Sustrato SIC tipo p 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas 〈111〉± 0,5° MPD cero

Descripción breve:

El sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas con una orientación de 〈111〉± 0,5° y grado Zero MPD (Defecto de Microtubería), es un material semiconductor de alto rendimiento diseñado para la fabricación avanzada de dispositivos electrónicos. Conocido por su excelente conductividad térmica, alta tensión de ruptura y gran resistencia a altas temperaturas y corrosión, este sustrato es ideal para electrónica de potencia y aplicaciones de radiofrecuencia (RF). El grado Zero MPD garantiza la mínima cantidad de defectos, asegurando la fiabilidad y estabilidad en dispositivos de alto rendimiento. Su precisa orientación de 〈111〉± 0,5° permite una alineación precisa durante la fabricación, lo que lo hace adecuado para procesos de fabricación a gran escala. Este sustrato se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta tensión y alta frecuencia, como convertidores de potencia, inversores y componentes de RF.

Envíanos un correo electrónico

Detalle del producto

Etiquetas de productos

Tabla de parámetros comunes de los sustratos compuestos de SiC tipo 4H/6H-P

4 Silicio de pulgadas de diámetroSustrato de carburo (SiC) Especificación

Calificación			Producción cero de MPD Grado (Z Calificación)	Producción estándar Grado (P Calificación)	Grado ficticio (D Calificación)
Diámetro			99,5 mm ~ 100,0 mm
Espesor			350 μm ± 25 μm
Orientación de las obleas			Fuera del eje: 2,0°-4,0° hacia [112(-)0] ± 0,5° para 4H/6H-P, OEje n:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidad de microtubos			0 cm-2
Resistividad	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωcm		≤0,3 Ωcm
	3C-N de tipo n		≤0,8 mΩcm		≤1 m Ωcm
Orientación plana primaria		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Longitud plana primaria			32,5 mm ± 2,0 mm
Longitud plana secundaria			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria			Cara de silicio hacia arriba: 90° CW desde la superficie plana principal±5.0°
Exclusión de bordes			3 milímetros		6 milímetros
LTV/TTV/Arco/Urdimbre			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 micras		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 micras
Aspereza			Polaco Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm
Placas hexagonales de luz de alta intensidad			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas de politipos mediante luz de alta intensidad			Ninguno		Área acumulada ≤ 3%
Inclusiones visuales de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Rayaduras en la superficie de silicio causadas por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea
Chips de borde de alta intensidad de luz			No se permite ninguno ≥0,2 mm de ancho y profundidad		Se permiten 5, ≤1 mm cada uno
Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad			Ninguno
Embalaje			Casete multi-obleas o contenedor de una sola oblea

Notas:

※Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión del borde. # Los rayones deben verificarse solo en la cara de Si.

El sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas con orientación de 〈111〉± 0,5° y grado de MPD cero se utiliza ampliamente en aplicaciones electrónicas de alto rendimiento. Su excelente conductividad térmica y alta tensión de ruptura lo hacen ideal para electrónica de potencia, como interruptores de alta tensión, inversores y convertidores de potencia, que operan en condiciones extremas. Además, la resistencia del sustrato a altas temperaturas y corrosión garantiza un rendimiento estable en entornos hostiles. La precisa orientación de 〈111〉± 0,5° mejora la precisión de fabricación, haciéndolo adecuado para dispositivos de radiofrecuencia y aplicaciones de alta frecuencia, como sistemas de radar y equipos de comunicación inalámbrica.

Las ventajas de los sustratos compuestos de SiC tipo N incluyen:

1. Alta conductividad térmica: disipación de calor eficiente, lo que lo hace adecuado para entornos de alta temperatura y aplicaciones de alta potencia.
2. Alto voltaje de ruptura: garantiza un rendimiento confiable en aplicaciones de alto voltaje como convertidores de potencia e inversores.
3. Grado cero MPD (defecto de microtubería): garantiza defectos mínimos, proporcionando estabilidad y alta confiabilidad en dispositivos electrónicos críticos.
4. Resistencia a la corrosión: Durable en entornos hostiles, lo que garantiza una funcionalidad a largo plazo en condiciones exigentes.
5. Orientación precisa 〈111〉± 0,5°: permite una alineación precisa durante la fabricación, lo que mejora el rendimiento del dispositivo en aplicaciones de alta frecuencia y RF.

En general, el sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas con orientación de 〈111〉± 0,5° y grado Zero MPD es un material de alto rendimiento ideal para aplicaciones electrónicas avanzadas. Su excelente conductividad térmica y alta tensión de ruptura lo hacen ideal para electrónica de potencia como interruptores, inversores y convertidores de alta tensión. El grado Zero MPD garantiza una mínima cantidad de defectos, lo que proporciona fiabilidad y estabilidad en dispositivos críticos. Además, la resistencia del sustrato a la corrosión y a las altas temperaturas garantiza su durabilidad en entornos hostiles. La precisa orientación de 〈111〉± 0,5° permite una alineación precisa durante la fabricación, lo que lo hace ideal para dispositivos de radiofrecuencia y aplicaciones de alta frecuencia.