Las matrices de fotodetectores PD Array de sustrato de oblea epitaxial de InGaAs se pueden utilizar para LiDAR

Las matrices de fotodetectores PD Array con sustrato de oblea epitaxial de InGaAs se pueden utilizar para LiDAR Imagen destacada

Breve descripción:

La película epitaxial de InGaAs se refiere a un material de película delgada de cristal único de indio, galio y arsénico (InGaAs) formado mediante tecnología de crecimiento epitaxial sobre un sustrato específico. Los sustratos epitaxiales comunes de InGaAs son el fosfuro de indio (InP) y el arseniuro de galio (GaAs). Estos materiales de sustrato tienen buena calidad cristalina y estabilidad térmica, lo que puede proporcionar un sustrato excelente para el crecimiento de capas epitaxiales de InGaAs.
El PD Array (Photodetector Array) es un conjunto de múltiples fotodetectores capaces de detectar múltiples señales ópticas simultáneamente. La lámina epitaxial cultivada a partir de MOCVD se utiliza principalmente en diodos de fotodetección, la capa de absorción está compuesta de U-InGaAs, el dopaje de fondo es <5E14 y el cliente o Epihouse pueden completar el Zn difundido. Los comprimidos epitaxiales se analizaron mediante mediciones de PL, XRD y ECV.

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Las características clave de la lámina epitaxial láser InGaAs incluyen

1. Coincidencia de red: se puede lograr una buena coincidencia de red entre la capa epitaxial de InGaAs y el sustrato de InP o GaAs, reduciendo así la densidad de defectos de la capa epitaxial y mejorando el rendimiento del dispositivo.
2. Banda prohibida ajustable: La banda prohibida del material de InGaAs se puede lograr ajustando la proporción de los componentes In y Ga, lo que hace que la lámina epitaxial de InGaAs tenga una amplia gama de perspectivas de aplicación en dispositivos optoelectrónicos.
3. Alta fotosensibilidad: la película epitaxial de InGaAs tiene una alta sensibilidad a la luz, lo que la sitúa en el campo de la detección fotoeléctrica, la comunicación óptica y otras ventajas únicas.
4. Estabilidad a altas temperaturas: la estructura epitaxial de InGaAs/InP tiene una excelente estabilidad a altas temperaturas y puede mantener un rendimiento estable del dispositivo a altas temperaturas.

Las principales aplicaciones de las tabletas epitaxiales con láser de InGaAs incluyen

1. Dispositivos optoelectrónicos: las tabletas epitaxiales de InGaAs se pueden utilizar para fabricar fotodiodos, fotodetectores y otros dispositivos optoelectrónicos, que tienen una amplia gama de aplicaciones en comunicación óptica, visión nocturna y otros campos.

2. Láseres: Las láminas epitaxiales de InGaAs también se pueden utilizar para fabricar láseres, especialmente láseres de longitud de onda larga, que desempeñan un papel importante en las comunicaciones por fibra óptica, el procesamiento industrial y otros campos.

3. Células solares: el material de InGaAs tiene un amplio rango de ajuste de banda prohibida, que puede cumplir con los requisitos de banda prohibida requeridos por las células fotovoltaicas térmicas, por lo que la lámina epitaxial de InGaAs también tiene cierto potencial de aplicación en el campo de las células solares.

4. Imágenes médicas: En equipos de imágenes médicas (como CT, MRI, etc.), para detección e imágenes.

5. Red de sensores: en el monitoreo ambiental y la detección de gases, se pueden monitorear múltiples parámetros simultáneamente.

6. Automatización industrial: utilizada en sistemas de visión artificial para monitorear el estado y la calidad de los objetos en la línea de producción.

En el futuro, las propiedades del material del sustrato epitaxial de InGaAs seguirán mejorando, incluida la mejora de la eficiencia de conversión fotoeléctrica y la reducción de los niveles de ruido. Esto hará que el sustrato epitaxial de InGaAs se utilice más ampliamente en dispositivos optoelectrónicos y el rendimiento sea más excelente. Al mismo tiempo, el proceso de preparación también se optimizará continuamente para reducir costos y mejorar la eficiencia, a fin de satisfacer las necesidades del mercado en general.

En general, el sustrato epitaxial de InGaAs ocupa una posición importante en el campo de los materiales semiconductores con sus características únicas y amplias perspectivas de aplicación.

XKH ofrece personalizaciones de láminas epitaxiales de InGaAs con diferentes estructuras y espesores, cubriendo una amplia gama de aplicaciones para dispositivos optoelectrónicos, láseres y células solares. Los productos de XKH se fabrican con equipos MOCVD avanzados para garantizar un alto rendimiento y confiabilidad. En términos de logística, XKH cuenta con una amplia gama de canales de origen internacionales, que pueden manejar de manera flexible la cantidad de pedidos y brindar servicios de valor agregado como refinamiento y segmentación. Los procesos de entrega eficientes garantizan la entrega a tiempo y cumplen con los requisitos del cliente en cuanto a calidad y tiempos de entrega.