Oblea de grado de producción de SiC de 8 pulgadas Sustrato de SiC 4H-N

Breve descripción:

Los sustratos de SiC de 8 pulgadas se utilizan en dispositivos electrónicos de alta potencia, como MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico) de potencia, diodos Schottky y otros dispositivos semiconductores de potencia.


Detalle del producto

Etiquetas de producto

La siguiente tabla muestra las especificaciones de nuestras obleas de SiC de 8 pulgadas:

Especificaciones del DSP SiC tipo N de 8 pulgadas

Número Artículo Unidad Producción Investigación Ficticio
1: parámetros
1.1 politipo -- 4H 4H 4H
1.2 orientación de la superficie ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2: parámetro eléctrico
2.1 dopante -- Nitrógeno tipo n Nitrógeno tipo n Nitrógeno tipo n
2.2 resistividad ohmios·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3: parámetro mecánico
3.1 diámetro mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 espesor μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Orientación de la muesca ° [1-100]±5 [1-100]±5 [1-100]±5
3.4 Profundidad de muesca mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 TVL μm ≤5(10mm*10mm) ≤5(10mm*10mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 televisión μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Arco μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Urdimbre μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4: Estructura
4.1 densidad del microtubo unidad/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 contenido de metal átomos/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD unidad/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 TLP unidad/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED unidad/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5.Calidad frontal
5.1 frente -- Si Si Si
5.2 acabado superficial -- CMP de cara Si CMP de cara Si CMP de cara Si
5.3 partícula ea/oblea ≤100(tamaño≥0,3μm) NA NA
5.4 rascar ea/oblea ≤5, longitud total≤200 mm NA NA
5.5 Borde
astillas/hendiduras/grietas/manchas/contaminación
-- Ninguno Ninguno NA
5.6 Áreas politipo -- Ninguno Área ≤10% Área ≤30%
5.7 marcado frontal -- Ninguno Ninguno Ninguno
6: calidad trasera
6.1 terminar atrás -- Cara C MP Cara C MP Cara C MP
6.2 rascar mm NA NA NA
6.3 Borde de defectos posteriores
chips/sangrías
-- Ninguno Ninguno NA
6.4 Rugosidad de la espalda nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Marcado trasero -- Muesca Muesca Muesca
7: borde
7.1 borde -- Chaflán Chaflán Chaflán
8:Paquete
8.1 embalaje -- Epi-ready con vacío
embalaje
Epi-ready con vacío
embalaje
Epi-ready con vacío
embalaje
8.2 embalaje -- multioblea
embalaje de casete
multioblea
embalaje de casete
multioblea
embalaje de casete

Diagrama detallado

asd (1)
asd (2)
asd (3)

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