SiC tipo N sobre sustratos compuestos de Si diámetro 6 pulgadas

等级Calificación

U 级

P级

D级

Grado bajo de TLP

Grado de producción

Grado ficticio

直径Diámetro

150,0 mm±0,25 mm

厚度Espesor

500 µm±25 µm

晶片方向Orientación de la oblea

Fuera del eje: 4,0°hacia < 11-20 > ±0,5°para 4H-N En el eje: <0001>±0,5°para 4H-SI

主定位边方向Piso Primario

{10-10}±5,0°

主定位边长度Longitud plana primaria

47,5 mm±2,5 mm

边缘Exclusión de bordes

3 milímetros

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Arco /Warp

≤15μm/≤40μm/≤60μm

微管密度和基面位错MPD y BPD

MPD≤1cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

DBP≤1000cm-2

电阻率Resistividad

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Aspereza

Polaco Ra≤1 nm

CMPRa≤0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Ninguno

Longitud acumulada ≤10 mm, longitud única ≤2 mm

Grietas por luz de alta intensidad.

六方空洞（强光灯观测）*

Área acumulada ≤1%

Área acumulada ≤5%

Placas hexagonales por luz de alta intensidad.

多型(强光灯观测)*

Ninguno

Área acumulada≤5%

Politipo Áreas por luz de alta intensidad.

划痕(强光灯观测)*&

3 rayones por 1×diámetro de oblea

5 rayones por 1 × diámetro de oblea

Arañazos por luz de alta intensidad.

longitud acumulada

longitud acumulada

崩边# chip de borde

Ninguno

5 permitidos, ≤1 mm cada uno

表面污染物（强光灯观测）

Ninguno

Contaminación por luz de alta intensidad.