Nitruro de galio (GaN) epitaxial cultivado en obleas de zafiro de 4 y 6 pulgadas para MEMS
Propiedades del GaN en obleas de zafiro
●Alta eficiencia:Los dispositivos basados en GaN proporcionan cinco veces más potencia que los dispositivos basados en silicio, lo que mejora el rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas, incluida la amplificación de RF y la optoelectrónica.
●Banda prohibida amplia:La amplia banda prohibida de GaN permite una alta eficiencia a temperaturas elevadas, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
●Durabilidad:La capacidad de GaN para soportar condiciones extremas (altas temperaturas y radiación) garantiza un rendimiento duradero en entornos hostiles.
●Tamaño pequeño:GaN permite la producción de dispositivos más compactos y ligeros en comparación con los materiales semiconductores tradicionales, lo que facilita una electrónica más pequeña y potente.
Abstracto
El nitruro de galio (GaN) se está consolidando como el semiconductor predilecto para aplicaciones avanzadas que requieren alta potencia y eficiencia, como módulos frontales de RF, sistemas de comunicación de alta velocidad e iluminación LED. Las obleas epitaxiales de GaN, al crecer sobre sustratos de zafiro, ofrecen una combinación de alta conductividad térmica, alta tensión de ruptura y amplia respuesta en frecuencia, clave para un rendimiento óptimo en dispositivos de comunicación inalámbrica, radares e inhibidores de interferencias. Estas obleas están disponibles en diámetros de 4 y 6 pulgadas, con diferentes espesores de GaN para satisfacer diferentes requisitos técnicos. Las propiedades únicas del GaN lo convierten en un candidato ideal para el futuro de la electrónica de potencia.
Parámetros del producto
| Característica del producto | Especificación |
| Diámetro de la oblea | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Sustrato | Zafiro |
| Espesor de la capa de GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Tipo/dopaje de GaN | Tipo N (tipo P disponible a pedido) |
| Orientación del cristal de GaN | <0001> |
| Tipo de pulido | Pulido de una sola cara (SSP), pulido de doble cara (DSP) |
| Espesor de Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| VTT (Variación del espesor total) | ≤ 10 micras |
| Arco | ≤ 10 micras |
| Urdimbre | ≤ 10 micras |
| Área de superficie | Área de superficie utilizable > 90% |
Preguntas y respuestas
P1: ¿Cuáles son las principales ventajas de utilizar GaN en lugar de los semiconductores tradicionales basados en silicio?
A1El GaN ofrece varias ventajas significativas sobre el silicio, incluyendo una banda prohibida más amplia, que le permite soportar tensiones de ruptura más altas y operar eficientemente a temperaturas más altas. Esto lo hace ideal para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, como módulos de RF, amplificadores de potencia y LED. La capacidad del GaN para soportar mayores densidades de potencia también permite dispositivos más pequeños y eficientes en comparación con las alternativas basadas en silicio.
P2: ¿Se puede utilizar GaN sobre obleas de zafiro en aplicaciones MEMS (sistemas microelectromecánicos)?
A2Sí, el GaN sobre obleas de zafiro es adecuado para aplicaciones MEMS, especialmente donde se requiere alta potencia, estabilidad térmica y bajo nivel de ruido. La durabilidad y eficiencia del material en entornos de alta frecuencia lo hacen ideal para dispositivos MEMS utilizados en sistemas de comunicación inalámbrica, detección y radar.
P3: ¿Cuáles son las aplicaciones potenciales de GaN en la comunicación inalámbrica?
A3El GaN se utiliza ampliamente en módulos frontales de RF para comunicaciones inalámbricas, incluyendo infraestructura 5G, sistemas de radar e inhibidores de interferencias. Su alta densidad de potencia y conductividad térmica lo hacen ideal para dispositivos de alta potencia y alta frecuencia, lo que permite un mejor rendimiento y formatos más compactos en comparación con las soluciones basadas en silicio.
P4: ¿Cuáles son los plazos de entrega y las cantidades mínimas de pedido para obleas de GaN sobre zafiro?
A4Los plazos de entrega y las cantidades mínimas de pedido varían según el tamaño de la oblea, el grosor de GaN y los requisitos específicos del cliente. Contáctenos directamente para obtener información detallada sobre precios y disponibilidad según sus especificaciones.
P5: ¿Puedo obtener un espesor de capa de GaN personalizado o niveles de dopaje?
A5Sí, ofrecemos personalización del espesor de GaN y los niveles de dopaje para satisfacer las necesidades específicas de cada aplicación. Indíquenos sus especificaciones y le ofreceremos una solución a su medida.
Diagrama detallado
