4H-N Grado simulado de investigación de producción de carburo de silicio de oblea de sustrato de SiC de 4 pulgadas

Oblea de sustrato monocristalino de carburo de silicio de 4 pulgadas con un diámetro de 4 pulgadas (aproximadamente 101,6 mm), acabado superficial de hasta Ra < 0,5 nm, espesor de 600 ± 25 μm. La conductividad de la oblea es tipo N o tipo P y se puede personalizar según las necesidades del cliente. Además, el chip también tiene una excelente estabilidad mecánica y puede soportar una cierta presión y vibración.

La oblea de sustrato monocristalino de carburo de silicio de pulgadas es un material de alto rendimiento ampliamente utilizado en los campos de semiconductores, investigación y optoelectrónica. Tiene excelente conductividad térmica, estabilidad mecánica y resistencia a altas temperaturas, lo que es adecuado para la preparación de dispositivos electrónicos de alta potencia y la investigación de nuevos materiales. Ofrecemos una variedad de especificaciones y opciones de personalización para satisfacer una variedad de necesidades de los clientes. Preste atención a nuestro sitio independiente para obtener más información sobre la información del producto de obleas de carburo de silicio.

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