Oblea de sustrato HPSI SiC de 6 pulgadas Obleas de SiC semiinsultantes de carburo de silicio

Los métodos de crecimiento actuales para monocristales de SiC incluyen principalmente los tres siguientes: método en fase líquida, método de deposición química de vapor a alta temperatura y método de transporte físico en fase de vapor (PVT). Entre ellos, el método PVT es la tecnología más investigada y madura para el crecimiento de monocristales de SiC, y sus dificultades técnicas son:

(1) Monocristal de SiC a alta temperatura de 2300 ° C por encima de la cámara de grafito cerrada para completar el proceso de recristalización de conversión "sólido - gas - sólido", el ciclo de crecimiento es largo, difícil de controlar y propenso a microtúbulos, inclusiones y otros defectos.

(2) Monocristal de carburo de silicio, que incluye más de 200 tipos de cristales diferentes, pero en general solo se produce un tipo de cristal, la transformación del tipo de cristal es fácil de producir en el proceso de crecimiento, lo que resulta en defectos de inclusiones de varios tipos, el proceso de preparación de un solo Un tipo de cristal específico es difícil de controlar la estabilidad del proceso, por ejemplo, la corriente principal actual del tipo 4H.

(3) El campo térmico de crecimiento de un solo cristal de carburo de silicio tiene un gradiente de temperatura, lo que resulta en el proceso de crecimiento del cristal, hay una tensión interna nativa y las dislocaciones, fallas y otros defectos resultantes inducidos.

(4) El proceso de crecimiento de monocristal de carburo de silicio necesita controlar estrictamente la introducción de impurezas externas, a fin de obtener un cristal semiaislante de muy alta pureza o un cristal conductor dopado direccionalmente. Para los sustratos de carburo de silicio semiaislante utilizados en dispositivos de RF, las propiedades eléctricas deben lograrse controlando la concentración muy baja de impurezas y los tipos específicos de defectos puntuales en el cristal.