Plantilla AlN de 50,8 mm/100 mm en NPSS/FSS Plantilla AlN en zafiro

Breve descripción:

AlN-On-Sapphire se refiere a una combinación de materiales en los que se cultivan películas de nitruro de aluminio sobre sustratos de zafiro. En esta estructura, la película de nitruro de aluminio de alta calidad se puede cultivar mediante deposición química de vapor (CVD) o deposición química organométrica de vapor (MOCVD), lo que hace que la película de nitruro de aluminio y el sustrato de zafiro tengan una buena combinación. Las ventajas de esta estructura son que el nitruro de aluminio tiene alta conductividad térmica, alta estabilidad química y excelentes propiedades ópticas, mientras que el sustrato de zafiro tiene excelentes propiedades mecánicas y térmicas y transparencia.

Envíanos un correo electrónico

Detalle del producto

Etiquetas de producto

AlN-sobre-zafiro

AlN-On-Sapphire se puede utilizar para fabricar una variedad de dispositivos fotoeléctricos, como:
1. Chips LED: Los chips LED suelen estar hechos de películas de nitruro de aluminio y otros materiales. La eficiencia y estabilidad de los LED se pueden mejorar utilizando obleas de AlN-On-Sapphire como sustrato de los chips LED.
2. Láseres: las obleas de AlN-On-Sapphire también se pueden usar como sustratos para láseres, que se usan comúnmente en medicina, comunicaciones y procesamiento de materiales.
3. Células solares: La fabricación de células solares requiere el uso de materiales como el nitruro de aluminio. AlN-On-Sapphire como sustrato puede mejorar la eficiencia y la vida útil de las células solares.
4. Otros dispositivos optoelectrónicos: las obleas de AlN-On-Sapphire también se pueden utilizar para fabricar fotodetectores, dispositivos optoelectrónicos y otros dispositivos optoelectrónicos.

En conclusión, las obleas de AlN-On-Sapphire se utilizan ampliamente en el campo optoeléctrico debido a su alta conductividad térmica, alta estabilidad química, bajas pérdidas y excelentes propiedades ópticas.

Plantilla AlN de 50,8 mm/100 mm en NPSS/FSS

Artículo	Observaciones
Descripción	Plantilla AlN-on-NPSS	Plantilla AlN-on-FSS
Diámetro de la oblea	50,8 mm, 100 mm
sustrato	NPSS del avión C	Zafiro plano plano c (FSS)
Espesor del sustrato	50,8 mm, zafiro plano de 100 mmc (FSS) 100 mm: 650 um
Espesor de la epicapa de AIN	3~4 um (objetivo: 3,3 um)
Conductividad	Aislante
Superficie	como crecido
	RMS<1nm	RMS<2nm
Trasero	molido
FWHM(002)XRC	< 150 segundos de arco	< 150 segundos de arco
FWHM(102)XRC	< 300 segundos de arco	< 300 segundos de arco
Exclusión de borde	< 2 mm	< 3mm
Orientación plana primaria	plano a+0.1°
Longitud plana primaria	50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm
Paquete	Empaquetado en caja de envío o contenedor de oblea individual