obleas de antimoniuro de indio (InSb) tipo N tipo P preparadas para epitaxia sin dopar dopadas con Te o dopadas con Ge espesores de 2 pulgadas, 3 pulgadas y 4 pulgadas
Características
Opciones de dopaje:
1.Sin dopar:Estas obleas están libres de cualquier agente dopante, lo que las hace ideales para aplicaciones especializadas como el crecimiento epitaxial.
2.Te dopado (tipo N):El dopaje con telurio (Te) se utiliza comúnmente para crear obleas de tipo N, que son ideales para aplicaciones como detectores infrarrojos y electrónica de alta velocidad.
3. Ge dopado (tipo P):El dopaje con germanio (Ge) se utiliza para crear obleas de tipo P, que ofrecen una alta movilidad de huecos para aplicaciones de semiconductores avanzadas.
Opciones de tamaño:
1. Disponibles en diámetros de 2, 3 y 4 pulgadas. Estas obleas satisfacen diferentes necesidades tecnológicas, desde la investigación y el desarrollo hasta la fabricación a gran escala.
2. Las tolerancias de diámetro precisas garantizan la consistencia entre lotes, con diámetros de 50,8 ± 0,3 mm (para obleas de 2 pulgadas) y 76,2 ± 0,3 mm (para obleas de 3 pulgadas).
Control de espesor:
1. Las obleas están disponibles con un espesor de 500±5μm para un rendimiento óptimo en diversas aplicaciones.
2. Se controlan cuidadosamente medidas adicionales como TTV (Variación Total del Espesor), BOW y Warp para garantizar una alta uniformidad y calidad.
Calidad de la superficie:
1. Las obleas vienen con una superficie pulida/grabada para mejorar el rendimiento óptico y eléctrico.
2. Estas superficies son ideales para el crecimiento epitaxial, ya que ofrecen una base lisa para su posterior procesamiento en dispositivos de alto rendimiento.
Preparado para la epidemiología:
1. Las obleas de InSb están preparadas para la epitaxia, lo que significa que han sido pretratadas para los procesos de deposición epitaxial. Esto las hace ideales para aplicaciones en la fabricación de semiconductores donde se requiere el crecimiento de capas epitaxiales sobre la oblea.
Aplicaciones
1. Detectores infrarrojos:Las obleas de InSb se utilizan comúnmente en la detección infrarroja (IR), particularmente en el rango infrarrojo de onda media (MWIR). Estas obleas son esenciales para aplicaciones de visión nocturna, imágenes térmicas y espectroscopia infrarroja.
2. Electrónica de alta velocidad:Debido a su alta movilidad electrónica, las obleas de InSb se utilizan en dispositivos electrónicos de alta velocidad, como transistores de alta frecuencia, dispositivos de pozos cuánticos y transistores de alta movilidad electrónica (HEMT).
3. Dispositivos de pozo cuántico:La estrecha banda prohibida y la excelente movilidad electrónica de las obleas de InSb las hacen idóneas para su uso en dispositivos de pozos cuánticos. Estos dispositivos son componentes clave en láseres, detectores y otros sistemas optoelectrónicos.
4. Dispositivos espintrónicos:El InSb también se está investigando para aplicaciones espintrónicas, donde el espín del electrón se utiliza para el procesamiento de información. El bajo acoplamiento espín-órbita del material lo hace ideal para estos dispositivos de alto rendimiento.
5. Aplicaciones de la radiación de terahercios (THz):Los dispositivos basados en InSb se utilizan en aplicaciones de radiación THz, incluyendo investigación científica, imagen y caracterización de materiales. Permiten el desarrollo de tecnologías avanzadas como la espectroscopia THz y los sistemas de imagen THz.
6. Dispositivos termoeléctricos:Las propiedades únicas del InSb lo convierten en un material atractivo para aplicaciones termoeléctricas, donde puede utilizarse para convertir el calor en electricidad de manera eficiente, especialmente en aplicaciones específicas como la tecnología espacial o la generación de energía en entornos extremos.
Parámetros del producto
| Parámetro | 2 pulgadas | 3 pulgadas | 4 pulgadas |
| Diámetro | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm | - |
| Espesor | 500±5μm | 650±5μm | - |
| Superficie | Pulido/Grabado | Pulido/Grabado | Pulido/Grabado |
| Tipo de dopaje | Sin dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P) | Sin dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P) | Sin dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P) |
| Orientación | (100) | (100) | (100) |
| Paquete | Soltero | Soltero | Soltero |
| Preparado para la epidural | Sí | Sí | Sí |
Parámetros eléctricos para Te dopado (tipo N):
- Movilidad: 2000-5000 cm²/V·s
- Resistividad: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Densidad de Defectos): ≤2000 defectos/cm²
Parámetros eléctricos para Ge dopado (tipo P):
- Movilidad: 4000-8000 cm²/V·s
- Resistividad: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (Densidad de Defectos): ≤2000 defectos/cm²
Conclusión
Las obleas de antimonuro de indio (InSb) son un material esencial para una amplia gama de aplicaciones de alto rendimiento en los campos de la electrónica, la optoelectrónica y las tecnologías infrarrojas. Gracias a su excelente movilidad electrónica, su bajo acoplamiento espín-órbita y la variedad de opciones de dopaje (Te para tipo N, Ge para tipo P), las obleas de InSb son ideales para su uso en dispositivos como detectores infrarrojos, transistores de alta velocidad, dispositivos de pozos cuánticos y dispositivos espintrónicos.
Las obleas están disponibles en varios tamaños (2, 3 y 4 pulgadas), con un control preciso del espesor y superficies preparadas para la epitaxia, lo que garantiza que cumplan con las exigentes demandas de la fabricación moderna de semiconductores. Estas obleas son ideales para aplicaciones en campos como la detección de infrarrojos, la electrónica de alta velocidad y la radiación de terahercios, lo que permite el desarrollo de tecnologías avanzadas en investigación, industria y defensa.
Diagrama detallado
