Sustrato de SiC de 3 pulgadas Diámetro de producción 76,2 mm 4H-N

Las características principales de las obleas Mosfet de carburo de silicio de 3 pulgadas son las siguientes;

El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor de banda prohibida, caracterizado por una alta conductividad térmica, alta movilidad de electrones y una alta intensidad de campo eléctrico de ruptura. Estas propiedades hacen que las obleas de SiC sean excelentes en aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura. Particularmente en el politipo 4H-SiC, su estructura cristalina proporciona un rendimiento electrónico excelente, lo que lo convierte en el material elegido para dispositivos electrónicos de potencia.

La oblea 4H-N de carburo de silicio de 3 pulgadas es una oblea dopada con nitrógeno con conductividad tipo N. Este método de dopaje le da a la oblea una mayor concentración de electrones, mejorando así el rendimiento conductor del dispositivo. El tamaño de la oblea, de 3 pulgadas (diámetro de 76,2 mm), es una dimensión comúnmente utilizada en la industria de semiconductores, adecuada para diversos procesos de fabricación.

La oblea de carburo de silicio 4H-N de 3 pulgadas se produce mediante el método de transporte físico de vapor (PVT). Este proceso implica transformar el polvo de SiC en monocristales a altas temperaturas, asegurando la calidad del cristal y la uniformidad de la oblea. Además, el grosor de la oblea suele ser de alrededor de 0,35 mm y su superficie se somete a un pulido de doble cara para lograr un nivel extremadamente alto de planitud y suavidad, lo cual es crucial para los procesos posteriores de fabricación de semiconductores.

El rango de aplicaciones de la oblea 4H-N de carburo de silicio de 3 pulgadas es amplio e incluye dispositivos electrónicos de alta potencia, sensores de alta temperatura, dispositivos de RF y dispositivos optoelectrónicos. Su excelente rendimiento y confiabilidad permiten que estos dispositivos funcionen de manera estable en condiciones extremas, satisfaciendo la demanda de materiales semiconductores de alto rendimiento en la industria electrónica moderna.

Podemos proporcionar sustrato de SiC 4H-N de 3 pulgadas y diferentes grados de obleas de sustrato. También podemos organizar la personalización según sus necesidades. ¡Bienvenida consulta!