Oblea de InSb de 2 y 3 pulgadas sin dopar, tipo N, tipo P, orientación 111-100 para detectores infrarrojos

Descripción breve:

Las obleas de antimoniuro de indio (InSb) son materiales clave en las tecnologías de detección infrarroja gracias a su estrecha banda prohibida y su alta movilidad electrónica. Disponibles en diámetros de 2 y 3 pulgadas, estas obleas se ofrecen en versiones sin dopar, tipo N y tipo P. Se fabrican con orientaciones de 100 y 111, lo que proporciona flexibilidad para diversas aplicaciones de detección infrarroja y semiconductores. La alta sensibilidad y el bajo nivel de ruido de las obleas de InSb las hacen ideales para detectores infrarrojos de longitud de onda media (MWIR), sistemas de imágenes infrarrojas y otras aplicaciones optoelectrónicas que requieren precisión y alto rendimiento.

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Características

Opciones de dopaje:
1.Sin dopar:Estas obleas están libres de cualquier agente dopante y se utilizan principalmente para aplicaciones especializadas como el crecimiento epitaxial, donde la oblea actúa como un sustrato puro.
2.Tipo N (dopado con Te):El dopaje con telurio (Te) se utiliza para crear obleas de tipo N, que ofrecen una alta movilidad de electrones y las hacen adecuadas para detectores infrarrojos, electrónica de alta velocidad y otras aplicaciones que requieren un flujo de electrones eficiente.
3. Tipo P (dopado con Ge):El dopaje con germanio (Ge) se utiliza para crear obleas de tipo P, lo que proporciona una alta movilidad de agujeros y ofrece un excelente rendimiento para sensores infrarrojos y fotodetectores.

Opciones de tamaño:
Las obleas están disponibles en diámetros de 2 y 3 pulgadas. Esto garantiza su compatibilidad con diversos procesos y dispositivos de fabricación de semiconductores.
2. La oblea de 2 pulgadas tiene un diámetro de 50,8 ± 0,3 mm, mientras que la oblea de 3 pulgadas tiene un diámetro de 76,2 ± 0,3 mm.

Orientación:
1. Las obleas están disponibles con orientaciones de 100 y 111. La orientación 100 es ideal para electrónica de alta velocidad y detectores infrarrojos, mientras que la orientación 111 se utiliza con frecuencia para dispositivos que requieren propiedades eléctricas u ópticas específicas.

Calidad de la superficie:
1. Estas obleas vienen con superficies pulidas/grabadas para una excelente calidad, lo que permite un rendimiento óptimo en aplicaciones que requieren características ópticas o eléctricas precisas.
2. La preparación de la superficie garantiza una baja densidad de defectos, lo que hace que estas obleas sean ideales para aplicaciones de detección infrarroja donde la consistencia del rendimiento es fundamental.

Listo para Epi:
1. Estas obleas están preparadas para epitaxial, lo que las hace adecuadas para aplicaciones que implican crecimiento epitaxial donde se depositarán capas adicionales de material sobre la oblea para la fabricación avanzada de dispositivos semiconductores o optoelectrónicos.

Aplicaciones

1. Detectores infrarrojos:Las obleas de InSb se utilizan ampliamente en la fabricación de detectores infrarrojos, especialmente en el rango infrarrojo de longitud de onda media (MWIR). Son esenciales para sistemas de visión nocturna, imágenes térmicas y aplicaciones militares.
2.Sistemas de imágenes infrarrojas:La alta sensibilidad de las obleas de InSb permite obtener imágenes infrarrojas precisas en diversos sectores, incluidos la seguridad, la vigilancia y la investigación científica.
3. Electrónica de alta velocidad:Debido a su alta movilidad de electrones, estas obleas se utilizan en dispositivos electrónicos avanzados como transistores de alta velocidad y dispositivos optoelectrónicos.
4. Dispositivos de pozo cuántico:Las obleas de InSb son ideales para aplicaciones de pozos cuánticos en láseres, detectores y otros sistemas optoelectrónicos.

