Oblea de SiC 4H/6H-P de 6 pulgadas, grado MPD cero, grado de producción, grado ficticio
Tabla de parámetros comunes de los sustratos compuestos de SiC tipo 4H/6H-P
6 Sustrato de carburo de silicio (SiC) de 1,25 pulgadas de diámetro Especificación
| Calificación | Producción cero de MPDGrado (Z Calificación) | Producción estándarGrado (P Calificación) | Grado ficticio (D Calificación) | ||
| Diámetro | 145,5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| Espesor | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientación de las obleas | -Offeje: 2,0°-4,0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, En el eje:〈111〉± 0,5° para 3C-N | ||||
| Densidad de microtubos | 0 cm-2 | ||||
| Resistividad | tipo p 4H/6H-P | ≤0,1 Ωcm | ≤0,3 Ωcm | ||
| 3C-N de tipo n | ≤0,8 mΩcm | ≤1 m Ωcm | |||
| Orientación plana primaria | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Longitud plana primaria | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Longitud plana secundaria | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientación plana secundaria | Cara de silicio hacia arriba: 90° CW desde la superficie plana principal ± 5,0° | ||||
| Exclusión de bordes | 3 milímetros | 6 milímetros | |||
| LTV/TTV/Arco/Urdimbre | ≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |||
| Aspereza | Polaco Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Grietas en los bordes por luz de alta intensidad | Ninguno | Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||
| Placas hexagonales de luz de alta intensidad | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤0,1% | |||
| Áreas de politipos mediante luz de alta intensidad | Ninguno | Área acumulada ≤ 3% | |||
| Inclusiones visuales de carbono | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤3% | |||
| Rayaduras en la superficie de silicio causadas por luz de alta intensidad | Ninguno | Longitud acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| Chips de borde de alta intensidad de luz | No se permite ninguno ≥0,2 mm de ancho y profundidad | Se permiten 5, ≤1 mm cada uno | |||
| Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad | Ninguno | ||||
| Embalaje | Casete multi-obleas o contenedor de una sola oblea | ||||
Notas:
※ Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión del borde. # Los rayones deben verificarse en la cara de Si
La oblea de SiC tipo 4H/6H-P de 6 pulgadas con grado Zero MPD y grado de producción o ficticio se utiliza ampliamente en aplicaciones electrónicas avanzadas. Su excelente conductividad térmica, alta tensión de ruptura y resistencia a entornos hostiles la hacen ideal para electrónica de potencia, como interruptores e inversores de alta tensión. El grado Zero MPD garantiza la mínima cantidad de defectos, crucial para dispositivos de alta fiabilidad. Las obleas de grado de producción se utilizan en la fabricación a gran escala de dispositivos de potencia y aplicaciones de radiofrecuencia, donde el rendimiento y la precisión son cruciales. Las obleas de grado ficticio, por otro lado, se utilizan para la calibración de procesos, las pruebas de equipos y la creación de prototipos, lo que permite un control de calidad constante en entornos de producción de semiconductores.
Las ventajas de los sustratos compuestos de SiC tipo N incluyen
- Alta conductividad térmicaLa oblea de SiC 4H/6H-P disipa el calor de manera eficiente, lo que la hace adecuada para aplicaciones electrónicas de alta temperatura y alta potencia.
- Alto voltaje de rupturaSu capacidad para manejar altos voltajes sin fallas lo hace ideal para electrónica de potencia y aplicaciones de conmutación de alto voltaje.
- Grado cero MPD (defecto de microtubería):La densidad mínima de defectos garantiza una mayor confiabilidad y rendimiento, algo fundamental para dispositivos electrónicos exigentes.
- Grado de producción para fabricación en masa:Adecuado para la producción a gran escala de dispositivos semiconductores de alto rendimiento con estrictos estándares de calidad.
- Grado ficticio para pruebas y calibración:Permite optimizar procesos, probar equipos y crear prototipos sin utilizar obleas de producción de alto costo.
En general, las obleas de SiC 4H/6H-P de 6 pulgadas con grado Zero MPD, grado de producción y grado ficticio ofrecen ventajas significativas para el desarrollo de dispositivos electrónicos de alto rendimiento. Estas obleas son especialmente beneficiosas en aplicaciones que requieren operación a alta temperatura, alta densidad de potencia y conversión de energía eficiente. El grado Zero MPD garantiza la mínima cantidad de defectos para un rendimiento fiable y estable del dispositivo, mientras que las obleas de grado de producción facilitan la fabricación a gran escala con estrictos controles de calidad. Las obleas de grado ficticio ofrecen una solución rentable para la optimización de procesos y la calibración de equipos, lo que las hace indispensables para la fabricación de semiconductores de alta precisión.
Diagrama detallado
