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¡Cambia los materiales de disipación de calor! ¡La demanda de sustratos de carburo de silicio está a punto de dispararse!
Tabla de contenido 1. El cuello de botella de la disipación de calor en los chips de IA y el avance de los materiales de carburo de silicio 2. Características y ventajas técnicas de los sustratos de carburo de silicio 3. Planes estratégicos y desarrollo colaborativo de NVIDIA y TSMC 4. Ruta de implementación y aspectos técnicos clave...Leer más -
Importante avance en la tecnología de desprendimiento láser de obleas de carburo de silicio de 12 pulgadas
Tabla de contenido 1. Importante avance en la tecnología de despegue láser de obleas de carburo de silicio de 12 pulgadas 2. Múltiples implicaciones del avance tecnológico para el desarrollo de la industria del SiC 3. Perspectivas futuras: Desarrollo integral de XKH y colaboración con la industria Recientemente,...Leer más -
Título: ¿Qué es FOUP en la fabricación de chips?
Tabla de contenido 1. Descripción general y funciones principales de FOUP 2. Estructura y características de diseño de FOUP 3. Clasificación y directrices de aplicación de FOUP 4. Operaciones e importancia de FOUP en la fabricación de semiconductores 5. Retos técnicos y tendencias de desarrollo futuras 6. Clientes de XKH...Leer más -
Tecnología de limpieza de obleas en la fabricación de semiconductores
Tecnología de limpieza de obleas en la fabricación de semiconductores. La limpieza de obleas es un paso crítico en todo el proceso de fabricación de semiconductores y uno de los factores clave que afectan directamente al rendimiento del dispositivo y a la productividad. Durante la fabricación de chips, incluso la más mínima contaminación...Leer más -
Tecnologías de limpieza de obleas y documentación técnica
Tabla de contenido 1. Objetivos principales e importancia de la limpieza de obleas 2. Evaluación de la contaminación y técnicas analíticas avanzadas 3. Métodos de limpieza avanzados y principios técnicos 4. Implementación técnica y aspectos esenciales del control de procesos 5. Tendencias futuras y direcciones innovadoras 6. X...Leer más -
Cristales individuales recién cultivados
Los monocristales son raros en la naturaleza, e incluso cuando se presentan, suelen ser muy pequeños —normalmente del orden de milímetros (mm)— y difíciles de obtener. Los diamantes, esmeraldas, ágatas, etc., de los que se informa, generalmente no entran en circulación en el mercado, y mucho menos en aplicaciones industriales; la mayoría se exhiben...Leer más -
El mayor comprador de alúmina de alta pureza: ¿Cuánto sabe usted sobre el zafiro?
Los cristales de zafiro se cultivan a partir de polvo de alúmina de alta pureza (>99,995%), lo que los convierte en el sector con mayor demanda de alúmina de alta pureza. Presentan alta resistencia, gran dureza y propiedades químicas estables, lo que les permite operar en entornos exigentes, como altas temperaturas...Leer más -
¿Qué significan TTV, BOW, WARP y TIR en obleas?
Al examinar obleas de silicio semiconductoras o sustratos de otros materiales, a menudo encontramos indicadores técnicos como: TTV, BOW, WARP y, posiblemente, TIR, STIR, LTV, entre otros. ¿Qué parámetros representan estos? TTV: Variación Total del Espesor; BOW: Curvatura; WARP: Deformación; TIR: ...Leer más -
Materias primas clave para la producción de semiconductores: Tipos de sustratos de obleas
Sustratos de obleas como materiales clave en dispositivos semiconductores. Los sustratos de obleas son los soportes físicos de los dispositivos semiconductores, y sus propiedades materiales determinan directamente el rendimiento, el coste y los campos de aplicación del dispositivo. A continuación se describen los principales tipos de sustratos de obleas junto con sus ventajas...Leer más -
Equipos de corte láser de alta precisión para obleas de SiC de 8 pulgadas: La tecnología clave para el futuro procesamiento de obleas de SiC
El carburo de silicio (SiC) no solo es una tecnología crucial para la defensa nacional, sino también un material fundamental para las industrias automotriz y energética a nivel mundial. Como primer paso crítico en el procesamiento de monocristales de SiC, el corte de obleas determina directamente la calidad del adelgazamiento y pulido posteriores.Leer más -
Vidrios antirreflectantes de guía de onda de carburo de silicio de grado óptico: Preparación de sustratos semi-aislantes de alta pureza
En el contexto de la revolución de la IA, las gafas de RA se están popularizando gradualmente. Como paradigma que fusiona a la perfección los mundos virtual y real, las gafas de RA se diferencian de los dispositivos de RV en que permiten a los usuarios percibir simultáneamente imágenes proyectadas digitalmente y la luz ambiental.Leer más -
Crecimiento heteroepitaxial de 3C-SiC sobre sustratos de silicio con diferentes orientaciones
1. Introducción. A pesar de décadas de investigación, el SiC-3C heteroepitaxial crecido sobre sustratos de silicio aún no ha alcanzado la calidad cristalina suficiente para aplicaciones electrónicas industriales. El crecimiento se realiza generalmente sobre sustratos de Si(100) o Si(111), cada uno con sus propios desafíos: antifase...Leer más