Oblea de carburo de silicio de 2 pulgadas, 6H-N, con sustrato de carburo de silicio, doble pulido, conductora, de primera calidad, grado Mos

El sustrato monocristalino de carburo de silicio (SiC) tipo n 6H es un material semiconductor esencial ampliamente utilizado en aplicaciones electrónicas de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura. Reconocido por su estructura cristalina hexagonal, el SiC 6H-N ofrece una amplia banda prohibida y alta conductividad térmica, lo que lo hace ideal para entornos exigentes.
El alto campo eléctrico de ruptura y la movilidad electrónica de este material permiten el desarrollo de dispositivos electrónicos de potencia eficientes, como MOSFET e IGBT, que pueden operar a voltajes y temperaturas más altos que los fabricados con silicio tradicional. Su excelente conductividad térmica garantiza una disipación térmica eficaz, crucial para mantener el rendimiento y la fiabilidad en aplicaciones de alta potencia.
En aplicaciones de radiofrecuencia (RF), las propiedades del 6H-N SiC facilitan la creación de dispositivos capaces de operar a frecuencias más altas con mayor eficiencia. Su estabilidad química y resistencia a la radiación también lo hacen adecuado para su uso en entornos hostiles, como los sectores aeroespacial y de defensa.
Además, los sustratos de SiC 6H-N son esenciales para dispositivos optoelectrónicos, como los fotodetectores ultravioleta, donde su amplia banda prohibida permite una detección eficiente de la luz UV. La combinación de estas propiedades convierte al SiC 6H tipo n en un material versátil e indispensable para el avance de las tecnologías electrónicas y optoelectrónicas modernas.