Oblea de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N 6 pulgadas de espesor 350 μm con orientación plana primaria

Breve descripción:

La oblea de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, es un material semiconductor de 6 pulgadas con un espesor de 350 μm y orientación plana primaria, diseñado para aplicaciones electrónicas avanzadas. Conocida por su alta conductividad térmica, alto voltaje de ruptura y resistencia a temperaturas extremas y ambientes corrosivos, esta oblea es adecuada para dispositivos electrónicos de alto rendimiento. El dopaje tipo P introduce agujeros como principales portadores de carga, lo que lo hace ideal para aplicaciones de electrónica de potencia y RF. Su estructura robusta garantiza un rendimiento estable en condiciones de alto voltaje y alta frecuencia, lo que lo hace ideal para dispositivos de potencia, electrónica de alta temperatura y conversión de energía de alta eficiencia. La orientación plana primaria garantiza una alineación precisa en el proceso de fabricación, proporcionando coherencia en la fabricación del dispositivo.

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Especificación Sustratos compuestos de SiC tipo 4H/6H-P Tabla de parámetros comunes

6 Sustrato de carburo de silicio (SiC) de diámetro en pulgadas Especificación

Calificación			Producción Cero MPDGrado (Z Calificación)	Producción estándarGrado (P Calificación)	Grado ficticio (D Calificación)
Diámetro			145,5 mm~150,0 mm
Espesor			350 micras ± 25 micras
Orientación de la oblea			-OffEje: 2,0°-4,0°hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, En el eje:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidad del microtubo			0cm-2
Resistividad	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Orientación plana primaria		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Longitud plana primaria			32,5 mm ± 2,0 mm
Longitud plana secundaria			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria			Silicio boca arriba: 90° CW. desde plano primario ± 5,0°
Exclusión de borde			3 milímetros		6 milímetros
LTV/TTV/arco/deformación			≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm		≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Aspereza			Polaco Ra≤1 nm
			CMPRa≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤2 mm
Placas hexagonales por luz de alta intensidad			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas politipo por luz de alta intensidad			Ninguno		Área acumulada≤3%
Inclusiones visuales de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arañazos en la superficie de silicio causados por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada≤1×diámetro de oblea
Chips de borde altos por intensidad de luz			Ninguno permitido ≥0,2 mm de ancho y profundidad		5 permitidos, ≤1 mm cada uno
Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad			Ninguno
Embalaje			Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea

Notas:

※ Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea excepto al área de exclusión de bordes. # Los rayones deben revisarse en la cara Si o

La oblea de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, con su tamaño de 6 pulgadas y su espesor de 350 μm, desempeña un papel crucial en la producción industrial de electrónica de potencia de alto rendimiento. Su excelente conductividad térmica y su alto voltaje de ruptura lo hacen ideal para fabricar componentes como interruptores de potencia, diodos y transistores utilizados en entornos de alta temperatura como vehículos eléctricos, redes eléctricas y sistemas de energía renovable. La capacidad de la oblea para operar eficientemente en condiciones difíciles garantiza un rendimiento confiable en aplicaciones industriales que requieren alta densidad de potencia y eficiencia energética. Además, su orientación plana primaria ayuda a una alineación precisa durante la fabricación del dispositivo, lo que mejora la eficiencia de la producción y la consistencia del producto.

Las ventajas de los sustratos compuestos de SiC tipo N incluyen

Alta conductividad térmica: Las obleas de SiC tipo P disipan el calor de manera eficiente, lo que las hace ideales para aplicaciones de alta temperatura.
Alto voltaje de ruptura: Capaz de soportar altos voltajes, asegurando confiabilidad en electrónica de potencia y dispositivos de alto voltaje.
Resistencia a entornos hostiles: Excelente durabilidad en condiciones extremas, como altas temperaturas y ambientes corrosivos.
Conversión de energía eficiente: El dopaje tipo P facilita el manejo eficiente de la energía, lo que hace que la oblea sea adecuada para sistemas de conversión de energía.
Orientación plana primaria: Garantiza una alineación precisa durante la fabricación, mejorando la precisión y consistencia del dispositivo.
Estructura delgada (350 μm): El grosor óptimo de la oblea permite la integración en dispositivos electrónicos avanzados con limitaciones de espacio.

En general, la oblea de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, ofrece una variedad de ventajas que la hacen muy adecuada para aplicaciones industriales y electrónicas. Su alta conductividad térmica y voltaje de ruptura permiten un funcionamiento confiable en entornos de alta temperatura y alto voltaje, mientras que su resistencia a condiciones duras garantiza durabilidad. El dopaje tipo P permite una conversión de energía eficiente, lo que lo hace ideal para electrónica de potencia y sistemas de energía. Además, la orientación plana principal de la oblea garantiza una alineación precisa durante el proceso de fabricación, lo que mejora la consistencia de la producción. Con un grosor de 350 μm, es ideal para integrarse en dispositivos compactos y avanzados.