Oblea de InSb de 2 y 3 pulgadas, sin dopar, tipo N, tipo P, orientación 111 100 para detectores infrarrojos

Descripción breve:

Las obleas de antimonuro de indio (InSb) son materiales clave en las tecnologías de detección infrarroja debido a su banda prohibida estrecha y alta movilidad electrónica. Disponibles en diámetros de 2 y 3 pulgadas, estas obleas se ofrecen en versiones sin dopar, de tipo N y de tipo P. Se fabrican con orientaciones (100) y (111), lo que proporciona flexibilidad para diversas aplicaciones de detección infrarroja y semiconductores. La alta sensibilidad y el bajo ruido de las obleas de InSb las hacen ideales para su uso en detectores infrarrojos de onda media (MWIR), sistemas de imagen infrarroja y otras aplicaciones optoelectrónicas que requieren precisión y alto rendimiento.

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Características

Opciones de dopaje:
1.Sin dopar:Estas obleas están libres de cualquier agente dopante y se utilizan principalmente para aplicaciones especializadas como el crecimiento epitaxial, donde la oblea actúa como un sustrato puro.
2. Tipo N (dopado con Te):El dopaje con telurio (Te) se utiliza para crear obleas de tipo N, que ofrecen una alta movilidad de electrones y las hacen adecuadas para detectores infrarrojos, electrónica de alta velocidad y otras aplicaciones que requieren un flujo de electrones eficiente.
3. Tipo P (dopado con Ge):El dopaje con germanio (Ge) se utiliza para crear obleas de tipo P, lo que proporciona una alta movilidad de huecos y ofrece un excelente rendimiento para sensores infrarrojos y fotodetectores.

Opciones de tamaño:
1. Las obleas están disponibles en diámetros de 2 y 3 pulgadas. Esto garantiza la compatibilidad con diversos procesos y dispositivos de fabricación de semiconductores.
2. La oblea de 2 pulgadas tiene un diámetro de 50,8 ± 0,3 mm, mientras que la oblea de 3 pulgadas tiene un diámetro de 76,2 ± 0,3 mm.

Orientación:
1. Las obleas están disponibles con orientaciones 100 y 111. La orientación 100 es ideal para electrónica de alta velocidad y detectores infrarrojos, mientras que la orientación 111 se utiliza con frecuencia para dispositivos que requieren propiedades eléctricas u ópticas específicas.

Calidad de la superficie:
1. Estas obleas vienen con superficies pulidas/grabadas para una excelente calidad, lo que permite un rendimiento óptimo en aplicaciones que requieren características ópticas o eléctricas precisas.
2. La preparación de la superficie garantiza una baja densidad de defectos, lo que hace que estas obleas sean ideales para aplicaciones de detección infrarroja donde la consistencia del rendimiento es crítica.

Preparado para la epidemiología:
1. Estas obleas están preparadas para la epitaxia, lo que las hace adecuadas para aplicaciones que implican crecimiento epitaxial, donde se depositarán capas adicionales de material sobre la oblea para la fabricación de dispositivos semiconductores u optoelectrónicos avanzados.

Aplicaciones

1. Detectores infrarrojos:Las obleas de InSb se utilizan ampliamente en la fabricación de detectores infrarrojos, particularmente en el rango infrarrojo de onda media (MWIR). Son esenciales para sistemas de visión nocturna, imágenes térmicas y aplicaciones militares.
2. Sistemas de imágenes infrarrojas:La alta sensibilidad de las obleas de InSb permite la obtención de imágenes infrarrojas precisas en diversos sectores, incluidos la seguridad, la vigilancia y la investigación científica.
3. Electrónica de alta velocidad:Debido a su alta movilidad electrónica, estas obleas se utilizan en dispositivos electrónicos avanzados como transistores de alta velocidad y dispositivos optoelectrónicos.
4. Dispositivos de pozo cuántico:Las obleas de InSb son ideales para aplicaciones de pozos cuánticos en láseres, detectores y otros sistemas optoelectrónicos.

