Oblea de silicio de 4 pulgadas FZ CZ Tipo N DSP o SSP Grado de prueba

Descripción breve:

Una oblea de silicio es una lámina delgada cortada de silicio monocristalino. Las obleas de silicio están disponibles en diámetros de 2, 3, 4, 6 y 8 pulgadas, y se utilizan principalmente para producir circuitos integrados. Las obleas de silicio son solo la materia prima y los chips son el producto final. Las obleas de silicio son materiales importantes para la fabricación de circuitos integrados, y diversos dispositivos semiconductores pueden fabricarse mediante fotolitografía e implantación de iones sobre obleas de silicio.


Características

Introducción de la caja de obleas

Las obleas de silicio son parte integral del creciente sector tecnológico actual. El mercado de materiales semiconductores requiere obleas de silicio con especificaciones precisas para producir una gran cantidad de nuevos dispositivos de circuitos integrados. Reconocemos que, a medida que aumenta el costo de la fabricación de semiconductores, también aumenta el costo de dichos materiales, como las obleas de silicio. Comprendemos la importancia de la calidad y la rentabilidad en los productos que ofrecemos a nuestros clientes. Ofrecemos obleas rentables y de calidad constante. Producimos principalmente obleas y lingotes de silicio (CZ), obleas epitaxiales y obleas SOI.

Diámetro Diámetro Pulido Dopado Orientación Resistividad/Ω.cm Espesor/um
2 pulgadas 50,8 ± 0,5 mm SSP
Procesador de señal digital (DSP)
N.º de pieza 100 1-20 200-500
3 pulgadas 76,2 ± 0,5 mm SSP
Procesador de señal digital (DSP)
P/B 100 NA 525±20
4 pulgadas
101,6 ± 0,2
101,6 ± 0,3
101,6 ± 0,4
SSP
Procesador de señal digital (DSP)
N.º de pieza 100 0,001-10 200-2000
6 pulgadas
152,5 ± 0,3 SSPProcesador de señal digital (DSP) N.º de pieza 100 1-10 500-650
8 pulgadas
200 ± 0,3 Procesador de señal digital (DSP)SSP N.º de pieza 100 0,1-20 625

La aplicación de obleas de silicio

Sustrato: recubrimiento PECVD/LPCVD, pulverización catódica con magnetrón

Sustrato: XRD, SEM, espectroscopia infrarroja de fuerza atómica, microscopía electrónica de transmisión, espectroscopia de fluorescencia y otras pruebas analíticas, crecimiento epitaxial de haz molecular, análisis de rayos X de procesamiento de microestructura cristalina: grabado, unión, dispositivos MEMS, dispositivos de potencia, dispositivos MOS y otros procesamientos

Desde 2010, Shanghai XKH Material Tech. Co., Ltd se ha comprometido a proporcionar a los clientes soluciones integrales de obleas de silicio de 4 pulgadas, desde obleas de nivel de depuración Dummy Wafer, obleas de nivel de prueba Test Wafer, hasta obleas de nivel de producto Prime Wafer, así como obleas especiales, obleas de óxido Óxido, obleas de nitruro Si3N4, obleas revestidas de aluminio, obleas de silicio revestidas de cobre, obleas SOI, vidrio MEMS, obleas ultragruesas y ultraplanas personalizadas, etc., con tamaños que van desde 50 mm a 300 mm, y podemos proporcionar obleas semiconductoras con pulido de una sola cara / doble cara, adelgazamiento, corte en cubitos, MEMS y otros servicios de procesamiento y personalización.

Diagrama detallado

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