las propiedades de la placa de carburo de silicio?

A: Las placas de carburo de silicio (SiC) son conocidas por su alta resistencia, dureza y estabilidad térmica. Ofrecen una excelente conductividad térmica y baja expansión térmica, lo que garantiza un rendimiento fiable en temperaturas extremas. El SiC también es químicamente inerte, resistente a ácidos, álcalis y entornos de plasma, lo que lo hace ideal para el procesamiento de semiconductores y LED. Su superficie densa y lisa minimiza la generación de partículas, manteniendo la compatibilidad en salas blancas. Las placas de SiC se utilizan ampliamente como portadores de obleas, susceptores y componentes de soporte en entornos corrosivos y de alta temperatura en las industrias de semiconductores, fotovoltaica y aeroespacial.