Semilla de SiC 4H-N Dia205mm de China Monocristalino de grado P y D

El método PVT (transporte físico de vapor) es un método común utilizado para cultivar monocristales de carburo de silicio. En el proceso de crecimiento de PVT, el material monocristalino de carburo de silicio se deposita mediante evaporación física y transporte centrado en cristales semilla de carburo de silicio, de modo que nuevos monocristales de carburo de silicio crecen a lo largo de la estructura de los cristales semilla.

En el método PVT, el cristal semilla de carburo de silicio desempeña un papel clave como punto de partida y plantilla para el crecimiento, influyendo en la calidad y estructura del monocristal final. Durante el proceso de crecimiento de PVT, al controlar parámetros como la temperatura, la presión y la composición de la fase gaseosa, se puede lograr el crecimiento de monocristales de carburo de silicio para formar materiales monocristalinos de gran tamaño y alta calidad.

El proceso de crecimiento centrado en cristales semilla de carburo de silicio mediante el método PVT es de gran importancia en la producción de monocristales de carburo de silicio y desempeña un papel clave en la obtención de materiales monocristalinos de carburo de silicio de gran tamaño y alta calidad.

El cristal SiCseed de 8 pulgadas que ofrecemos es muy raro en el mercado actualmente. Debido a la dificultad técnica relativamente alta, la gran mayoría de las fábricas no pueden proporcionar cristales semilla de gran tamaño. Sin embargo, gracias a nuestra larga y estrecha relación con la fábrica china de carburo de silicio, podemos ofrecer a nuestros clientes esta oblea de semilla de carburo de silicio de 8 pulgadas. Si tiene alguna necesidad, no dude en contactarnos. Podemos compartir las especificaciones con usted primero.