Los fotodetectores de matriz PD con sustrato de oblea epitaxial InGaAs se pueden utilizar para LiDAR
Las características principales de la lámina epitaxial del láser InGaAs incluyen:
1. Coincidencia de red: se puede lograr una buena coincidencia de red entre la capa epitaxial de InGaAs y el sustrato de InP o GaAs, lo que reduce la densidad de defectos de la capa epitaxial y mejora el rendimiento del dispositivo.
2. Banda prohibida ajustable: La banda prohibida del material InGaAs se puede lograr ajustando la proporción de los componentes In y Ga, lo que hace que la lámina epitaxial InGaAs tenga una amplia gama de perspectivas de aplicación en dispositivos optoelectrónicos.
3. Alta fotosensibilidad: La película epitaxial InGaAs tiene una alta sensibilidad a la luz, lo que la convierte en una película única en el campo de la detección fotoeléctrica, la comunicación óptica y otras ventajas.
4. Estabilidad a altas temperaturas: la estructura epitaxial InGaAs/InP tiene una excelente estabilidad a altas temperaturas y puede mantener un rendimiento estable del dispositivo a altas temperaturas.
Las principales aplicaciones de las tabletas epitaxiales láser InGaAs incluyen:
1. Dispositivos optoelectrónicos: Las tabletas epitaxiales de InGaAs se pueden utilizar para fabricar fotodiodos, fotodetectores y otros dispositivos optoelectrónicos, que tienen una amplia gama de aplicaciones en comunicación óptica, visión nocturna y otros campos.
2. Láseres: Las láminas epitaxiales de InGaAs también se pueden utilizar para fabricar láseres, especialmente láseres de longitud de onda larga, que desempeñan un papel importante en las comunicaciones de fibra óptica, el procesamiento industrial y otros campos.
3. Células solares: el material InGaAs tiene un amplio rango de ajuste de banda prohibida, que puede cumplir con los requisitos de banda prohibida requeridos por las células fotovoltaicas térmicas, por lo que la lámina epitaxial de InGaAs también tiene cierto potencial de aplicación en el campo de las células solares.
4. Imágenes médicas: En equipos de imágenes médicas (como TC, RM, etc.), para detección y obtención de imágenes.
5. Red de sensores: en el monitoreo ambiental y la detección de gases, se pueden monitorear múltiples parámetros simultáneamente.
6. Automatización industrial: se utiliza en sistemas de visión artificial para supervisar el estado y la calidad de los objetos en la línea de producción.
En el futuro, las propiedades del sustrato epitaxial de InGaAs seguirán mejorando, incluyendo la mejora de la eficiencia de conversión fotoeléctrica y la reducción de los niveles de ruido. Esto hará que el sustrato epitaxial de InGaAs se utilice más ampliamente en dispositivos optoelectrónicos, con un rendimiento superior. Al mismo tiempo, el proceso de preparación se optimizará continuamente para reducir costos y mejorar la eficiencia, a fin de satisfacer las necesidades del mercado en general.
En general, el sustrato epitaxial InGaAs ocupa una posición importante en el campo de los materiales semiconductores con sus características únicas y amplias perspectivas de aplicación.
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