Semilla de SiC de 205 mm de diámetro 4H-N de China, monocristalina de grado P y D

El método PVT (Transporte Físico de Vapor) es un método común para el crecimiento de monocristales de carburo de silicio. En este proceso, el material monocristalino de carburo de silicio se deposita mediante evaporación física y transporte centrado en los cristales semilla, de modo que los nuevos monocristales crecen a lo largo de su estructura.

En el método PVT, el cristal semilla de carburo de silicio desempeña un papel fundamental como punto de partida y plantilla para el crecimiento, influyendo en la calidad y la estructura del monocristal final. Durante el proceso de crecimiento PVT, controlando parámetros como la temperatura, la presión y la composición de la fase gaseosa, se puede lograr el crecimiento de monocristales de carburo de silicio para formar materiales monocristalinos de gran tamaño y alta calidad.

El proceso de crecimiento centrado en los cristales semilla de carburo de silicio mediante el método PVT es de gran importancia en la producción de monocristales de carburo de silicio y juega un papel clave en la obtención de materiales monocristalinos de carburo de silicio de gran tamaño y alta calidad.

El cristal semilla de SiC de 8 pulgadas que ofrecemos es muy poco común en el mercado actualmente. Debido a su complejidad técnica, la gran mayoría de las fábricas no pueden proporcionar cristales semilla de gran tamaño. Sin embargo, gracias a nuestra larga y estrecha relación con la fábrica china de carburo de silicio, podemos ofrecer a nuestros clientes esta oblea semilla de carburo de silicio de 8 pulgadas. Si necesita alguna, no dude en contactarnos. Le enviaremos las especificaciones primero.