Oblea de SiC 4H/6H-P de 6 pulgadas Grado cero MPD Grado de producción Grado simulado

Oblea de SiC 4H/6H-P de 6 pulgadas Grado cero MPD Grado de producción Grado ficticio Imagen destacada

Breve descripción:

La oblea de SiC de 6 pulgadas tipo 4H/6H-P es un material semiconductor utilizado en la fabricación de dispositivos electrónicos, conocido por su excelente conductividad térmica, alto voltaje de ruptura y resistencia a altas temperaturas y corrosión. El grado de producción y el grado Zero MPD (Micro Pipe Defect) garantizan su confiabilidad y estabilidad en electrónica de potencia de alto rendimiento. Las obleas de calidad de producción se utilizan para la fabricación de dispositivos a gran escala con un estricto control de calidad, mientras que las obleas de calidad ficticia se utilizan principalmente para la depuración de procesos y pruebas de equipos. Las excelentes propiedades del SiC hacen que se aplique ampliamente en dispositivos electrónicos de alta temperatura, alto voltaje y alta frecuencia, como dispositivos de potencia y dispositivos de RF.

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Tabla de parámetros comunes de sustratos compuestos de SiC tipo 4H/6H-P

6 Sustrato de carburo de silicio (SiC) de diámetro en pulgadas Especificación

Calificación			Producción Cero MPDGrado (Z Calificación)	Producción estándarGrado (P Calificación)	Grado ficticio (D Calificación)
Diámetro			145,5 mm~150,0 mm
Espesor			350 micras ± 25 micras
Orientación de la oblea			-OffEje: 2,0°-4,0°hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, En el eje:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidad del microtubo			0cm-2
Resistividad	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Orientación plana primaria		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Longitud plana primaria			32,5 mm ± 2,0 mm
Longitud plana secundaria			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria			Silicio boca arriba: 90° CW. desde plano primario ± 5,0°
Exclusión de borde			3 milímetros		6 milímetros
LTV/TTV/arco/deformación			≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm		≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Aspereza			Polaco Ra≤1 nm
			CMPRa≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤2 mm
Placas hexagonales por luz de alta intensidad			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas politipo por luz de alta intensidad			Ninguno		Área acumulada≤3%
Inclusiones visuales de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arañazos en la superficie de silicio causados por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada≤1×diámetro de oblea
Chips de borde altos por intensidad de luz			Ninguno permitido ≥0,2 mm de ancho y profundidad		5 permitidos, ≤1 mm cada uno
Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad			Ninguno
Embalaje			Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea

Notas:

※ Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea excepto al área de exclusión de bordes. # Los rayones deben revisarse en la cara Si o

La oblea de SiC de 6 pulgadas tipo 4H/6H-P con grado Zero MPD y grado de producción o ficticio se usa ampliamente en aplicaciones electrónicas avanzadas. Su excelente conductividad térmica, alto voltaje de ruptura y resistencia a ambientes hostiles lo hacen ideal para electrónica de potencia, como interruptores e inversores de alto voltaje. El grado Zero MPD garantiza defectos mínimos, fundamentales para dispositivos de alta confiabilidad. Las obleas de producción se utilizan en la fabricación a gran escala de dispositivos de energía y aplicaciones de RF, donde el rendimiento y la precisión son cruciales. Por otro lado, las obleas de calidad ficticia se utilizan para la calibración de procesos, pruebas de equipos y creación de prototipos, lo que permite un control de calidad constante en entornos de producción de semiconductores.

Las ventajas de los sustratos compuestos de SiC tipo N incluyen

Alta conductividad térmica: La oblea de SiC 4H/6H-P disipa eficientemente el calor, lo que la hace adecuada para aplicaciones electrónicas de alta temperatura y alta potencia.
Alto voltaje de ruptura: Su capacidad para manejar altos voltajes sin fallas lo hace ideal para aplicaciones de electrónica de potencia y conmutación de alto voltaje.
Grado cero MPD (microdefecto de tubería): La densidad mínima de defectos garantiza una mayor confiabilidad y rendimiento, fundamental para dispositivos electrónicos exigentes.
Grado de producción para fabricación en masa: Adecuado para la producción a gran escala de dispositivos semiconductores de alto rendimiento con estrictos estándares de calidad.
Grado ficticio para pruebas y calibración: Permite la optimización de procesos, pruebas de equipos y creación de prototipos sin utilizar obleas de producción de alto costo.

En general, las obleas de SiC 4H/6H-P de 6 pulgadas con grado Zero MPD, grado de producción y grado ficticio ofrecen ventajas significativas para el desarrollo de dispositivos electrónicos de alto rendimiento. Estas obleas son particularmente beneficiosas en aplicaciones que requieren operación a alta temperatura, alta densidad de potencia y conversión de energía eficiente. El grado Zero MPD garantiza defectos mínimos para un rendimiento confiable y estable del dispositivo, mientras que las obleas de grado de producción admiten la fabricación a gran escala con estrictos controles de calidad. Las obleas de calidad ficticia proporcionan una solución rentable para la optimización de procesos y la calibración de equipos, lo que las hace indispensables para la fabricación de semiconductores de alta precisión.