Obleas epitaxiales de GaN sobre SiC personalizadas (100 mm, 150 mm): múltiples opciones de sustrato de SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Descripción breve:

Nuestras obleas epitaxiales de GaN sobre SiC personalizadas ofrecen un rendimiento superior para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia al combinar las propiedades excepcionales del nitruro de galio (GaN) con la robusta conductividad térmica y la resistencia mecánica delCarburo de silicio (SiC)Disponibles en obleas de 100 mm y 150 mm, estas obleas se fabrican sobre una variedad de sustratos de SiC, incluyendo 4H-N, HPSI y 4H/6H-P, diseñados para satisfacer requisitos específicos de electrónica de potencia, amplificadores de RF y otros dispositivos semiconductores avanzados. Con capas epitaxiales personalizables y sustratos de SiC únicos, nuestras obleas están diseñadas para garantizar alta eficiencia, gestión térmica y fiabilidad para aplicaciones industriales exigentes.

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Detalle del producto

Etiquetas de productos

Características

●Espesor de la capa epitaxial:Personalizable desde1,0 µma3,5 µm, optimizado para alto rendimiento de potencia y frecuencia.

●Opciones de sustrato de SiC:Disponible con varios sustratos de SiC, incluidos:

4H-N:4H-SiC dopado con nitrógeno de alta calidad para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.
HPSI:SiC semiaislante de alta pureza para aplicaciones que requieren aislamiento eléctrico.
4H/6H-P:Mezcla de 4H y 6H-SiC para un equilibrio de alta eficiencia y confiabilidad.

●Tamaños de obleas: Disponible en100 mmy150 mmdiámetros para versatilidad en el escalamiento e integración de dispositivos.

●Alta tensión de ruptura:La tecnología GaN sobre SiC proporciona un alto voltaje de ruptura, lo que permite un rendimiento sólido en aplicaciones de alta potencia.

●Alta conductividad térmica:La conductividad térmica inherente del SiC (aproximadamente 490 W/m·K) garantiza una excelente disipación del calor para aplicaciones que consumen mucha energía.

Especificaciones técnicas

Parámetro	Valor
Diámetro de la oblea	100 mm, 150 mm
Espesor de la capa epitaxial	1,0 µm – 3,5 µm (personalizable)
Tipos de sustrato de SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Conductividad térmica del SiC	490 W/m·K
Resistividad del SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI:Semi-aislante,4H/6H-P: Mixto 4H/6H
Espesor de la capa de GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Concentración de portadores de GaN	10^18 cm^-3 a 10^19 cm^-3 (personalizable)
Calidad de la superficie de la oblea	Rugosidad RMS: < 1 nm
Densidad de dislocación	< 1 x 10^6 cm^-2
Arco de oblea	< 50 µm
Planitud de la oblea	< 5 µm
Temperatura máxima de funcionamiento	400 °C (típico para dispositivos de GaN sobre SiC)

Aplicaciones

●Electrónica de potencia:Las obleas de GaN sobre SiC proporcionan alta eficiencia y disipación de calor, lo que las hace ideales para amplificadores de potencia, dispositivos de conversión de potencia y circuitos inversores de potencia utilizados en vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y maquinaria industrial.
●Amplificadores de potencia de RF:La combinación de GaN y SiC es perfecta para aplicaciones de RF de alta frecuencia y alta potencia, como telecomunicaciones, comunicaciones satelitales y sistemas de radar.
●Aeroespacial y Defensa:Estas obleas son adecuadas para tecnologías aeroespaciales y de defensa que requieren sistemas de comunicación y electrónica de potencia de alto rendimiento que puedan funcionar en condiciones difíciles.
●Aplicaciones automotrices:Ideal para sistemas de energía de alto rendimiento en vehículos eléctricos (EV), vehículos híbridos (HEV) y estaciones de carga, lo que permite una conversión y un control de energía eficientes.
●Sistemas militares y de radar:Las obleas de GaN sobre SiC se utilizan en sistemas de radar por su alta eficiencia, capacidades de manejo de potencia y rendimiento térmico en entornos exigentes.
●Aplicaciones de microondas y ondas milimétricas:Para los sistemas de comunicación de próxima generación, incluido 5G, GaN-on-SiC proporciona un rendimiento óptimo en rangos de microondas y ondas milimétricas de alta potencia.

