Oblea epitaxial de SiC de 6 pulgadas, tipo N/P, aceptamos personalización

Descripción breve:

Ofrecemos servicios de fundición epitaxial y obleas epitaxiales de carburo de silicio de 4, 6 y 8 pulgadas, producción (600 V ~ 3300 V) de dispositivos de potencia que incluyen SBD, JBS, PiN, MOSFET, JFET, BJT, GTO, IGBT, etc.

Podemos proporcionar obleas epitaxiales de SiC de 4 y 6 pulgadas para la fabricación de dispositivos de potencia, incluidos SBD JBS PiN MOSFET JFET BJT GTO e IGBT desde 600 V hasta 3300 V.


Características

El proceso de preparación de obleas epitaxiales de carburo de silicio se basa en la tecnología de deposición química en fase de vapor (CVD). A continuación, se detallan los principios técnicos y los pasos del proceso de preparación:

Principio técnico:

Deposición química en fase de vapor: Utilizando el gas de materia prima en fase gaseosa, bajo condiciones de reacción específicas, se descompone y se deposita sobre el sustrato para formar la película delgada deseada.

Reacción en fase gaseosa: A través de la reacción de pirólisis o craqueo, varios gases de materia prima en fase gaseosa se modifican químicamente en la cámara de reacción.

Pasos del proceso de preparación:

Tratamiento del sustrato: El sustrato se somete a una limpieza superficial y un pretratamiento para garantizar la calidad y cristalinidad de la oblea epitaxial.

Depuración de la cámara de reacción: ajuste la temperatura, la presión y el caudal de la cámara de reacción y otros parámetros para garantizar la estabilidad y el control de las condiciones de reacción.

Suministro de materia prima: suministrar las materias primas de gas requeridas en la cámara de reacción, mezclando y controlando el caudal según sea necesario.

Proceso de reacción: Al calentar la cámara de reacción, la materia prima gaseosa experimenta una reacción química en la cámara para producir el depósito deseado, es decir, una película de carburo de silicio.

Enfriamiento y descarga: Al final de la reacción, la temperatura se reduce gradualmente para enfriar y solidificar los depósitos en la cámara de reacción.

Recocido y posprocesamiento de obleas epitaxiales: la oblea epitaxial depositada se recoce y se posprocesa para mejorar sus propiedades eléctricas y ópticas.

Los pasos y condiciones específicos del proceso de preparación de obleas epitaxiales de carburo de silicio pueden variar según el equipo y los requisitos específicos. Lo anterior es solo un flujo y principio general del proceso; la operación específica debe ajustarse y optimizarse según la situación real.

Diagrama detallado

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