Sustrato de oblea epitaxial de alta potencia de GaAs, oblea de arseniuro de galio, longitud de onda láser de 905 nm para tratamiento médico láser.
Las características clave de la lámina epitaxial láser de GaAs incluyen:
1. Alta movilidad electrónica: El arseniuro de galio tiene una alta movilidad electrónica, lo que hace que las obleas epitaxiales láser de GaAs tengan buenas aplicaciones en dispositivos de alta frecuencia y dispositivos electrónicos de alta velocidad.
2. Luminiscencia de transición de banda prohibida directa: Como material de banda prohibida directa, el arseniuro de galio puede convertir eficientemente la energía eléctrica en energía lumínica en dispositivos optoelectrónicos, lo que lo hace ideal para la fabricación de láseres.
3. Longitud de onda: Los láseres GaAs 905 suelen operar a 905 nm, lo que los hace adecuados para muchas aplicaciones, incluida la biomedicina.
4. Alta eficiencia: con una alta eficiencia de conversión fotoeléctrica, puede convertir eficazmente la energía eléctrica en salida láser.
5. Alta potencia de salida: Puede lograr una alta potencia de salida y es adecuada para escenarios de aplicación que requieren una fuente de luz fuerte.
6. Buen rendimiento térmico: El material GaAs tiene una buena conductividad térmica, lo que ayuda a reducir la temperatura de funcionamiento del láser y a mejorar la estabilidad.
7. Amplia capacidad de ajuste: La potencia de salida se puede ajustar cambiando la corriente de accionamiento para adaptarse a diferentes requisitos de aplicación.
Las principales aplicaciones de las tabletas epitaxiales láser de GaAs incluyen:
1. Comunicación por fibra óptica: Las láminas epitaxiales de láser de GaAs se pueden utilizar para fabricar láseres en comunicaciones por fibra óptica para lograr una transmisión de señal óptica de alta velocidad y larga distancia.
2. Aplicaciones industriales: En el ámbito industrial, las láminas epitaxiales láser de GaAs se pueden utilizar para la medición de distancias por láser, el marcado láser y otras aplicaciones.
3. VCSEL: El láser de emisión superficial de cavidad vertical (VCSEL) es un campo de aplicación importante de la lámina epitaxial de láser de GaAs, que se utiliza ampliamente en comunicaciones ópticas, almacenamiento óptico y detección óptica.
4. Infrarrojo y campo puntual: La lámina epitaxial láser de GaAs también se puede utilizar para fabricar láseres infrarrojos, generadores de puntos y otros dispositivos, desempeñando un papel importante en la detección infrarroja, la visualización de luz y otros campos.
La preparación de láminas epitaxiales de GaAs para láser depende principalmente de la tecnología de crecimiento epitaxial, que incluye la deposición química de vapor metalorgánica (MOCVD), la epitaxia por haces moleculares (MBE) y otros métodos. Estas técnicas permiten controlar con precisión el espesor, la composición y la estructura cristalina de la capa epitaxial para obtener láminas epitaxiales de GaAs para láser de alta calidad.
XKH ofrece láminas epitaxiales de GaAs personalizadas con diferentes estructuras y espesores, abarcando una amplia gama de aplicaciones en comunicaciones ópticas, VCSEL, infrarrojos y sistemas de detección de luz. Los productos de XKH se fabrican con equipos MOCVD de última generación para garantizar un alto rendimiento y fiabilidad. En cuanto a logística, XKH cuenta con una extensa red de distribución internacional que permite gestionar con flexibilidad el volumen de pedidos y ofrecer servicios de valor añadido como el refinamiento y la subdivisión. Los eficientes procesos de entrega garantizan la puntualidad y el cumplimiento de los requisitos de calidad y plazos de entrega de los clientes. Tras la recepción del producto, los clientes reciben un completo soporte técnico y servicio posventa para asegurar una puesta en marcha sin problemas.
Diagrama detallado
