Sustratos compuestos de SiC tipo N sobre Si de 6 pulgadas de diámetro

等级Calificación

U 级

P级

D级

Grado bajo de TLP

Grado de producción

Grado ficticio

直径Diámetro

150,0 mm ± 0,25 mm

厚度Espesor

500 μm ± 25 μm

晶片方向Orientación de las obleas

Fuera del eje: 4,0° hacia < 11-20 > ±0,5° para 4H-N En el eje: <0001> ±0,5° para 4H-SI

主定位边方向Piso principal

{10-10}±5,0°

主定位边长度Longitud plana primaria

47,5 mm ± 2,5 mm

边缘Exclusión de bordes

3 milímetros

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Arco /Warp

≤15 μm /≤40 μm /≤60 μm

微管密度和基面位错MPD y BPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

DBP ≤ 1000 cm-2

电阻率Resistividad

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Aspereza

Polaco Ra≤1 nm

CMP Ra≤0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Ninguno

Longitud acumulada ≤10 mm, longitud única ≤2 mm

Grietas por luz de alta intensidad

六方空洞（强光灯观测）*

Área acumulada ≤1%

Área acumulada ≤5%

Placas hexagonales con luz de alta intensidad

多型(强光灯观测)*

Ninguno

Área acumulada ≤ 5%

Áreas de politipos por luz de alta intensidad

划痕(强光灯观测)*&

3 rayones en 1×diámetro de la oblea

5 rayones en 1×diámetro de oblea

Arañazos por luz de alta intensidad

longitud acumulada

longitud acumulada

崩边# Chip de borde

Ninguno

Se permiten 5, ≤1 mm cada uno

表面污染物（强光灯观测）

Ninguno

Contaminación por luz de alta intensidad