Oblea epitaxial láser GaAs 4 pulgadas 6 pulgadas VCSEL cavidad vertical emisión de superficie longitud de onda láser 940nm unión única

Oblea epitaxial láser GaAs 4 pulgadas 6 pulgadas VCSEL Cavidad vertical Emisión de superficie Longitud de onda del láser 940 nm Unión única Imagen destacada

Breve descripción:

Matrices láser Gigabit Ethernet de diseño especificado por el cliente para obleas de 6 pulgadas de alta uniformidad, longitud de onda óptica central de 850/940 nm, comunicación de enlace de datos digitales VCSEL limitada por óxido o implantada por protones, características eléctricas y ópticas del mouse láser, baja sensibilidad a la temperatura. El VCSEL-940 Single Junction es un láser emisor de superficie de cavidad vertical (VCSEL) con una longitud de onda de emisión típicamente de alrededor de 940 nanómetros. Estos láseres suelen constar de un único pozo cuántico y son capaces de proporcionar una emisión de luz eficiente. La longitud de onda de 940 nanómetros lo convierte en un espectro infrarrojo adecuado para una variedad de aplicaciones. En comparación con otros tipos de láseres, los VCsel tienen una mayor eficiencia de conversión electroóptica. El paquete VCSEL es relativamente pequeño y fácil de integrar. La amplia aplicación del VCSEL-940 le ha hecho desempeñar un papel importante en la tecnología moderna.

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Las principales características de la lámina epitaxial con láser GaAs incluyen

1. Estructura de unión única: este láser suele estar compuesto por un único pozo cuántico, que puede proporcionar una emisión de luz eficiente.
2. Longitud de onda: La longitud de onda de 940 nm lo sitúa en el rango del espectro infrarrojo, adecuado para una variedad de aplicaciones.
3. Alta eficiencia: en comparación con otros tipos de láseres, VCSEL tiene una alta eficiencia de conversión electroóptica.
4. Compacidad: El paquete VCSEL es relativamente pequeño y fácil de integrar.

5. Umbral de corriente bajo y alta eficiencia: los láseres de heteroestructura enterrados exhiben una densidad de corriente de umbral láser extremadamente baja (por ejemplo, 4 mA/cm²) y una alta eficiencia cuántica diferencial externa (por ejemplo, 36 %), con una potencia de salida lineal superior a 15 mW.
6. Estabilidad del modo de guía de ondas: El láser de heteroestructura enterrado tiene la ventaja de la estabilidad del modo de guía de ondas debido a su mecanismo de guía de ondas guiada por índice de refracción y su estrecho ancho de banda activa (aproximadamente 2 μm).
7. Excelente eficiencia de conversión fotoeléctrica: al optimizar el proceso de crecimiento epitaxial, se puede obtener una alta eficiencia cuántica interna y una alta eficiencia de conversión fotoeléctrica para reducir la pérdida interna.
8. Alta confiabilidad y vida útil: la tecnología de crecimiento epitaxial de alta calidad puede preparar láminas epitaxiales con buena apariencia superficial y baja densidad de defectos, mejorando la confiabilidad y vida útil del producto.
9. Adecuado para una variedad de aplicaciones: la lámina epitaxial de diodo láser basada en GAAS se usa ampliamente en comunicación por fibra óptica, aplicaciones industriales, infrarrojos y fotodetectores y otros campos.

Las principales formas de aplicación de la lámina epitaxial con láser de GaAs incluyen

1. Comunicación óptica y comunicación de datos: las obleas epitaxiales de GaAs se utilizan ampliamente en el campo de la comunicación óptica, especialmente en sistemas de comunicación óptica de alta velocidad, para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos como láseres y detectores.

2. Aplicaciones industriales: las láminas epitaxiales láser de GaAs también tienen usos importantes en aplicaciones industriales, como procesamiento, medición y detección láser.

3. Electrónica de consumo: en la electrónica de consumo, las obleas epitaxiales de GaAs se utilizan para fabricar VCsels (láseres emisores de superficie de cavidad vertical), que se utilizan ampliamente en teléfonos inteligentes y otros productos electrónicos de consumo.

4. Aplicaciones de RF: los materiales de GaAs tienen importantes ventajas en el campo de RF y se utilizan para fabricar dispositivos de RF de alto rendimiento.

5. Láseres de puntos cuánticos: los láseres de puntos cuánticos basados en GAAS se utilizan ampliamente en los campos de la comunicación, médico y militar, especialmente en la banda de comunicación óptica de 1,31 µm.

6. Interruptor Q pasivo: el absorbente de GaAs se utiliza para láseres de estado sólido bombeados por diodos con interruptor Q pasivo, que es adecuado para micromecanizado, medición de distancias y microcirugía.

Estas aplicaciones demuestran el potencial de las obleas epitaxiales láser de GaAs en una amplia gama de aplicaciones de alta tecnología.

XKH ofrece obleas epitaxiales de GaAs con diferentes estructuras y espesores adaptados a los requisitos del cliente, cubriendo una amplia gama de aplicaciones como VCSEL/HCSEL, WLAN, estaciones base 4G/5G, etc. Los productos de XKH se fabrican utilizando equipos MOCVD avanzados para garantizar un alto rendimiento y fiabilidad. En términos de logística, contamos con una amplia gama de canales de origen internacionales, podemos manejar de manera flexible la cantidad de pedidos y brindar servicios de valor agregado como adelgazamiento, segmentación, etc. Los procesos de entrega eficientes garantizan la entrega a tiempo y cumplen con los requisitos del cliente para calidad y tiempos de entrega. Después de su llegada, los clientes pueden obtener soporte técnico integral y servicio posventa para garantizar que el producto se utilice sin problemas.