Sustrato de SiC de 3 pulgadas, diámetro de producción: 76,2 mm, 4H-N

Las características principales de las obleas MOSFET de carburo de silicio de 3 pulgadas son las siguientes:

El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor de banda prohibida amplia, caracterizado por una alta conductividad térmica, alta movilidad electrónica y una alta intensidad de campo eléctrico de ruptura. Estas propiedades hacen que las obleas de SiC sean excepcionales en aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura. En particular, en el politipo 4H-SiC, su estructura cristalina proporciona un excelente rendimiento electrónico, lo que lo convierte en el material predilecto para dispositivos electrónicos de potencia.

La oblea de carburo de silicio 4H-N de 3 pulgadas es una oblea dopada con nitrógeno con conductividad de tipo N. Este método de dopaje le confiere una mayor concentración de electrones, lo que mejora el rendimiento conductivo del dispositivo. Su tamaño de 3 pulgadas (76,2 mm de diámetro) es común en la industria de semiconductores y es adecuada para diversos procesos de fabricación.

La oblea de carburo de silicio 4H-N de 3 pulgadas se produce mediante el método de transporte físico de vapor (PVT). Este proceso implica la transformación del polvo de SiC en monocristales a altas temperaturas, lo que garantiza la calidad y uniformidad de los cristales de la oblea. Además, el espesor de la oblea suele ser de unos 0,35 mm, y su superficie se somete a un pulido de doble cara para lograr un nivel extremadamente alto de planitud y suavidad, crucial para los procesos posteriores de fabricación de semiconductores.

La gama de aplicaciones de la oblea de carburo de silicio 4H-N de 3 pulgadas es extensa, e incluye dispositivos electrónicos de alta potencia, sensores de alta temperatura, dispositivos de radiofrecuencia (RF) y dispositivos optoelectrónicos. Su excelente rendimiento y fiabilidad permiten que estos dispositivos funcionen de forma estable en condiciones extremas, satisfaciendo así la demanda de materiales semiconductores de alto rendimiento en la industria electrónica moderna.

Ofrecemos sustrato de SiC 4H-N de 3 pulgadas y obleas de diferentes grados. También podemos personalizarlas según sus necesidades. ¡Consulte con nosotros!