Oblea epitaxial láser GaAs de 4 pulgadas y 6 pulgadas VCSEL, emisión superficial de cavidad vertical, longitud de onda láser de 940 nm, unión única

Descripción breve:

Matrices láser Gigabit Ethernet de diseño especificado por el cliente para obleas de 6 pulgadas de alta uniformidad, longitud de onda óptica central de 850/940 nm, comunicación de enlace de datos digitales VCSEL con óxido limitado o implante de protones, características eléctricas y ópticas del ratón láser, baja sensibilidad a la temperatura. El VCSEL-940 de unión simple es un láser de emisión superficial de cavidad vertical (VCSEL) con una longitud de onda de emisión típicamente alrededor de 940 nanómetros. Dichos láseres generalmente constan de un solo pozo cuántico y son capaces de proporcionar una emisión de luz eficiente. La longitud de onda de 940 nanómetros lo hace en el espectro infrarrojo, adecuado para una variedad de aplicaciones. En comparación con otros tipos de láseres, los VCsels tienen una mayor eficiencia de conversión electroóptica. El paquete VCSEL es relativamente pequeño y fácil de integrar. La amplia aplicación del VCSEL-940 le ha hecho jugar un papel importante en la tecnología moderna.

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Las principales características de la lámina epitaxial del láser GaAs incluyen:

1. Estructura de unión única: este láser generalmente está compuesto por un solo pozo cuántico, que puede proporcionar una emisión de luz eficiente.
2. Longitud de onda: La longitud de onda de 940 nm lo ubica en el rango del espectro infrarrojo, adecuado para una variedad de aplicaciones.
3. Alta eficiencia: en comparación con otros tipos de láseres, VCSEL tiene una alta eficiencia de conversión electroóptica.
4. Compacidad: el paquete VCSEL es relativamente pequeño y fácil de integrar.

5. Corriente de umbral baja y alta eficiencia: Los láseres de heteroestructura enterrados exhiben una densidad de corriente de umbral láser extremadamente baja (por ejemplo, 4 mA/cm²) y una alta eficiencia cuántica diferencial externa (por ejemplo, 36 %), con una potencia de salida lineal que excede los 15 mW.
6. Estabilidad del modo de guía de ondas: El láser de heteroestructura enterrado tiene la ventaja de la estabilidad del modo de guía de ondas debido a su mecanismo de guía de ondas guiado por índice de refracción y su estrecho ancho de franja activa (aproximadamente 2 μm).
7. Excelente eficiencia de conversión fotoeléctrica: al optimizar el proceso de crecimiento epitaxial, se puede obtener una alta eficiencia cuántica interna y una alta eficiencia de conversión fotoeléctrica para reducir la pérdida interna.
8. Alta confiabilidad y vida útil: la tecnología de crecimiento epitaxial de alta calidad puede preparar láminas epitaxiales con buena apariencia superficial y baja densidad de defectos, mejorando la confiabilidad y la vida útil del producto.
9. Adecuado para una variedad de aplicaciones: la lámina epitaxial de diodo láser basada en GAAS se usa ampliamente en comunicaciones de fibra óptica, aplicaciones industriales, infrarrojos y fotodetectores y otros campos.

Las principales formas de aplicación de la lámina epitaxial láser de GaAs incluyen:

1. Comunicación óptica y comunicación de datos: Las obleas epitaxiales de GaAs se utilizan ampliamente en el campo de la comunicación óptica, especialmente en sistemas de comunicación óptica de alta velocidad, para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos como láseres y detectores.

2. Aplicaciones industriales: Las láminas epitaxiales de láser de GaAs también tienen usos importantes en aplicaciones industriales, como el procesamiento, la medición y la detección de láser.

3. Electrónica de consumo: En la electrónica de consumo, las obleas epitaxiales de GaAs se utilizan para fabricar VCsels (láseres emisores de superficie de cavidad vertical), que se utilizan ampliamente en teléfonos inteligentes y otros productos electrónicos de consumo.

4. Aplicaciones de RF: Los materiales de GaAs tienen ventajas significativas en el campo de RF y se utilizan para fabricar dispositivos de RF de alto rendimiento.

5. Láseres de puntos cuánticos: Los láseres de puntos cuánticos basados en GAAS se utilizan ampliamente en los campos de las comunicaciones, la medicina y el ejército, especialmente en la banda de comunicación óptica de 1,31 µm.

6. Interruptor Q pasivo: El absorbedor de GaAs se utiliza para láseres de estado sólido bombeados por diodos con interruptor Q pasivo, que es adecuado para micromaquinado, medición de distancias y microcirugía.

Estas aplicaciones demuestran el potencial de las obleas epitaxiales de láser de GaAs en una amplia gama de aplicaciones de alta tecnología.

XKH ofrece obleas epitaxiales de GaAs con diferentes estructuras y espesores, adaptadas a las necesidades del cliente, que abarcan una amplia gama de aplicaciones, como VCSEL/HCSEL, WLAN, estaciones base 4G/5G, etc. Los productos de XKH se fabrican con equipos MOCVD avanzados para garantizar un alto rendimiento y fiabilidad. En cuanto a la logística, contamos con una amplia gama de canales de suministro internacionales, una gestión flexible del volumen de pedidos y servicios de valor añadido como el adelgazamiento y la segmentación. Nuestros eficientes procesos de entrega garantizan una entrega puntual y cumplen con los requisitos del cliente en cuanto a calidad y plazos de entrega. Tras la llegada, los clientes pueden disfrutar de un completo soporte técnico y servicio posventa para garantizar una puesta en funcionamiento sin problemas del producto.