GaN sobre zafiro de 6 pulgadas
Oblea epitaxial de nitruro de galio de 150 mm (6 pulgadas) sobre silicio/zafiro/SiC
La oblea de sustrato de zafiro de 6 pulgadas es un material semiconductor de alta calidad compuesto por capas de nitruro de galio (GaN) depositadas sobre un sustrato de zafiro. Este material posee excelentes propiedades de transporte electrónico y resulta ideal para la fabricación de dispositivos semiconductores de alta potencia y alta frecuencia.
Método de fabricación: El proceso de fabricación consiste en el crecimiento de capas de GaN sobre un sustrato de zafiro mediante técnicas avanzadas como la deposición química de vapor metalorgánica (MOCVD) o la epitaxia de haces moleculares (MBE). El proceso de deposición se lleva a cabo en condiciones controladas para garantizar una alta calidad cristalina y una película uniforme.
Aplicaciones de GaN sobre zafiro de 6 pulgadas: Los chips con sustrato de zafiro de 6 pulgadas se utilizan ampliamente en comunicaciones por microondas, sistemas de radar, tecnología inalámbrica y optoelectrónica.
Algunas aplicaciones comunes incluyen
1. Amplificador de potencia de RF
2. Industria de la iluminación LED
3. Equipos de comunicación de red inalámbrica
4. Dispositivos electrónicos en entornos de alta temperatura
5. Dispositivos optoelectrónicos
Especificaciones del producto
- Tamaño: El diámetro del sustrato es de 6 pulgadas (aproximadamente 150 mm).
- Calidad de la superficie: La superficie ha sido finamente pulida para proporcionar una excelente calidad de espejo.
- Grosor: El grosor de la capa de GaN se puede personalizar según los requisitos específicos.
- Embalaje: El sustrato se embala cuidadosamente con materiales antiestáticos para evitar daños durante el transporte.
- Bordes de posicionamiento: El sustrato tiene bordes de posicionamiento específicos que facilitan la alineación y el funcionamiento durante la preparación del dispositivo.
- Otros parámetros: Se pueden ajustar parámetros específicos como el grosor, la resistividad y la concentración de dopaje según los requisitos del cliente.
Gracias a sus propiedades materiales superiores y sus diversas aplicaciones, las obleas de sustrato de zafiro de 6 pulgadas son una opción fiable para el desarrollo de dispositivos semiconductores de alto rendimiento en diversas industrias.
| Sustrato | 6” 1mm <111> silicio tipo p | 6” 1mm <111> silicio tipo p |
| Epi Grosor Promedio | ~5 µm | ~7 µm |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Arco | +/-45 µm | +/-45 µm |
| Agrietamiento | <5 mm | <5 mm |
| Vertical BV | >1000 V | >1400 V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Grosor promedio | 20-30 nm | 20-30 nm |
| Capa de SiN in situ | 5-60 nm | 5-60 nm |
| 2DEG conc. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Movilidad | ~2000 cm2/Vs (<2%) | ~2000 cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 ohm/sq (<2%) | <330 ohm/sq (<2%) |
Diagrama detallado
