El tipo N/P de oblea SiC Epitaxiy de 6 pulgadas se acepta personalizado

La oblea SiC Epitaxiy de 6 pulgadas tipo N/P acepta imagen destacada personalizada

Breve descripción:

Proporciona servicios de fundición epitaxial y obleas epitaxiales de carburo de silicio de 4, 6 y 8 pulgadas, dispositivos de alimentación de producción (600 V ~ 3300 V), incluidos SBD, JBS, PiN, MOSFET, JFET, BJT, GTO, IGBT, etc.

Podemos proporcionar obleas epitaxiales de SiC de 4 y 6 pulgadas para la fabricación de dispositivos de potencia, incluidos SBD JBS PiN MOSFET JFET BJT GTO e IGBT desde 600 V hasta 3300 V.

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El proceso de preparación de la oblea epitaxial de carburo de silicio es un método que utiliza la tecnología de deposición química de vapor (CVD). Los siguientes son los principios técnicos relevantes y los pasos del proceso de preparación:

Principio técnico:

Deposición química de vapor: utilizando la materia prima gaseosa en la fase gaseosa, bajo condiciones de reacción específicas, se descompone y deposita sobre el sustrato para formar la película delgada deseada.

Reacción en fase gaseosa: mediante pirólisis o reacción de craqueo, varios gases de materia prima en fase gaseosa se modifican químicamente en la cámara de reacción.

Pasos del proceso de preparación:

Tratamiento del sustrato: El sustrato se somete a limpieza superficial y pretratamiento para garantizar la calidad y cristalinidad de la oblea epitaxial.

Depuración de la cámara de reacción: ajuste la temperatura, la presión y el caudal de la cámara de reacción y otros parámetros para garantizar la estabilidad y el control de las condiciones de reacción.

Suministro de materia prima: suministre las materias primas gaseosas requeridas a la cámara de reacción, mezclando y controlando el caudal según sea necesario.

Proceso de reacción: Al calentar la cámara de reacción, la materia prima gaseosa sufre una reacción química en la cámara para producir el depósito deseado, es decir, una película de carburo de silicio.

Enfriamiento y descarga: Al final de la reacción, se baja gradualmente la temperatura para enfriar y solidificar los depósitos en la cámara de reacción.

Recocido y posprocesamiento de oblea epitaxial: la oblea epitaxial depositada se recoce y se posprocesa para mejorar sus propiedades eléctricas y ópticas.

Los pasos y condiciones específicos del proceso de preparación de obleas epitaxiales de carburo de silicio pueden variar según el equipo y los requisitos específicos. Lo anterior es solo un principio y un flujo de proceso general; la operación específica debe ajustarse y optimizarse de acuerdo con la situación real.