Oblea de SiC de 8 pulgadas de grado de producción, sustrato de SiC 4H-N
La siguiente tabla muestra las especificaciones de nuestras obleas de SiC de 8 pulgadas:
| Especificaciones del DSP SiC tipo N de 8 pulgadas | |||||
| Número | Artículo | Unidad | Producción | Investigación | Ficticio |
| 1: parámetros | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientación de la superficie | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2: Parámetro eléctrico | |||||
| 2.1 | dopante | -- | Nitrógeno de tipo n | Nitrógeno de tipo n | Nitrógeno de tipo n |
| 2.2 | resistividad | ohmio ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3: Parámetro mecánico | |||||
| 3.1 | diámetro | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | espesor | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientación de la muesca | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Profundidad de la muesca | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10 mm * 10 mm) | ≤5(10 mm * 10 mm) | ≤10(10 mm * 10 mm) |
| 3.6 | Televisión por satélite | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arco | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Urdimbre | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4: Estructura | |||||
| 4.1 | densidad de micropipes | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | contenido de metales | átomos/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Trastorno límite de la personalidad | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Calidad frontal | |||||
| 5.1 | frente | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | acabado superficial | -- | CMP de cara Si | CMP de cara Si | CMP de cara Si |
| 5.3 | partícula | cada oblea | ≤100 (tamaño ≥0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | rascar | cada oblea | ≤5, Longitud total ≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Borde astillas/hendiduras/grietas/manchas/contaminación | -- | Ninguno | Ninguno | NA |
| 5.6 | áreas de politipo | -- | Ninguno | Área ≤10% | Área ≤30% |
| 5.7 | marca frontal | -- | Ninguno | Ninguno | Ninguno |
| 6: Calidad de la espalda | |||||
| 6.1 | acabado posterior | -- | Cara C MP | Cara C MP | Cara C MP |
| 6.2 | rascar | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | bordes con defectos en la parte posterior astillas/hendiduras | -- | Ninguno | Ninguno | NA |
| 6.4 | Rugosidad de la espalda | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marcado posterior | -- | Muesca | Muesca | Muesca |
| 7: borde | |||||
| 7.1 | borde | -- | Chaflán | Chaflán | Chaflán |
| 8: Paquete | |||||
| 8.1 | embalaje | -- | Preparado para epi con vacío embalaje | Preparado para epi con vacío embalaje | Preparado para epi con vacío embalaje |
| 8.2 | embalaje | -- | Multi-wafer embalaje de casete | Multi-wafer embalaje de casete | Multi-wafer embalaje de casete |
Diagrama detallado
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