Parámetros del producto

Parámetro	2 pulgadas	3 pulgadas
Diámetro	50,8 ± 0,3 mm	76,2 ± 0,3 mm
Espesor	500 ± 5 μm	650 ± 5 μm
Superficie	Pulido/Grabado	Pulido/Grabado
Tipo de dopaje	Sin dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P)	Sin dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P)
Orientación	100, 111	100, 111
Paquete	Soltero	Soltero
Listo para la epidemia	Sí	Sí

Parámetros eléctricos del material dopado con Te (tipo N):

Movilidad: 2000-5000 cm²/V·s
Resistividad:(1-1000) Ω·cm
EPD (Densidad de defectos): ≤2000 defectos/cm²

Parámetros eléctricos para material dopado con Ge (tipo P):

Movilidad: 4000-8000 cm²/V·s
Resistividad:(0,5-5) Ω·cm

EPD (Densidad de defectos): ≤2000 defectos/cm²

Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuál es el tipo de dopaje ideal para aplicaciones de detección infrarroja?

A1:Dopado con Te (tipo N)Las obleas suelen ser la opción ideal para aplicaciones de detección infrarroja, ya que ofrecen una alta movilidad de electrones y un excelente rendimiento en detectores infrarrojos de longitud de onda media (MWIR) y sistemas de imágenes.

P2: ¿Puedo utilizar estas obleas para aplicaciones electrónicas de alta velocidad?

A2: Sí, las obleas de InSb, particularmente aquellas conDopaje de tipo Ny elOrientación 100Son muy adecuados para la electrónica de alta velocidad, como transistores, dispositivos de pozo cuántico y componentes optoelectrónicos, debido a su alta movilidad de electrones.

P3: ¿Cuáles son las diferencias entre las orientaciones 100 y 111 para las obleas de InSb?

A3: El100La orientación se utiliza comúnmente para dispositivos que requieren un rendimiento electrónico de alta velocidad, mientras que la111La orientación se utiliza a menudo para aplicaciones específicas que requieren características eléctricas u ópticas diferentes, incluidos ciertos dispositivos y sensores optoelectrónicos.

P4: ¿Cuál es la importancia de la función Epi-Ready para las obleas InSb?

A4: ElListo para la epidemiaEsta característica significa que la oblea ha sido pretratada para procesos de deposición epitaxial. Esto es crucial para aplicaciones que requieren el crecimiento de capas adicionales de material sobre la oblea, como en la producción de semiconductores avanzados u dispositivos optoelectrónicos.

P5: ¿Cuáles son las aplicaciones típicas de las obleas de InSb en el campo de la tecnología infrarroja?

A5: Las obleas de InSb se utilizan principalmente en detección infrarroja, termografía, sistemas de visión nocturna y otras tecnologías de detección infrarroja. Su alta sensibilidad y bajo nivel de ruido las hacen ideales parainfrarrojo de longitud de onda media (MWIR)detectores.

P6: ¿Cómo afecta el grosor de la oblea a su rendimiento?

A6: El grosor de la oblea es fundamental para su estabilidad mecánica y sus características eléctricas. Las obleas más delgadas se suelen utilizar en aplicaciones más sensibles donde se requiere un control preciso de las propiedades del material, mientras que las obleas más gruesas ofrecen mayor durabilidad para ciertas aplicaciones industriales.

P7: ¿Cómo elijo el tamaño de oblea adecuado para mi aplicación?

A7: El tamaño adecuado de la oblea depende del dispositivo o sistema específico que se esté diseñando. Las obleas más pequeñas (de 2 pulgadas) se suelen utilizar para investigación y aplicaciones a pequeña escala, mientras que las obleas más grandes (de 3 pulgadas) se suelen usar para la producción en masa y dispositivos de mayor tamaño que requieren más material.

Conclusión

Obleas de InSb en2 pulgadasy3 pulgadastamaños, consin dopar, Tipo N, yTipo PLas variaciones son muy valiosas en aplicaciones de semiconductores y optoelectrónicas, particularmente en sistemas de detección infrarroja.100y111Las orientaciones ofrecen flexibilidad para diversas necesidades tecnológicas, desde electrónica de alta velocidad hasta sistemas de imágenes infrarrojas. Con su excepcional movilidad electrónica, bajo nivel de ruido y precisión superficial, estas obleas son ideales paradetectores infrarrojos de longitud de onda mediay otras aplicaciones de alto rendimiento.