Oblea de SiC de grado de producción de 8 pulgadas Sustrato de SiC 4H-N

Descripción breve:

Los sustratos de SiC de 8 pulgadas se utilizan en dispositivos electrónicos de alta potencia, como MOSFET de potencia (transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico), diodos Schottky y otros dispositivos semiconductores de potencia.


Características

La siguiente tabla muestra las especificaciones de nuestras obleas de SiC de 8 pulgadas:

Especificaciones del DSP de SiC tipo N de 8 pulgadas

Número Artículo Unidad Producción Investigación Ficticio
1: parámetros
1.1 politipo -- 4H 4H 4H
1.2 orientación de la superficie ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2:Parámetros eléctricos
2.1 dopante -- nitrógeno de tipo n nitrógeno de tipo n nitrógeno de tipo n
2.2 resistividad ohmios ·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3:Parámetro mecánico
3.1 diámetro mm 200 ± 0,2 200 ± 0,2 200 ± 0,2
3.2 espesor micras 500 ± 25 500 ± 25 500 ± 25
3.3 Orientación de la muesca ° [1-100]±5 [1-100]±5 [1-100]±5
3.4 Profundidad de muesca mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 Valor de vida útil micras ≤5 (10 mm x 10 mm) ≤5 (10 mm x 10 mm) ≤10 (10 mm x 10 mm)
3.6 Televisión por cable micras ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Arco micras -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Urdimbre micras ≤30 ≤50 ≤70
3.9 Fuerza Aérea nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4:Estructura
4.1 densidad de microtubos ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 contenido de metal átomos/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 TLP ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5.Calidad frontal
5.1 frente -- Si Si Si
5.2 acabado superficial -- CMP de cara de silicio CMP de cara de silicio CMP de cara de silicio
5.3 partícula ea/oblea ≤100 (tamaño ≥0,3 μm) NA NA
5.4 rascar ea/oblea ≤5,Longitud total ≤200 mm NA NA
5.5 Borde
astillas/hendiduras/grietas/manchas/contaminación
-- Ninguno Ninguno NA
5.6 Áreas de politipo -- Ninguno Área ≤10% Área ≤30%
5.7 marca frontal -- Ninguno Ninguno Ninguno
6:Calidad de la espalda
6.1 acabado posterior -- C-face MP C-face MP C-face MP
6.2 rascar mm NA NA NA
6.3 Borde posterior con defectos
fichas/sangrías
-- Ninguno Ninguno NA
6.4 Rugosidad de la espalda nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Marcado posterior -- Muesca Muesca Muesca
7: borde
7.1 borde -- Chaflán Chaflán Chaflán
8:Paquete
8.1 embalaje -- Epi-ready con vacío
embalaje
Epi-ready con vacío
embalaje
Epi-ready con vacío
embalaje
8.2 embalaje -- Multi-oblea
embalaje de casete
Multi-oblea
embalaje de casete
Multi-oblea
embalaje de casete

Diagrama detallado

trastorno del espectro autista (1)
trastorno del espectro autista (2)
trastorno del espectro autista (3)

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