Producción de sustrato de SiC de 6 pulgadas de diámetro 150 mm 4H-N y grado ficticio

Breve descripción:

El carburo de silicio (SiC) es un compuesto binario del grupo IV-IV, el único compuesto sólido estable del grupo IV de la tabla periódica, y es un importante material semiconductor. Tiene excelentes propiedades térmicas, mecánicas, químicas y eléctricas, no solo es uno de los materiales de alta calidad para la producción de dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia, sino que también se puede utilizar como material de sustrato. en diodos emisores de luz azul GaN. Actualmente se utiliza para sustratos de carburo de silicio a base de 4H, el tipo conductor se divide en tipo semiaislante (no dopado, dopado) y tipo N.

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Las características principales de las obleas Mosfet de carburo de silicio de 6 pulgadas son las siguientes:

Resistencia a alto voltaje: el carburo de silicio tiene un campo eléctrico de alta ruptura, por lo que las obleas Mosfet de carburo de silicio de 6 pulgadas tienen una capacidad de resistencia a alto voltaje, adecuada para escenarios de aplicaciones de alto voltaje.

Alta densidad de corriente: el carburo de silicio tiene una gran movilidad de electrones, lo que hace que las obleas Mosfet de carburo de silicio de 6 pulgadas tengan una mayor densidad de corriente para soportar una mayor corriente.

Alta frecuencia de funcionamiento: el carburo de silicio tiene una baja movilidad del portador, lo que hace que las obleas Mosfet de carburo de silicio de 6 pulgadas tengan una alta frecuencia de funcionamiento, adecuada para escenarios de aplicaciones de alta frecuencia.

Buena estabilidad térmica: el carburo de silicio tiene una alta conductividad térmica, lo que hace que las obleas Mosfet de carburo de silicio de 6 pulgadas sigan teniendo un buen rendimiento en entornos de alta temperatura.

Las obleas Mosfet de carburo de silicio de 6 pulgadas se utilizan ampliamente en las siguientes áreas: electrónica de potencia, incluidos transformadores, rectificadores, inversores, amplificadores de potencia, etc., como inversores solares, carga de vehículos de nueva energía, transporte ferroviario, compresores de aire de alta velocidad en el pila de combustible, convertidor CC-CC (DCDC), accionamiento de motores de vehículos eléctricos y tendencias de digitalización en el campo de los centros de datos y otras áreas con una amplia gama de aplicaciones.

Podemos proporcionar sustrato de SiC 4H-N de 6 pulgadas y diferentes grados de obleas de sustrato. También podemos organizar la personalización según sus necesidades. ¡Bienvenida consulta!