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Tantalato de litio en película delgada (LTOI): ¿el próximo material estrella para moduladores de alta velocidad?
El tantalato de litio de película delgada (LTOI) se perfila como un nuevo y prometedor material en el campo de la óptica integrada. Este año se han publicado varios trabajos de alto nivel sobre moduladores LTOI, con obleas LTOI de alta calidad proporcionadas por el profesor Xin Ou, del Instituto de Tecnología de Shanghái...Leer más -
Comprensión profunda del sistema SPC en la fabricación de obleas
El SPC (Control Estadístico de Procesos) es una herramienta crucial en el proceso de fabricación de obleas, que se utiliza para supervisar, controlar y mejorar la estabilidad en las distintas etapas de fabricación. 1. Descripción general del sistema SPC. El SPC es un método que utiliza...Leer más -
¿Por qué se realiza la epitaxia sobre un sustrato de oblea?
El crecimiento de una capa adicional de átomos de silicio sobre un sustrato de oblea de silicio tiene varias ventajas: En los procesos de silicio CMOS, el crecimiento epitaxial (EPI) en el sustrato de la oblea es un paso crítico del proceso. 1、Mejorar la calidad del cristal...Leer más -
Principios, procesos, métodos y equipos para la limpieza de obleas
La limpieza húmeda (Wet Clean) es uno de los pasos críticos en los procesos de fabricación de semiconductores, cuyo objetivo es eliminar diversos contaminantes de la superficie de la oblea para garantizar que los pasos del proceso posterior se puedan realizar en una superficie limpia.Leer más -
La relación entre los planos cristalinos y la orientación del cristal.
Los planos cristalinos y la orientación del cristal son dos conceptos fundamentales en cristalografía, estrechamente relacionados con la estructura cristalina en la tecnología de circuitos integrados basados en silicio. 1. Definición y propiedades de la orientación del cristal La orientación del cristal representa una dirección específica...Leer más -
¿Cuáles son las ventajas de los procesos Through Glass Via (TGV) y Through Silicio Via, TSV (TSV) sobre TGV?
Las principales ventajas de los procesos de vía a través de vidrio (TGV) y de vía a través de silicio (TSV) sobre el TGV son: (1) Excelentes características eléctricas de alta frecuencia. El vidrio es un material aislante, su constante dieléctrica es solo aproximadamente un tercio de la del silicio y su factor de pérdida es de 2...Leer más -
Aplicaciones de sustrato de carburo de silicio conductor y semiaislado
El sustrato de carburo de silicio se divide en semiaislante y conductor. Actualmente, la especificación principal de los sustratos de carburo de silicio semiaislados es de 4 pulgadas. En el caso del carburo de silicio conductor...Leer más -
¿Existen también diferencias en la aplicación de obleas de zafiro con diferentes orientaciones de cristal?
El zafiro es un monocristal de alúmina, pertenece al sistema cristalino tripartito, estructura hexagonal, su estructura cristalina está compuesta por tres átomos de oxígeno y dos átomos de aluminio en tipo de enlace covalente, dispuestos muy juntos, con fuerte cadena de enlace y energía reticular, mientras que su inte...Leer más -
¿Cuál es la diferencia entre un sustrato conductor de SiC y un sustrato semiaislado?
El dispositivo de carburo de silicio SiC se refiere a un dispositivo fabricado con carburo de silicio como materia prima. Según sus diferentes propiedades de resistencia, se divide en dispositivos de potencia de carburo de silicio conductores y dispositivos de radiofrecuencia de carburo de silicio semiaislados. Principales formas del dispositivo y...Leer más -
Un artículo te lleva a un maestro del TGV
¿Qué es TGV? TGV (vía a través del vidrio), una tecnología que crea orificios pasantes sobre un sustrato de vidrio. En pocas palabras, TGV es un edificio de gran altura que perfora, rellena y conecta el vidrio verticalmente para construir circuitos integrados sobre él.Leer más -
¿Cuáles son los indicadores de la evaluación de la calidad de la superficie de las obleas?
Con el continuo desarrollo de la tecnología de semiconductores, tanto en la industria de los semiconductores como en la fotovoltaica, los requisitos de calidad superficial del sustrato de oblea o lámina epitaxial son muy estrictos. Entonces, ¿cuáles son los requisitos de calidad...?Leer más -
¿Cuánto sabe sobre el proceso de crecimiento de un solo cristal de SiC?
El carburo de silicio (SiC), como material semiconductor de banda ancha, desempeña un papel cada vez más importante en la ciencia y la tecnología modernas. El carburo de silicio posee una excelente estabilidad térmica, alta tolerancia al campo eléctrico, conductividad intencional y...Leer más