Oblea de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 6 pulgadas de espesor y 350 μm con orientación plana primaria

Descripción breve:

La oblea de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, es un material semiconductor de 15 cm con un espesor de 350 μm y orientación primaria plana, diseñado para aplicaciones electrónicas avanzadas. Conocida por su alta conductividad térmica, alta tensión de ruptura y resistencia a temperaturas extremas y entornos corrosivos, esta oblea es ideal para dispositivos electrónicos de alto rendimiento. El dopaje tipo P introduce huecos como portadores de carga primarios, lo que la hace ideal para electrónica de potencia y aplicaciones de radiofrecuencia. Su robusta estructura garantiza un rendimiento estable en condiciones de alta tensión y alta frecuencia, lo que la hace ideal para dispositivos de potencia, electrónica de alta temperatura y conversión de energía de alta eficiencia. La orientación primaria plana garantiza una alineación precisa durante el proceso de fabricación, proporcionando consistencia en la fabricación del dispositivo.

Envíanos un correo electrónico

Detalle del producto

Etiquetas de productos

Tabla de parámetros comunes de los sustratos compuestos de SiC tipo 4H/6H-P

6 Sustrato de carburo de silicio (SiC) de 1,25 pulgadas de diámetro Especificación

Calificación			Producción cero de MPDGrado (Z Calificación)	Producción estándarGrado (P Calificación)	Grado ficticio (D Calificación)
Diámetro			145,5 mm ~ 150,0 mm
Espesor			350 μm ± 25 μm
Orientación de las obleas			-Offeje: 2,0°-4,0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, En el eje:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidad de microtubos			0 cm-2
Resistividad	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωcm		≤0,3 Ωcm
	3C-N de tipo n		≤0,8 mΩcm		≤1 m Ωcm
Orientación plana primaria		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Longitud plana primaria			32,5 mm ± 2,0 mm
Longitud plana secundaria			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria			Cara de silicio hacia arriba: 90° CW desde la superficie plana principal ± 5,0°
Exclusión de bordes			3 milímetros		6 milímetros
LTV/TTV/Arco/Urdimbre			≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm		≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Aspereza			Polaco Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm
Placas hexagonales de luz de alta intensidad			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas de politipos mediante luz de alta intensidad			Ninguno		Área acumulada ≤ 3%
Inclusiones visuales de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Rayaduras en la superficie de silicio causadas por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea
Chips de borde de alta intensidad de luz			No se permite ninguno ≥0,2 mm de ancho y profundidad		Se permiten 5, ≤1 mm cada uno
Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad			Ninguno
Embalaje			Casete multi-obleas o contenedor de una sola oblea

Notas:

※ Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión del borde. # Los rayones deben verificarse en la cara de Si

La oblea de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, con sus 6 pulgadas de tamaño y 350 μm de espesor, desempeña un papel crucial en la producción industrial de electrónica de potencia de alto rendimiento. Su excelente conductividad térmica y alta tensión de ruptura la hacen ideal para la fabricación de componentes como interruptores de potencia, diodos y transistores utilizados en entornos de alta temperatura como vehículos eléctricos, redes eléctricas y sistemas de energía renovable. Su capacidad para operar eficientemente en condiciones adversas garantiza un rendimiento fiable en aplicaciones industriales que requieren alta densidad de potencia y eficiencia energética. Además, su orientación plana principal facilita una alineación precisa durante la fabricación del dispositivo, mejorando la eficiencia de la producción y la consistencia del producto.

Las ventajas de los sustratos compuestos de SiC tipo N incluyen

Alta conductividad térmica:Las obleas de SiC tipo P disipan el calor de manera eficiente, lo que las hace ideales para aplicaciones de alta temperatura.
Alto voltaje de ruptura:Capaz de soportar altos voltajes, asegurando confiabilidad en electrónica de potencia y dispositivos de alto voltaje.
Resistencia a entornos hostiles:Excelente durabilidad en condiciones extremas, como altas temperaturas y ambientes corrosivos.
Conversión de energía eficiente:El dopaje de tipo P facilita un manejo eficiente de la energía, lo que hace que la oblea sea adecuada para sistemas de conversión de energía.
Orientación plana primaria:Garantiza una alineación precisa durante la fabricación, mejorando la precisión y la consistencia del dispositivo.
Estructura delgada (350 μm):El espesor óptimo de la oblea permite la integración en dispositivos electrónicos avanzados con limitaciones de espacio.

En general, la oblea de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, ofrece diversas ventajas que la hacen ideal para aplicaciones industriales y electrónicas. Su alta conductividad térmica y tensión de ruptura permiten un funcionamiento fiable en entornos de alta temperatura y alta tensión, mientras que su resistencia a condiciones adversas garantiza su durabilidad. El dopaje tipo P permite una conversión de potencia eficiente, lo que la hace ideal para electrónica de potencia y sistemas de energía. Además, la orientación plana primaria de la oblea garantiza una alineación precisa durante el proceso de fabricación, mejorando la consistencia de la producción. Con un espesor de 350 μm, es ideal para su integración en dispositivos avanzados y compactos.