Oblea epitaxial de alta potencia GaAs, sustrato de oblea de arseniuro de galio, láser de potencia de longitud de onda de 905 nm para tratamiento médico con láser.
Las características principales de la lámina epitaxial del láser GaAs incluyen:
1. Alta movilidad de electrones: El arseniuro de galio tiene una alta movilidad de electrones, lo que hace que las obleas epitaxiales de láser de GaAs tengan buenas aplicaciones en dispositivos de alta frecuencia y dispositivos electrónicos de alta velocidad.
2. Luminiscencia de transición de banda prohibida directa: como material de banda prohibida directa, el arseniuro de galio puede convertir eficientemente la energía eléctrica en energía luminosa en dispositivos optoelectrónicos, lo que lo hace ideal para la fabricación de láseres.
3. Longitud de onda: Los láseres de GaAs 905 suelen funcionar a 905 nm, lo que los hace adecuados para muchas aplicaciones, incluida la biomedicina.
4. Alta eficiencia: con una alta eficiencia de conversión fotoeléctrica, puede convertir eficazmente la energía eléctrica en salida láser.
5. Alta potencia de salida: puede lograr una alta potencia de salida y es adecuado para escenarios de aplicación que requieren una fuente de luz potente.
6. Buen rendimiento térmico: el material GaAs tiene buena conductividad térmica, lo que ayuda a reducir la temperatura de funcionamiento del láser y mejorar la estabilidad.
7. Amplia capacidad de ajuste: la potencia de salida se puede ajustar cambiando la corriente de accionamiento para adaptarse a diferentes requisitos de aplicación.
Las principales aplicaciones de las tabletas epitaxiales de láser GaAs incluyen:
1. Comunicación por fibra óptica: La lámina epitaxial láser de GaAs se puede utilizar para fabricar láseres en comunicación por fibra óptica para lograr una transmisión de señales ópticas de alta velocidad y larga distancia.
2. Aplicaciones industriales: En el campo industrial, las láminas epitaxiales láser de GaAs se pueden utilizar para medición de distancias por láser, marcado láser y otras aplicaciones.
3. VCSEL: El láser emisor de superficie de cavidad vertical (VCSEL) es un campo de aplicación importante de la lámina epitaxial del láser de GaAs, que se utiliza ampliamente en comunicaciones ópticas, almacenamiento óptico y detección óptica.
4. Campo infrarrojo y puntual: la lámina epitaxial de láser de GaAs también se puede utilizar para fabricar láseres infrarrojos, generadores de puntos y otros dispositivos, y desempeña un papel importante en la detección infrarroja, la visualización de luz y otros campos.
La preparación de láminas epitaxiales láser de GaAs se basa principalmente en tecnologías de crecimiento epitaxial, como la deposición química en fase de vapor metalorgánica (MOCVD), el epitaxial por haz molecular (MBE) y otros métodos. Estas técnicas permiten controlar con precisión el espesor, la composición y la estructura cristalina de la capa epitaxial para obtener láminas epitaxiales láser de GaAs de alta calidad.
XKH ofrece personalización de láminas epitaxiales de GaAs en diferentes estructuras y espesores, abarcando una amplia gama de aplicaciones en comunicaciones ópticas, VCSEL, infrarrojos y puntos de luz. Los productos de XKH se fabrican con equipos MOCVD avanzados para garantizar un alto rendimiento y fiabilidad. En cuanto a la logística, XKH cuenta con una amplia red internacional de proveedores, lo que le permite gestionar con flexibilidad el volumen de pedidos y ofrecer servicios de valor añadido como el refinamiento y la subdivisión. Nuestros eficientes procesos de entrega garantizan la puntualidad y cumplen con los requisitos del cliente en cuanto a calidad y plazos de entrega. Los clientes pueden disfrutar de un completo soporte técnico y servicio posventa tras la llegada para garantizar una puesta en funcionamiento sin problemas del producto.
Diagrama detallado
