Sustrato de SiC de 150 mm de diámetro, 4H-N, 6 pulgadas, producción y grado ficticio

Las características principales de las obleas MOSFET de carburo de silicio de 6 pulgadas son las siguientes:

Resistencia a alto voltaje: el carburo de silicio tiene un campo eléctrico de ruptura alto, por lo que las obleas MOSFET de carburo de silicio de 6 pulgadas tienen una capacidad de resistencia a alto voltaje, adecuada para escenarios de aplicaciones de alto voltaje.

Alta densidad de corriente: El carburo de silicio tiene una gran movilidad de electrones, lo que hace que las obleas MOSFET de carburo de silicio de 6 pulgadas tengan una mayor densidad de corriente para soportar una mayor corriente.

Alta frecuencia de operación: el carburo de silicio tiene una baja movilidad de portador, lo que hace que las obleas MOSFET de carburo de silicio de 6 pulgadas tengan una alta frecuencia de operación, adecuada para escenarios de aplicación de alta frecuencia.

Buena estabilidad térmica: el carburo de silicio tiene una alta conductividad térmica, lo que hace que las obleas MOSFET de carburo de silicio de 6 pulgadas aún tengan un buen rendimiento en entornos de alta temperatura.

Las obleas MOSFET de carburo de silicio de 6 pulgadas se utilizan ampliamente en las siguientes áreas: electrónica de potencia, incluidos transformadores, rectificadores, inversores, amplificadores de potencia, etc., como inversores solares, carga de vehículos de nueva energía, transporte ferroviario, compresor de aire de alta velocidad en la celda de combustible, convertidor CC-CC (DCDC), accionamiento de motores de vehículos eléctricos y tendencias de digitalización en el campo de los centros de datos y otras áreas con una amplia gama de aplicaciones.

Ofrecemos sustrato de SiC 4H-N de 6 pulgadas y obleas de diferentes grados. También podemos personalizarlas según sus necesidades. ¡Consulte con nosotros!