Oblea de grado de producción de SiC de 8 pulgadas Sustrato de SiC 4H-N

Breve descripción:

Los sustratos de SiC de 8 pulgadas se utilizan en dispositivos electrónicos de alta potencia, como MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico) de potencia, diodos Schottky y otros dispositivos semiconductores de potencia.

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La siguiente tabla muestra las especificaciones de nuestras obleas de SiC de 8 pulgadas:

Especificaciones del DSP SiC tipo N de 8 pulgadas
Número	Artículo	Unidad	Producción	Investigación	Ficticio
1: parámetros
1.1	politipo	--	4H	4H	4H
1.2	orientación de la superficie	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2: parámetro eléctrico
2.1	dopante	--	Nitrógeno tipo n	Nitrógeno tipo n	Nitrógeno tipo n
2.2	resistividad	ohmios·cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3: parámetro mecánico
3.1	diámetro	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	espesor	µm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientación de la muesca	°	[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	Profundidad de muesca	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	TVL	µm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	televisión	µm	≤10	≤10	≤15
3.7	Arco	µm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Deformación	µm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4: Estructura
4.1	densidad del microtubo	unidad/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	contenido de metal	átomos/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	unidad/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	TLP	unidad/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	unidad/cm2	≤7000	≤10000	NA
5.Calidad frontal
5.1	frente	--	Si	Si	Si
5.2	acabado de la superficie	--	CMP de cara Si	CMP de cara Si	CMP de cara Si
5.3	partícula	ea/oblea	≤100(tamaño≥0,3μm)	NA	NA
5.4	rascar	ea/oblea	≤5, longitud total≤200 mm	NA	NA
5.5	Borde astillas/hendiduras/grietas/manchas/contaminación	--	Ninguno	Ninguno	NA
5.6	Áreas politipo	--	Ninguno	Área ≤10%	Área ≤30%
5.7	marcado frontal	--	Ninguno	Ninguno	Ninguno
6: calidad trasera
6.1	terminar atrás	--	Cara C MP	Cara C MP	Cara C MP
6.2	rascar	mm	NA	NA	NA
6.3	Borde de defectos posteriores chips/sangrías	--	Ninguno	Ninguno	NA
6.4	Rugosidad de la espalda	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Marcado trasero	--	Muesca	Muesca	Muesca
7: borde
7.1	borde	--	Chaflán	Chaflán	Chaflán
8:Paquete
8.1	embalaje	--	Epi-ready con vacío embalaje	Epi-ready con vacío embalaje	Epi-ready con vacío embalaje
8.2	embalaje	--	multioblea embalaje de casete	multioblea embalaje de casete	multioblea embalaje de casete