SiC semiaislante sobre sustratos compuestos de Si
Elementos | Especificación | Elementos | Especificación |
Diámetro | 150±0,2 mm | Orientación | <111>/<100>/<110> y así sucesivamente |
politipo | 4H | Tipo | P/N |
Resistividad | ≥1E8ohm·cm | Llanura | Plano/Muesca |
Espesor de la capa de transferencia | ≥0,1 μm | Chip de borde, rayado, grieta (inspección visual) | Ninguno |
Vacío | ≤5ea/oblea (2 mm>D>0,5 mm) | televisión | ≤5μm |
Rugosidad frontal | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | Espesor | 500/625/675±25 μm |
Esta combinación ofrece una serie de ventajas en la fabricación de productos electrónicos:
Compatibilidad: El uso de un sustrato de silicio lo hace compatible con técnicas de procesamiento estándar basadas en silicio y permite la integración con los procesos de fabricación de semiconductores existentes.
Rendimiento a altas temperaturas: el SiC tiene una excelente conductividad térmica y puede funcionar a altas temperaturas, lo que lo hace adecuado para aplicaciones electrónicas de alta potencia y alta frecuencia.
Alto voltaje de ruptura: los materiales de SiC tienen un alto voltaje de ruptura y pueden soportar campos eléctricos elevados sin fallas eléctricas.
Pérdida de energía reducida: los sustratos de SiC permiten una conversión de energía más eficiente y una menor pérdida de energía en dispositivos electrónicos en comparación con los materiales tradicionales a base de silicio.
Amplio ancho de banda: El SiC tiene un amplio ancho de banda, lo que permite el desarrollo de dispositivos electrónicos que pueden funcionar a temperaturas más altas y densidades de potencia más altas.
Por lo tanto, el SiC semiaislante sobre sustratos compuestos de Si combina la compatibilidad del silicio con las propiedades eléctricas y térmicas superiores del SiC, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de electrónica de alto rendimiento.
Embalaje y entrega
1. Usaremos plástico protector y cajas personalizadas para empacar. (Material respetuoso con el medio ambiente)
2. Podríamos hacer embalajes personalizados según la cantidad.
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