Oblea HPSI SiC diámetro: 3 pulgadas de espesor: 350um± 25 µm para electrónica de potencia

Oblea HPSI SiC de diámetro: 3 pulgadas de espesor: 350 um ± 25 µm para electrónica de potencia Imagen destacada

Breve descripción:

La oblea de SiC HPSI (carburo de silicio de alta pureza) con un diámetro de 3 pulgadas y un espesor de 350 µm ± 25 µm está diseñada específicamente para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren sustratos de alto rendimiento. Esta oblea de SiC ofrece una conductividad térmica superior, un alto voltaje de ruptura y eficiencia a altas temperaturas de funcionamiento, lo que la convierte en una opción ideal para la creciente demanda de dispositivos electrónicos de potencia robustos y de bajo consumo energético. Las obleas de SiC son particularmente adecuadas para aplicaciones de alto voltaje, alta corriente y alta frecuencia, donde los sustratos de silicio tradicionales no cumplen con las demandas operativas.
Nuestra oblea HPSI SiC, fabricada utilizando las últimas técnicas líderes en la industria, está disponible en varios grados, cada uno diseñado para cumplir con requisitos de fabricación específicos. La oblea exhibe una integridad estructural, propiedades eléctricas y calidad de superficie excepcionales, lo que garantiza que pueda ofrecer un rendimiento confiable en aplicaciones exigentes, incluidos semiconductores de potencia, vehículos eléctricos (EV), sistemas de energía renovable y conversión de energía industrial.

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Las obleas HPSI SiC se utilizan en una amplia gama de aplicaciones de electrónica de potencia, que incluyen:

Semiconductores de potencia:Las obleas de SiC se emplean habitualmente en la producción de diodos de potencia, transistores (MOSFET, IGBT) y tiristores. Estos semiconductores se utilizan ampliamente en aplicaciones de conversión de energía que requieren alta eficiencia y confiabilidad, como en motores industriales, fuentes de alimentación e inversores para sistemas de energía renovable.
Vehículos eléctricos (EV):En los sistemas de propulsión de vehículos eléctricos, los dispositivos de potencia basados en SiC proporcionan velocidades de conmutación más rápidas, mayor eficiencia energética y menores pérdidas térmicas. Los componentes de SiC son ideales para aplicaciones en sistemas de gestión de baterías (BMS), infraestructura de carga y cargadores a bordo (OBC), donde minimizar el peso y maximizar la eficiencia de conversión de energía es fundamental.

Sistemas de Energías Renovables:Las obleas de SiC se utilizan cada vez más en inversores solares, generadores de turbinas eólicas y sistemas de almacenamiento de energía, donde la alta eficiencia y la robustez son esenciales. Los componentes basados en SiC permiten una mayor densidad de potencia y un rendimiento mejorado en estas aplicaciones, mejorando la eficiencia general de conversión de energía.

Electrónica de potencia industrial:En aplicaciones industriales de alto rendimiento, como accionamientos de motores, robótica y fuentes de alimentación a gran escala, el uso de obleas de SiC permite mejorar el rendimiento en términos de eficiencia, confiabilidad y gestión térmica. Los dispositivos de SiC pueden soportar altas frecuencias de conmutación y altas temperaturas, lo que los hace adecuados para entornos exigentes.

Telecomunicaciones y Centros de Datos:El SiC se utiliza en fuentes de alimentación para equipos de telecomunicaciones y centros de datos, donde la alta confiabilidad y la conversión de energía eficiente son cruciales. Los dispositivos de energía basados en SiC permiten una mayor eficiencia en tamaños más pequeños, lo que se traduce en un menor consumo de energía y una mejor eficiencia de refrigeración en infraestructuras de gran escala.

El alto voltaje de ruptura, la baja resistencia y la excelente conductividad térmica de las obleas de SiC las convierten en el sustrato ideal para estas aplicaciones avanzadas, lo que permite el desarrollo de electrónica de potencia energéticamente eficiente de próxima generación.

Propiedades

Propiedad	Valor
Diámetro de la oblea	3 pulgadas (76,2 mm)
Grosor de la oblea	350 µm ± 25 µm
Orientación de la oblea	<0001> en el eje ± 0,5°
Densidad de microtubos (MPD)	≤ 1 cm⁻²
Resistividad eléctrica	≥ 1E7 Ω·cm
dopante	sin dopar
Orientación plana primaria	{11-20} ± 5,0°
Longitud plana primaria	32,5 mm ± 3,0 mm
Longitud plana secundaria	18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria	Si boca arriba: 90° CW desde el plano primario ± 5,0°
Exclusión de borde	3 milímetros
LTV/TTV/arco/deformación	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm
Rugosidad de la superficie	Cara C: Pulida, Cara Si: CMP
Grietas (inspeccionadas con luz de alta intensidad)	Ninguno
Placas hexagonales (inspeccionadas con luz de alta intensidad)	Ninguno
Áreas politipo (inspeccionadas con luz de alta intensidad)	Área acumulada 5%
Arañazos (inspeccionados con luz de alta intensidad)	≤ 5 rayones, longitud acumulada ≤ 150 mm
Descantillado de bordes	Ninguno permitido ≥ 0,5 mm de ancho y profundidad
Contaminación de la superficie (inspeccionada con luz de alta intensidad)	Ninguno

Beneficios clave

Alta conductividad térmica:Las obleas de SiC son conocidas por su excepcional capacidad para disipar el calor, lo que permite que los dispositivos de energía funcionen con mayor eficiencia y manejen corrientes más altas sin sobrecalentarse. Esta característica es crucial en la electrónica de potencia, donde la gestión del calor es un desafío importante.
Alto voltaje de ruptura:La amplia banda prohibida del SiC permite que los dispositivos toleren niveles de voltaje más altos, lo que los hace ideales para aplicaciones de alto voltaje como redes eléctricas, vehículos eléctricos y maquinaria industrial.
Alta eficiencia:La combinación de altas frecuencias de conmutación y baja resistencia da como resultado dispositivos con menor pérdida de energía, lo que mejora la eficiencia general de la conversión de energía y reduce la necesidad de sistemas de refrigeración complejos.
Confiabilidad en entornos hostiles:El SiC es capaz de funcionar a altas temperaturas (hasta 600 °C), lo que lo hace adecuado para su uso en entornos que de otro modo dañarían los dispositivos tradicionales basados en silicio.
Ahorro de energía:Los dispositivos de energía de SiC mejoran la eficiencia de la conversión de energía, lo cual es fundamental para reducir el consumo de energía, especialmente en sistemas grandes como convertidores de energía industriales, vehículos eléctricos e infraestructura de energía renovable.