Oblea de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 6 pulgadas de espesor 350 μm con orientación plana primaria
Tabla de parámetros comunes para sustratos compuestos de SiC tipo 4H/6H-P
6 Sustrato de carburo de silicio (SiC) de una pulgada de diámetro Especificación
| Calificación | Producción de Cero MPDGrado (Z Calificación) | Producción estándarCalificación (P Calificación) | Grado ficticio (D Calificación) | ||
| Diámetro | 145,5 mm~150,0 mm | ||||
| Espesor | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientación de la oblea | -OffEje: 2,0°-4,0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, En el eje: 〈111〉 ± 0,5° para 3C-N | ||||
| Densidad de micropipes | 0 cm-2 | ||||
| Resistividad | p-tipo 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| 3C-N de tipo n | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientación plana primaria | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Longitud plana primaria | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Longitud plana secundaria | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientación plana secundaria | Cara de silicio hacia arriba: 90° en sentido horario desde la posición plana Prime ± 5,0° | ||||
| Exclusión de bordes | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Arco/Deformación | ≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |||
| Aspereza | Pulido Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| Grietas en los bordes por luz de alta intensidad | Ninguno | Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud individual ≤ 2 mm | |||
| Placas hexagonales iluminadas con luz de alta intensidad | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤0,1% | |||
| Áreas politípicas mediante luz de alta intensidad | Ninguno | Área acumulada ≤3% | |||
| Inclusiones visuales de carbono | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤3% | |||
| Rayaduras en la superficie de silicio por luz de alta intensidad | Ninguno | Longitud acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| Chips de borde de alta intensidad de luz | Ninguno permitido ≥0,2 mm de ancho y profundidad | Se permiten 5, ≤1 mm cada una. | |||
| Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad | Ninguno | ||||
| Embalaje | Casete multioblea o contenedor de oblea única | ||||
Notas:
※ Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión del borde. # Los arañazos deben comprobarse en la cara de Si.
La oblea de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, de 6 pulgadas y 350 μm de espesor, desempeña un papel crucial en la producción industrial de electrónica de potencia de alto rendimiento. Su excelente conductividad térmica y su alta tensión de ruptura la hacen ideal para la fabricación de componentes como interruptores de potencia, diodos y transistores utilizados en entornos de alta temperatura, como vehículos eléctricos, redes eléctricas y sistemas de energía renovable. La capacidad de la oblea para operar eficientemente en condiciones adversas garantiza un rendimiento fiable en aplicaciones industriales que requieren alta densidad de potencia y eficiencia energética. Además, su orientación plana primaria facilita una alineación precisa durante la fabricación del dispositivo, lo que mejora la eficiencia de producción y la uniformidad del producto.
Las ventajas de los sustratos compuestos de SiC de tipo N incluyen
- Alta conductividad térmicaLas obleas de SiC de tipo P disipan el calor de manera eficiente, lo que las hace ideales para aplicaciones de alta temperatura.
- Alta tensión de rupturaCapaz de soportar altos voltajes, garantizando la fiabilidad en la electrónica de potencia y los dispositivos de alto voltaje.
- Resistencia a entornos hostilesExcelente durabilidad en condiciones extremas, como altas temperaturas y ambientes corrosivos.
- Conversión de energía eficienteEl dopaje de tipo P facilita una gestión eficiente de la potencia, lo que hace que la oblea sea adecuada para sistemas de conversión de energía.
- Orientación plana primariaGarantiza una alineación precisa durante la fabricación, mejorando la exactitud y la consistencia del dispositivo.
- Estructura delgada (350 μm)El grosor óptimo de la oblea permite su integración en dispositivos electrónicos avanzados con limitaciones de espacio.
En general, la oblea de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, ofrece una serie de ventajas que la hacen idónea para aplicaciones industriales y electrónicas. Su elevada conductividad térmica y tensión de ruptura permiten un funcionamiento fiable en entornos de alta temperatura y alto voltaje, mientras que su resistencia a condiciones adversas garantiza su durabilidad. El dopaje tipo P permite una conversión de potencia eficiente, lo que la hace ideal para la electrónica de potencia y los sistemas energéticos. Además, la orientación plana primaria de la oblea garantiza una alineación precisa durante el proceso de fabricación, mejorando la consistencia de la producción. Con un espesor de 350 μm, resulta idónea para su integración en dispositivos compactos y avanzados.
Diagrama detallado