Preguntas y respuestas

P1: ¿Cuáles son los beneficios de utilizar SiC como sustrato para GaN?

A1:El carburo de silicio (SiC) ofrece una conductividad térmica superior, una alta tensión de ruptura y una resistencia mecánica superior a la de sustratos tradicionales como el silicio. Esto hace que las obleas de GaN sobre SiC sean ideales para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura. El sustrato de SiC ayuda a disipar el calor generado por los dispositivos de GaN, mejorando la fiabilidad y el rendimiento.

P2: ¿Se puede personalizar el espesor de la capa epitaxial para aplicaciones específicas?

A2:Sí, el espesor de la capa epitaxial se puede personalizar dentro de un rango de1,0 µm a 3,5 µmDependiendo de los requisitos de potencia y frecuencia de su aplicación, podemos adaptar el espesor de la capa de GaN para optimizar el rendimiento de dispositivos específicos como amplificadores de potencia, sistemas de RF o circuitos de alta frecuencia.

P3: ¿Cuál es la diferencia entre los sustratos de SiC 4H-N, HPSI y 4H/6H-P?

A3:

4H-NEl 4H-SiC dopado con nitrógeno se utiliza comúnmente para aplicaciones de alta frecuencia que requieren un alto rendimiento electrónico.
HPSI:El SiC semiaislante de alta pureza proporciona aislamiento eléctrico, ideal para aplicaciones que requieren una conductividad eléctrica mínima.
4H/6H-P:Una mezcla de 4H y 6H-SiC que equilibra el rendimiento, ofreciendo una combinación de alta eficiencia y robustez, adecuada para diversas aplicaciones de electrónica de potencia.

P4: ¿Son estas obleas de GaN sobre SiC adecuadas para aplicaciones de alta potencia como vehículos eléctricos y energías renovables?

A4:Sí, las obleas de GaN sobre SiC son ideales para aplicaciones de alta potencia, como vehículos eléctricos, energías renovables y sistemas industriales. Su alta tensión de ruptura, su alta conductividad térmica y su capacidad de gestión de potencia les permiten funcionar eficazmente en circuitos de control y conversión de potencia exigentes.

P5: ¿Cuál es la densidad de dislocación típica de estas obleas?

A5:La densidad de dislocación de estas obleas de GaN sobre SiC es típicamente< 1 x 10^6 cm^-2, lo que garantiza un crecimiento epitaxial de alta calidad, minimizando los defectos y mejorando el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.

P6: ¿Puedo solicitar un tamaño de oblea específico o un tipo de sustrato de SiC?

A6:Sí, ofrecemos tamaños de obleas personalizados (100 mm y 150 mm) y tipos de sustrato de SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) para satisfacer las necesidades específicas de su aplicación. Contáctenos para conocer más opciones de personalización y para hablar sobre sus requisitos.

P7: ¿Cómo se comportan las obleas de GaN sobre SiC en entornos extremos?

A7:Las obleas de GaN sobre SiC son ideales para entornos extremos gracias a su alta estabilidad térmica, alta capacidad de gestión de potencia y excelente capacidad de disipación de calor. Estas obleas ofrecen un excelente rendimiento en condiciones de alta temperatura, alta potencia y alta frecuencia, comunes en aplicaciones aeroespaciales, de defensa e industriales.

Conclusión

Nuestras obleas epitaxiales de GaN sobre SiC personalizadas combinan las propiedades avanzadas del GaN y el SiC para ofrecer un rendimiento superior en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia. Con múltiples opciones de sustrato de SiC y capas epitaxiales personalizables, estas obleas son ideales para industrias que requieren alta eficiencia, gestión térmica y fiabilidad. Ya sea para electrónica de potencia, sistemas de radiofrecuencia o aplicaciones de defensa, nuestras obleas de GaN sobre SiC ofrecen el rendimiento y la flexibilidad que necesita.