Grado superior conductor pulido doble del Mos del grado de la oblea de Sic del sustrato del carburo de silicio de 2 pulgadas 6H-N

El sustrato monocristalino de carburo de silicio (SiC) de tipo n 6H es un material semiconductor esencial ampliamente utilizado en aplicaciones electrónicas de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura. Reconocido por su estructura cristalina hexagonal, el SiC 6H-N ofrece una banda prohibida amplia y una alta conductividad térmica, lo que lo hace ideal para entornos exigentes.
El alto campo eléctrico de ruptura y la movilidad de los electrones de este material permiten el desarrollo de dispositivos electrónicos de potencia eficientes, como MOSFET e IGBT, que pueden funcionar a voltajes y temperaturas más altos que los fabricados con silicio tradicional. Su excelente conductividad térmica garantiza una disipación efectiva del calor, fundamental para mantener el rendimiento y la confiabilidad en aplicaciones de alta potencia.
En aplicaciones de radiofrecuencia (RF), las propiedades del 6H-N SiC respaldan la creación de dispositivos capaces de operar a frecuencias más altas con una eficiencia mejorada. Su estabilidad química y resistencia a la radiación también lo hacen adecuado para su uso en entornos hostiles, incluidos los sectores aeroespacial y de defensa.
Además, los sustratos de SiC 6H-N son parte integral de los dispositivos optoelectrónicos, como los fotodetectores ultravioleta, donde su amplia banda prohibida permite una detección eficiente de la luz ultravioleta. La combinación de estas propiedades hace que el SiC de tipo n 6H sea un material versátil e indispensable para el avance de las tecnologías electrónicas y optoelectrónicas modernas.