Sustrato tipo p 4H/6H-P 3C-N TIPO SIC 4 pulgadas 〈111〉± 0,5°Cero MPD

Sustrato SIC tipo p 4H/6H-P 3C-N 4 pulgadas 〈111〉± 0,5°Zero MPD Imagen destacada

Breve descripción:

El sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N, de 4 pulgadas con una orientación de 〈111〉± 0,5° y grado Zero MPD (Micro Pipe Defect), es un material semiconductor de alto rendimiento diseñado para dispositivos electrónicos avanzados. fabricación. Conocido por su excelente conductividad térmica, alto voltaje de ruptura y fuerte resistencia a las altas temperaturas y la corrosión, este sustrato es ideal para aplicaciones de RF y electrónica de potencia. El grado Zero MPD garantiza defectos mínimos, asegurando confiabilidad y estabilidad en dispositivos de alto rendimiento. Su orientación precisa 〈111〉± 0,5° permite una alineación precisa durante la fabricación, lo que lo hace adecuado para procesos de fabricación a gran escala. Este sustrato se usa ampliamente en dispositivos electrónicos de alta temperatura, alto voltaje y alta frecuencia, como convertidores de potencia, inversores y componentes de RF.

Envíanos un correo electrónico

Detalle del producto

Etiquetas de producto

Tabla de parámetros comunes de sustratos compuestos de SiC tipo 4H/6H-P

4 pulgadas de diámetro SilicioSustrato de carburo (SiC) Especificación

Calificación			Producción Cero MPD Grado (Z Calificación)	Producción estándar Grado (P Calificación)	Grado ficticio (D Calificación)
Diámetro			99,5 mm~100,0 mm
Espesor			350 micras ± 25 micras
Orientación de la oblea			Fuera del eje: 2,0°-4,0°hacia [112(-)0] ± 0,5° para 4H/6H-P, OEje n:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidad del microtubo			0cm-2
Resistividad	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Orientación plana primaria		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Longitud plana primaria			32,5 mm ± 2,0 mm
Longitud plana secundaria			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria			Silicio boca arriba: 90° CW. desde piso Prime±5.0°
Exclusión de borde			3 milímetros		6 milímetros
LTV/TTV/arco/deformación			≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 μm		≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 μm
Aspereza			Polaco Ra≤1 nm
			CMPRa≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤2 mm
Placas hexagonales por luz de alta intensidad			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas politipo por luz de alta intensidad			Ninguno		Área acumulada≤3%
Inclusiones visuales de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arañazos en la superficie de silicio causados por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada≤1×diámetro de oblea
Chips de borde altos por intensidad de luz			Ninguno permitido ≥0,2 mm de ancho y profundidad		5 permitidos, ≤1 mm cada uno
Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad			Ninguno
Embalaje			Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea

Notas:

※Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea excepto al área de exclusión de bordes. # Los rayones deben revisarse únicamente en la cara Si.

El sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas con orientación 〈111〉± 0,5° y grado Zero MPD se utiliza ampliamente en aplicaciones electrónicas de alto rendimiento. Su excelente conductividad térmica y su alto voltaje de ruptura lo hacen ideal para electrónica de potencia, como interruptores de alto voltaje, inversores y convertidores de potencia, que operan en condiciones extremas. Además, la resistencia del sustrato a las altas temperaturas y la corrosión garantiza un rendimiento estable en entornos hostiles. La orientación precisa 〈111〉± 0,5° mejora la precisión de fabricación, lo que la hace adecuada para dispositivos de RF y aplicaciones de alta frecuencia, como sistemas de radar y equipos de comunicación inalámbrica.

Las ventajas de los sustratos compuestos de SiC tipo N incluyen:

1. Alta conductividad térmica: disipación de calor eficiente, lo que lo hace adecuado para entornos de alta temperatura y aplicaciones de alta potencia.
2. Alto voltaje de ruptura: Garantiza un rendimiento confiable en aplicaciones de alto voltaje como convertidores e inversores de potencia.
3. Grado Zero MPD (Micro Pipe Defect): Garantiza defectos mínimos, brindando estabilidad y alta confiabilidad en dispositivos electrónicos críticos.
4. Resistencia a la corrosión: Durable en ambientes hostiles, lo que garantiza una funcionalidad a largo plazo en condiciones exigentes.
5. Orientación precisa 〈111〉± 0,5°: permite una alineación precisa durante la fabricación, mejorando el rendimiento del dispositivo en aplicaciones de alta frecuencia y RF.

En general, el sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas con orientación 〈111〉± 0,5° y grado Zero MPD es un material de alto rendimiento ideal para aplicaciones electrónicas avanzadas. Su excelente conductividad térmica y su alto voltaje de ruptura lo hacen perfecto para electrónica de potencia como interruptores, inversores y convertidores de alto voltaje. El grado Zero MPD garantiza defectos mínimos, brindando confiabilidad y estabilidad en dispositivos críticos. Además, la resistencia del sustrato a la corrosión y las altas temperaturas garantiza la durabilidad en entornos hostiles. La orientación precisa 〈111〉± 0,5° permite una alineación precisa durante la fabricación, lo que lo hace muy adecuado para dispositivos de RF y aplicaciones de alta frecuencia.