Parámetros del producto

Parámetro	2 pulgadas	3 pulgadas
Diámetro	50,8 ± 0,3 mm	76,2 ± 0,3 mm
Espesor	500±5μm	650±5μm
Superficie	Pulido/Grabado	Pulido/Grabado
Tipo de dopaje	Sin dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P)	Sin dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P)
Orientación	100, 111	100, 111
Paquete	Soltero	Soltero
Preparado para la epidural	Sí	Sí

Parámetros eléctricos para Te dopado (tipo N):

Movilidad: 2000-5000 cm²/V·s
Resistividad: (1-1000) Ω·cm
EPD (Densidad de Defectos): ≤2000 defectos/cm²

Parámetros eléctricos para Ge dopado (tipo P):

Movilidad: 4000-8000 cm²/V·s
Resistividad: (0,5-5) Ω·cm

EPD (Densidad de Defectos): ≤2000 defectos/cm²

Preguntas y respuestas (Preguntas frecuentes)

P1: ¿Cuál es el tipo de dopaje ideal para aplicaciones de detección infrarroja?

A1:Te dopado (tipo N)Las obleas suelen ser la opción ideal para aplicaciones de detección infrarroja, ya que ofrecen una alta movilidad electrónica y un excelente rendimiento en detectores y sistemas de imagen de infrarrojo de longitud de onda media (MWIR).

P2: ¿Puedo utilizar estas obleas para aplicaciones electrónicas de alta velocidad?

A2: Sí, obleas de InSb, particularmente aquellas condopaje de tipo Ny el100 orientación, son muy adecuados para la electrónica de alta velocidad, como transistores, dispositivos de pozos cuánticos y componentes optoelectrónicos, debido a su alta movilidad electrónica.

P3: ¿Cuáles son las diferencias entre las orientaciones 100 y 111 para las obleas de InSb?

A3: El100La orientación se utiliza comúnmente para dispositivos que requieren un rendimiento electrónico de alta velocidad, mientras que la111La orientación se utiliza a menudo para aplicaciones específicas que requieren diferentes características eléctricas u ópticas, incluyendo ciertos dispositivos optoelectrónicos y sensores.

P4: ¿Cuál es la importancia de la característica Epi-Ready para las obleas de InSb?

A4: ElPreparado para la epiduralEsta característica indica que la oblea ha sido pretratada para procesos de deposición epitaxial. Esto es fundamental para aplicaciones que requieren el crecimiento de capas adicionales de material sobre la oblea, como en la producción de dispositivos semiconductores u optoelectrónicos avanzados.

P5: ¿Cuáles son las aplicaciones típicas de las obleas de InSb en el campo de la tecnología infrarroja?

A5: Las obleas de InSb se utilizan principalmente en detección infrarroja, imágenes térmicas, sistemas de visión nocturna y otras tecnologías de detección infrarroja. Su alta sensibilidad y bajo ruido las hacen ideales parainfrarrojo de longitud de onda media (MWIR)detectores.

P6: ¿Cómo afecta el grosor de la oblea a su rendimiento?

A6: El grosor de la oblea desempeña un papel fundamental en su estabilidad mecánica y características eléctricas. Las obleas más delgadas se suelen utilizar en aplicaciones más sensibles donde se requiere un control preciso de las propiedades del material, mientras que las obleas más gruesas ofrecen una mayor durabilidad para ciertas aplicaciones industriales.

P7: ¿Cómo elijo el tamaño de oblea adecuado para mi aplicación?

A7: El tamaño adecuado de la oblea depende del dispositivo o sistema específico que se esté diseñando. Las obleas más pequeñas (de 2 pulgadas) se suelen utilizar para investigación y aplicaciones a pequeña escala, mientras que las obleas más grandes (de 3 pulgadas) se utilizan normalmente para la producción en masa y dispositivos de mayor tamaño que requieren más material.

Conclusión

obleas de InSb en2 pulgadasy3 pulgadastamaños, consin dopar, Tipo N, yTipo PLas variaciones son muy valiosas en aplicaciones de semiconductores y optoelectrónicas, particularmente en sistemas de detección infrarroja.100y111Las orientaciones ofrecen flexibilidad para diversas necesidades tecnológicas, desde electrónica de alta velocidad hasta sistemas de imágenes infrarrojas. Gracias a su excepcional movilidad electrónica, bajo ruido y calidad superficial precisa, estas obleas son ideales paradetectores infrarrojos de longitud de onda mediay otras aplicaciones de alto rendimiento.