Oblea de sustrato de SiC 4H-N de 4 pulgadas, carburo de silicio, para producción, grado de investigación.
Aplicaciones
Las obleas de sustrato monocristalino de carburo de silicio de 4 pulgadas desempeñan un papel fundamental en numerosos campos. En primer lugar, se utilizan ampliamente en la industria de semiconductores para la fabricación de dispositivos electrónicos de alta potencia, como transistores de potencia, circuitos integrados y módulos de potencia. Su elevada conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas les permiten disipar el calor de forma más eficaz, lo que se traduce en una mayor eficiencia y fiabilidad. En segundo lugar, las obleas de carburo de silicio también se emplean en investigación para el desarrollo de nuevos materiales y dispositivos. Asimismo, tienen una amplia aplicación en optoelectrónica, por ejemplo, en la fabricación de LED y diodos láser.
Especificaciones de la oblea de SiC de 4 pulgadas
Oblea de sustrato monocristalino de carburo de silicio de 4 pulgadas de diámetro (aproximadamente 101,6 mm), con un acabado superficial de hasta Ra < 0,5 nm y un espesor de 600 ± 25 μm. La conductividad de la oblea es de tipo N o P y se puede personalizar según las necesidades del cliente. Además, el chip presenta una excelente estabilidad mecánica y soporta cierta presión y vibración.
La oblea de sustrato monocristalino de carburo de silicio de 1/2 pulgada es un material de alto rendimiento ampliamente utilizado en los campos de semiconductores, investigación y optoelectrónica. Posee una excelente conductividad térmica, estabilidad mecánica y resistencia a altas temperaturas, lo que la hace idónea para la fabricación de dispositivos electrónicos de alta potencia y la investigación de nuevos materiales. Ofrecemos una variedad de especificaciones y opciones de personalización para satisfacer las diversas necesidades de nuestros clientes. Visite nuestro sitio web para obtener más información sobre las obleas de carburo de silicio.
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Diagrama detallado
