Oblea de sustrato de SiC de 4 pulgadas 4H-N, maniquí de producción de carburo de silicio, grado de investigación
Aplicaciones
Las obleas de sustrato monocristalino de carburo de silicio de 4 pulgadas desempeñan un papel importante en diversos campos. En primer lugar, se utilizan ampliamente en la industria de semiconductores para la preparación de dispositivos electrónicos de alta potencia, como transistores de potencia, circuitos integrados y módulos de potencia. Su alta conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas le permiten disipar mejor el calor y proporcionar mayor eficiencia y fiabilidad. Además, las obleas de carburo de silicio también se utilizan en el campo de la investigación para desarrollar nuevos materiales y dispositivos. Además, se utilizan ampliamente en optoelectrónica, como en la fabricación de LED y diodos láser.
Especificaciones de la oblea de SiC de 4 pulgadas
Oblea monocristalina de carburo de silicio de 4 pulgadas (aprox. 101,6 mm) de diámetro, con acabado superficial de hasta Ra < 0,5 nm y espesor de 600 ± 25 μm. La conductividad de la oblea es de tipo N o tipo P y se puede personalizar según las necesidades del cliente. Además, el chip posee una excelente estabilidad mecánica y soporta cierta presión y vibración.
La oblea de sustrato monocristalino de carburo de silicio de 1 pulgada es un material de alto rendimiento ampliamente utilizado en los campos de semiconductores, investigación y optoelectrónica. Presenta una excelente conductividad térmica, estabilidad mecánica y resistencia a altas temperaturas, lo que la hace ideal para la preparación de dispositivos electrónicos de alta potencia y la investigación de nuevos materiales. Ofrecemos diversas especificaciones y opciones de personalización para satisfacer las necesidades de nuestros clientes. Visite nuestro sitio web independiente para obtener más información sobre las obleas de carburo de silicio.
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Diagrama detallado
