Oblea epitaxial láser de GaAs de 4 y 6 pulgadas, láser VCSEL de emisión superficial de cavidad vertical, longitud de onda de 940 nm, unión simple

Oblea epitaxial de láser GaAs de 4 y 6 pulgadas, láser VCSEL de emisión superficial de cavidad vertical, longitud de onda de 940 nm, unión simple. Imagen destacada.

Descripción breve:

Matrices láser Gigabit Ethernet de diseño personalizado para obleas de 6 pulgadas de alta uniformidad, longitud de onda óptica central de 850/940 nm, VCSEL con óxido limitado o implantación de protones, comunicación de enlace de datos digitales, ratón láser, características eléctricas y ópticas de baja sensibilidad a la temperatura. El VCSEL-940 de unión simple es un láser de emisión superficial de cavidad vertical (VCSEL) con una longitud de onda de emisión típica de alrededor de 940 nanómetros. Estos láseres suelen constar de un único pozo cuántico y son capaces de proporcionar una emisión de luz eficiente. La longitud de onda de 940 nanómetros lo sitúa en el espectro infrarrojo, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones. En comparación con otros tipos de láseres, los VCSEL tienen una mayor eficiencia de conversión electroóptica. El encapsulado del VCSEL es relativamente pequeño y fácil de integrar. La amplia aplicación del VCSEL-940 le ha otorgado un papel fundamental en la tecnología moderna.

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Características

Las principales características de la lámina epitaxial láser de GaAs incluyen

1. Estructura de unión simple: Este láser suele estar compuesto por un único pozo cuántico, que puede proporcionar una emisión de luz eficiente.
2. Longitud de onda: La longitud de onda de 940 nm la sitúa en el rango del espectro infrarrojo, lo que la hace adecuada para una variedad de aplicaciones.
3. Alta eficiencia: En comparación con otros tipos de láseres, el VCSEL tiene una alta eficiencia de conversión electroóptica.
4. Compactación: El paquete VCSEL es relativamente pequeño y fácil de integrar.

5. Corriente umbral baja y alta eficiencia: Los láseres de heteroestructura enterrada exhiben una densidad de corriente umbral de emisión láser extremadamente baja (por ejemplo, 4 mA/cm²) y una alta eficiencia cuántica diferencial externa (por ejemplo, 36%), con una potencia de salida lineal superior a 15 mW.
6. Estabilidad del modo de guía de onda: El láser de heteroestructura enterrada tiene la ventaja de la estabilidad del modo de guía de onda debido a su mecanismo de guía de onda guiada por índice de refracción y al ancho estrecho de la tira activa (alrededor de 2 μm).
7. Excelente eficiencia de conversión fotoeléctrica: Al optimizar el proceso de crecimiento epitaxial, se puede obtener una alta eficiencia cuántica interna y una alta eficiencia de conversión fotoeléctrica para reducir las pérdidas internas.
8. Alta fiabilidad y vida útil: la tecnología de crecimiento epitaxial de alta calidad puede preparar láminas epitaxiales con buena apariencia superficial y baja densidad de defectos, mejorando la fiabilidad y la vida útil del producto.
9. Adecuado para una variedad de aplicaciones: la lámina epitaxial de diodo láser basada en GAAS se utiliza ampliamente en comunicaciones de fibra óptica, aplicaciones industriales, infrarrojos y fotodetectores y otros campos.

Las principales aplicaciones de la lámina epitaxial láser de GaAs incluyen:

1. Comunicación óptica y comunicación de datos: Las obleas epitaxiales de GaAs se utilizan ampliamente en el campo de la comunicación óptica, especialmente en sistemas de comunicación óptica de alta velocidad, para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos como láseres y detectores.

2. Aplicaciones industriales: Las láminas epitaxiales láser de GaAs también tienen usos importantes en aplicaciones industriales, como el procesamiento láser, la medición y la detección.

3. Electrónica de consumo: En la electrónica de consumo, las obleas epitaxiales de GaAs se utilizan para fabricar VCsels (láseres de emisión superficial de cavidad vertical), que se utilizan ampliamente en teléfonos inteligentes y otros dispositivos electrónicos de consumo.

4. Aplicaciones de RF: Los materiales de GaAs tienen ventajas significativas en el campo de RF y se utilizan para fabricar dispositivos de RF de alto rendimiento.

5. Láseres de puntos cuánticos: Los láseres de puntos cuánticos basados en GAAS se utilizan ampliamente en los campos de las comunicaciones, la medicina y el ejército, especialmente en la banda de comunicación óptica de 1,31 µm.

6. Interruptor Q pasivo: El absorbedor de GaAs se utiliza para láseres de estado sólido bombeados por diodo con interruptor Q pasivo, que es adecuado para micromecanizado, medición de distancias y microcirugía.

Estas aplicaciones demuestran el potencial de las obleas epitaxiales láser de GaAs en una amplia gama de aplicaciones de alta tecnología.

XKH ofrece obleas epitaxiales de GaAs con diferentes estructuras y espesores, adaptadas a las necesidades del cliente, para una amplia gama de aplicaciones como VCSEL/HCSEL, WLAN, estaciones base 4G/5G, etc. Los productos de XKH se fabrican con equipos MOCVD de última generación para garantizar un alto rendimiento y fiabilidad. En cuanto a logística, contamos con una extensa red de distribución internacional, lo que nos permite gestionar con flexibilidad el volumen de pedidos y ofrecer servicios de valor añadido como el adelgazamiento y la segmentación. Nuestros eficientes procesos de entrega garantizan la puntualidad y el cumplimiento de los requisitos de calidad y plazos de entrega. Tras la recepción del producto, los clientes reciben un completo soporte técnico y servicio posventa para asegurar una puesta en marcha sin problemas.