Obleas de antimonuro de indio (InSb) Tipo N Tipo P Epi listo sin dopar Dopado con Te o dopado con Ge 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas de espesor Obleas de antimonuro de indio (InSb)
Características
Opciones de dopaje:
1.Sin dopar:Estas obleas están libres de cualquier agente dopante, lo que las hace ideales para aplicaciones especializadas como el crecimiento epitaxial.
2.Te dopado (tipo N):El dopaje con telurio (Te) se utiliza comúnmente para crear obleas de tipo N, que son ideales para aplicaciones como detectores infrarrojos y electrónica de alta velocidad.
3.Ge dopado (tipo P):El dopaje con germanio (Ge) se utiliza para crear obleas de tipo P, que ofrecen una alta movilidad de huecos para aplicaciones de semiconductores avanzadas.
Opciones de tamaño:
Disponibles en diámetros de 2, 3 y 4 pulgadas. Estas obleas satisfacen diversas necesidades tecnológicas, desde investigación y desarrollo hasta fabricación a gran escala.
2. Las tolerancias de diámetro precisas garantizan la consistencia en todos los lotes, con diámetros de 50,8 ± 0,3 mm (para obleas de 2 pulgadas) y 76,2 ± 0,3 mm (para obleas de 3 pulgadas).
Control de espesor:
1. Las obleas están disponibles con un espesor de 500 ± 5 μm para un rendimiento óptimo en diversas aplicaciones.
2. Las mediciones adicionales como TTV (variación de espesor total), BOW y urdimbre se controlan cuidadosamente para garantizar una alta uniformidad y calidad.
Calidad de la superficie:
1. Las obleas vienen con una superficie pulida/grabada para un mejor rendimiento óptico y eléctrico.
2.Estas superficies son ideales para el crecimiento epitaxial, ofreciendo una base suave para el procesamiento posterior en dispositivos de alto rendimiento.
Listo para Epi:
Las obleas de InSb están preparadas para la deposición epitaxial, lo que significa que están pretratadas para procesos de deposición epitaxial. Esto las hace ideales para aplicaciones en la fabricación de semiconductores donde es necesario desarrollar capas epitaxiales sobre la oblea.
Aplicaciones
1. Detectores infrarrojos:Las obleas de InSb se utilizan comúnmente en la detección infrarroja (IR), especialmente en el rango infrarrojo de longitud de onda media (MWIR). Estas obleas son esenciales para aplicaciones de visión nocturna, termografía y espectroscopia infrarroja.
2. Electrónica de alta velocidad:Debido a su alta movilidad de electrones, las obleas de InSb se utilizan en dispositivos electrónicos de alta velocidad, como transistores de alta frecuencia, dispositivos de pozo cuántico y transistores de alta movilidad de electrones (HEMT).
3. Dispositivos de pozo cuántico:La estrecha banda prohibida y la excelente movilidad electrónica hacen que las obleas de InSb sean idóneas para su uso en dispositivos de pozos cuánticos. Estos dispositivos son componentes clave en láseres, detectores y otros sistemas optoelectrónicos.
4. Dispositivos espintrónicos:El InSb también se está explorando en aplicaciones espintrónicas, donde el espín del electrón se utiliza para el procesamiento de información. El bajo acoplamiento espín-órbita del material lo hace ideal para estos dispositivos de alto rendimiento.
5. Aplicaciones de la radiación de terahercios (THz):Los dispositivos basados en InSb se utilizan en aplicaciones de radiación de THz, como la investigación científica, la obtención de imágenes y la caracterización de materiales. Facilitan tecnologías avanzadas como la espectroscopia de THz y los sistemas de imágenes de THz.
6.Dispositivos termoeléctricos:Las propiedades únicas del InSb lo convierten en un material atractivo para aplicaciones termoeléctricas, donde puede usarse para convertir el calor en electricidad de manera eficiente, especialmente en aplicaciones específicas como la tecnología espacial o la generación de energía en entornos extremos.
Parámetros del producto
| Parámetro | 2 pulgadas | 3 pulgadas | 4 pulgadas |
| Diámetro | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm | - |
| Espesor | 500 ± 5 μm | 650 ± 5 μm | - |
| Superficie | Pulido/Grabado | Pulido/Grabado | Pulido/Grabado |
| Tipo de dopaje | Sin dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P) | Sin dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P) | Sin dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P) |
| Orientación | (100) | (100) | (100) |
| Paquete | Soltero | Soltero | Soltero |
| Listo para la epidemia | Sí | Sí | Sí |
Parámetros eléctricos para Te dopado (Tipo N):
- Movilidad: 2000-5000 cm²/V·s
- Resistividad:(1-1000) Ω·cm
- EPD (Densidad de defectos): ≤2000 defectos/cm²
Parámetros eléctricos para material dopado con Ge (tipo P):
- Movilidad: 4000-8000 cm²/V·s
- Resistividad:(0,5-5) Ω·cm
- EPD (Densidad de defectos): ≤2000 defectos/cm²
Conclusión
Las obleas de antimoniuro de indio (InSb) son un material esencial para una amplia gama de aplicaciones de alto rendimiento en los campos de la electrónica, la optoelectrónica y las tecnologías infrarrojas. Gracias a su excelente movilidad electrónica, bajo acoplamiento espín-órbita y diversas opciones de dopaje (Te para tipo N, Ge para tipo P), las obleas de InSb son ideales para su uso en dispositivos como detectores infrarrojos, transistores de alta velocidad, dispositivos de pozo cuántico y dispositivos espintrónicos.
Las obleas están disponibles en varios tamaños (2, 3 y 4 pulgadas), con un control preciso de espesor y superficies Epi-Ready, lo que garantiza que cumplen con las rigurosas exigencias de la fabricación moderna de semiconductores. Estas obleas son perfectas para aplicaciones en campos como la detección de infrarrojos, la electrónica de alta velocidad y la radiación de THz, lo que facilita el desarrollo de tecnologías avanzadas en investigación, industria y defensa.
Diagrama detallado
