El equipo de despegue láser para semiconductores es una solución industrial altamente especializada, diseñada para el adelgazamiento preciso y sin contacto de lingotes semiconductores mediante técnicas de despegue inducido por láser. Este avanzado sistema desempeña un papel fundamental en los procesos modernos de obleas de semiconductores, especialmente en la fabricación de obleas ultrafinas para electrónica de potencia de alto rendimiento, LED y dispositivos de radiofrecuencia (RF). Al permitir la separación de capas delgadas de lingotes a granel o sustratos donantes, el equipo de despegue láser para semiconductores revoluciona el adelgazamiento de lingotes al eliminar los pasos de aserrado mecánico, rectificado y grabado químico.

El adelgazamiento tradicional de lingotes de semiconductores, como el nitruro de galio (GaN), el carburo de silicio (SiC) y el zafiro, suele ser laborioso, derrochador y propenso a microfisuras o daños superficiales. Por el contrario, el equipo de despegue láser para semiconductores ofrece una alternativa precisa y no destructiva que minimiza la pérdida de material y la tensión superficial, a la vez que aumenta la productividad. Es compatible con una amplia variedad de materiales cristalinos y compuestos, y se integra a la perfección en las líneas de producción de semiconductores de entrada y salida.

Con longitudes de onda láser configurables, sistemas de enfoque adaptativo y mandriles de obleas compatibles con vacío, este equipo es particularmente adecuado para el corte de lingotes, la creación de láminas y el desprendimiento de películas ultrafinas para estructuras de dispositivos verticales o transferencia de capas heteroepitaxiales.