Sustratos compuestos de SiC tipo N de 6 pulgadas de diámetro, sustrato monocristalino de alta calidad y de baja calidad.
Tabla de parámetros comunes de los sustratos compuestos de SiC tipo N
| 项目Elementos | 指标Especificación | 项目Elementos | 指标Especificación |
| 直径Diámetro | 150 ± 0,2 mm | 正 面 ( 硅 面 ) 粗 糙 度 Rugosidad frontal (cara de Si) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
| 晶型Politipo | 4H | Desportilladuras, arañazos y grietas en los bordes (inspección visual) | Ninguno |
| 电阻率Resistividad | 0,015-0,025 ohmios ·cm | 总厚度变化Televisión por cable | ≤3μm |
| Espesor de la capa de transferencia | ≥0,4 μm | 翘曲度Urdimbre | ≤35μm |
| 空洞Vacío | ≤5 unidades/oblea (2 mm > diámetro > 0,5 mm) | 总厚度Espesor | 350 ± 25 μm |
La designación "tipo N" se refiere al tipo de dopaje utilizado en materiales de SiC. En física de semiconductores, el dopaje implica la introducción intencionada de impurezas en un semiconductor para alterar sus propiedades eléctricas. El dopaje tipo N introduce elementos que proporcionan un exceso de electrones libres, lo que confiere al material una concentración negativa de portadores de carga.
Las ventajas de los sustratos compuestos de SiC tipo N incluyen:
1. Rendimiento a alta temperatura: el SiC tiene una alta conductividad térmica y puede funcionar a altas temperaturas, lo que lo hace adecuado para aplicaciones electrónicas de alta potencia y alta frecuencia.
2. Alto voltaje de ruptura: los materiales de SiC tienen un alto voltaje de ruptura, lo que les permite soportar campos eléctricos elevados sin sufrir rupturas eléctricas.
3. Resistencia química y ambiental: el SiC es químicamente resistente y puede soportar condiciones ambientales adversas, lo que lo hace adecuado para su uso en aplicaciones desafiantes.
4. Menor pérdida de energía: en comparación con los materiales tradicionales basados en silicio, los sustratos de SiC permiten una conversión de energía más eficiente y reducen la pérdida de energía en los dispositivos electrónicos.
5. Banda prohibida amplia: el SiC tiene una banda prohibida amplia, lo que permite el desarrollo de dispositivos electrónicos que pueden operar a temperaturas más altas y densidades de potencia más altas.
En general, los sustratos compuestos de SiC tipo N ofrecen ventajas significativas para el desarrollo de dispositivos electrónicos de alto rendimiento, especialmente en aplicaciones donde el funcionamiento a alta temperatura, la alta densidad de potencia y la conversión de energía eficiente son fundamentales.