Sustrato compuesto de SiC tipo SEMI 4H de 6 pulgadas Espesor 500 μm TTV ≤ 5 μm Grado MOS

Descripción breve:

Con el rápido avance de las comunicaciones 5G y la tecnología de radar, el sustrato compuesto de SiC semiaislante de 6 pulgadas se ha convertido en un material fundamental para la fabricación de dispositivos de alta frecuencia. En comparación con los sustratos tradicionales de GaAs, este sustrato mantiene una alta resistividad (>10⁸ Ω·cm) a la vez que mejora la conductividad térmica en más de 5 veces, abordando eficazmente los problemas de disipación de calor en dispositivos de ondas milimétricas. Es probable que los amplificadores de potencia de dispositivos cotidianos, como los smartphones 5G y las terminales de comunicación por satélite, se construyan sobre este sustrato. Gracias a nuestra tecnología patentada de compensación de dopaje de la capa intermedia, hemos reducido la densidad de microtubos por debajo de 0,5/cm² y logrado una pérdida de microondas ultrabaja de 0,05 dB/mm.

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Características

Parámetros técnicos

Elementos	Especificación	Elementos	Especificación
Diámetro	150 ± 0,2 mm	Rugosidad frontal (cara de Si)	Ra≤0,2 nm (5 μm×5 μm)
Politipo	4H	Desportilladura, rayadura o grieta en el borde (inspección visual)	Ninguno
Resistividad	≥1E8 Ω·cm	Televisión por cable	≤5 micras
Espesor de la capa de transferencia	≥0,4 μm	Urdimbre	≤35 μm
Vacío (2 mm > D > 0,5 mm)	≤5 ea/oblea	Espesor	500 ± 25 μm

Características principales

1. Rendimiento excepcional de alta frecuencia
El sustrato compuesto de SiC semiaislante de 6 pulgadas emplea un diseño de capa dieléctrica graduada, lo que garantiza una variación de la constante dieléctrica de <2% en la banda Ka (26,5-40 GHz) y mejora la consistencia de fase en un 40%. 15% de aumento en la eficiencia y 20% menos de consumo de energía en módulos T/R que utilizan este sustrato.

2. Gestión térmica innovadora
Una exclusiva estructura compuesta de "puente térmico" permite una conductividad térmica lateral de 400 W/m·K. En los módulos PA de estaciones base 5G de 28 GHz, la temperatura de la unión aumenta tan solo 28 °C tras 24 horas de funcionamiento continuo, 50 °C menos que en las soluciones convencionales.

3. Obleas de calidad superior
A través de un método optimizado de Transporte Físico de Vapor (PVT), logramos una densidad de dislocación <500/cm² y una Variación de Espesor Total (TTV) <3 μm.
4. Procesamiento favorable para la fabricación
Nuestro proceso de recocido láser desarrollado específicamente para el sustrato compuesto de SiC semiaislante de 6 pulgadas reduce la densidad del estado de la superficie en dos órdenes de magnitud antes de la epitaxia.

Aplicaciones principales

1. Componentes principales de la estación base 5G
En conjuntos de antenas MIMO masivos, los dispositivos HEMT de GaN sobre sustratos compuestos de SiC semiaislantes de 6 pulgadas alcanzan una potencia de salida de 200 W y una eficiencia superior al 65 %. Las pruebas de campo a 3,5 GHz mostraron un aumento del 30 % en el radio de cobertura.

2. Sistemas de comunicación por satélite
Los transceptores satelitales de órbita baja (LEO) que utilizan este sustrato presentan una PIRE 8 dB superior en la banda Q (40 GHz), a la vez que reducen su peso en un 40 %. Las terminales Starlink de SpaceX lo han adoptado para su producción en masa.

3. Sistemas de radar militar
Los módulos T/R de radar de matriz en fase en este sustrato alcanzan un ancho de banda de 6-18 GHz y una figura de ruido tan baja como 1,2 dB, ampliando el rango de detección en 50 km en los sistemas de radar de alerta temprana.

4. Radar de ondas milimétricas para automóviles
Los chips de radar automotriz de 79 GHz que utilizan este sustrato mejoran la resolución angular a 0,5°, cumpliendo con los requisitos de conducción autónoma L4.

Ofrecemos una solución integral de servicio personalizado para sustratos compuestos de SiC semiaislantes de 6 pulgadas. En cuanto a la personalización de los parámetros del material, ofrecemos una regulación precisa de la resistividad en un rango de 10⁶ a 10¹⁰ Ω·cm. Especialmente para aplicaciones militares, ofrecemos una opción de resistencia ultraalta de >10⁹ Ω·cm. Ofrecemos tres especificaciones de espesor de 200 μm, 350 μm y 500 μm simultáneamente, con una tolerancia estrictamente controlada dentro de ±10 μm, satisfaciendo así diversos requisitos, desde dispositivos de alta frecuencia hasta aplicaciones de alta potencia.

En términos de procesos de tratamiento de superficies, ofrecemos dos soluciones profesionales: el pulido químico mecánico (CMP) puede lograr una planitud de superficie a nivel atómico con Ra <0,15 nm, cumpliendo con los requisitos de crecimiento epitaxial más exigentes; la tecnología de tratamiento de superficie preparada para epitaxial para demandas de producción rápida puede proporcionar superficies ultra lisas con Sq <0,3 nm y un espesor de óxido residual <1 nm, lo que simplifica significativamente el proceso de pretratamiento en el extremo del cliente.

XKH ofrece soluciones personalizadas integrales para sustratos compuestos de SiC semiaislantes de 6 pulgadas

1. Personalización de parámetros del material
Ofrecemos un ajuste preciso de resistividad dentro del rango de 10⁶-10¹⁰ Ω·cm, con opciones especializadas de resistividad ultra alta >10⁹ Ω·cm disponibles para aplicaciones militares/aeroespaciales.

2. Especificaciones de espesor
Tres opciones de espesor estandarizadas:

· 200 μm (optimizado para dispositivos de alta frecuencia)

· 350 μm (especificación estándar)

· 500 μm (diseñado para aplicaciones de alta potencia)
· Todas las variantes mantienen tolerancias de espesor estrictas de ±10 μm.

3. Tecnologías de tratamiento de superficies

Pulido químico mecánico (CMP): logra una planitud de superficie a nivel atómico con Ra < 0,15 nm, cumpliendo con los estrictos requisitos de crecimiento epitaxial para dispositivos de RF y potencia.

4. Procesamiento de superficies Epi-Ready

· Proporciona superficies ultra suaves con una rugosidad de Sq<0,3 nm

· Controla el espesor del óxido nativo a <1 nm

· Elimina hasta 3 pasos de preprocesamiento en las instalaciones del cliente