Detector de luz APD de sustrato de oblea epitaxial InP de 2, 3 y 4 pulgadas para comunicaciones de fibra óptica o LiDAR

Sustrato de oblea epitaxial InP de 2, 3 y 4 pulgadas para detector de luz APD para comunicaciones de fibra óptica o LiDAR. Imagen destacada.

Descripción breve:

El sustrato epitaxial de InP es el material base para la fabricación de fotodetectores de avalancha (APD), generalmente un material semiconductor depositado sobre el sustrato mediante tecnología de crecimiento epitaxial. Entre los materiales comúnmente utilizados se incluyen el silicio (Si), el arseniuro de galio (GaAs) y el nitruro de galio (GaN), entre otros, que presentan excelentes propiedades fotoeléctricas. El fotodetector APD es un tipo especial de fotodetector que utiliza el efecto fotoeléctrico de avalancha para mejorar la señal de detección. Cuando los fotones inciden sobre el APD, se generan pares electrón-hueco. La aceleración de estos portadores bajo la acción de un campo eléctrico puede dar lugar a la formación de más portadores, un «efecto avalancha», que amplifica significativamente la corriente de salida.
Las obleas epitaxiales crecidas mediante MOCvD son fundamentales para las aplicaciones de fotodiodos de avalancha (APD). La capa de absorción se preparó con material U-InGaAs con un dopaje de fondo <5E14. La capa funcional puede ser de InP o InAlAs. El sustrato epitaxial de InP es el material base para la fabricación de APD, y determina el rendimiento del detector óptico. El fotodetector APD es un tipo de fotodetector de alta sensibilidad, ampliamente utilizado en comunicaciones, sensores e imagen.

Envíanos un correo electrónico.

Características

Las características clave de la lámina epitaxial láser de InP incluyen

1. Características de la banda prohibida: El InP tiene una banda prohibida estrecha, lo que resulta adecuado para la detección de luz infrarroja de onda larga, especialmente en el rango de longitud de onda de 1,3 μm a 1,5 μm.
2. Rendimiento óptico: La película epitaxial de InP presenta un buen rendimiento óptico, como una alta potencia luminosa y una eficiencia cuántica externa elevada a diferentes longitudes de onda. Por ejemplo, a 480 nm, la potencia luminosa y la eficiencia cuántica externa son del 11,2 % y el 98,8 %, respectivamente.
3. Dinámica de portadores: Las nanopartículas (NPs) de InP presentan un comportamiento de decaimiento exponencial doble durante el crecimiento epitaxial. El tiempo de decaimiento rápido se atribuye a la inyección de portadores en la capa de InGaAs, mientras que el tiempo de decaimiento lento está relacionado con la recombinación de portadores en las NPs de InP.
4. Características de alta temperatura: El material de pozo cuántico AlGaInAs/InP tiene un excelente rendimiento a altas temperaturas, lo que puede prevenir eficazmente las fugas de flujo y mejorar las características de alta temperatura del láser.
5. Proceso de fabricación: Las láminas epitaxiales de InP generalmente se cultivan sobre el sustrato mediante epitaxia de haces moleculares (MBE) o tecnología de deposición química de vapor metalorgánica (MOCVD) para lograr películas de alta calidad.
Estas características hacen que las obleas epitaxiales láser de InP tengan importantes aplicaciones en la comunicación por fibra óptica, la distribución de claves cuánticas y la detección óptica remota.

Las principales aplicaciones de las tabletas epitaxiales de láser InP incluyen

1. Fotónica: Los láseres y detectores InP se utilizan ampliamente en comunicaciones ópticas, centros de datos, imágenes infrarrojas, biometría, detección 3D y LiDAR.

2. Telecomunicaciones: Los materiales InP tienen aplicaciones importantes en la integración a gran escala de láseres de longitud de onda larga basados en silicio, especialmente en comunicaciones de fibra óptica.

3. Láseres infrarrojos: Aplicaciones de los láseres de pozo cuántico basados en InP en la banda del infrarrojo medio (como de 4 a 38 micras), incluyendo detección de gases, detección de explosivos e imágenes infrarrojas.

4. Fotónica de silicio: Mediante tecnología de integración heterogénea, el láser InP se transfiere a un sustrato basado en silicio para formar una plataforma de integración optoelectrónica de silicio multifuncional.

5. Láseres de alto rendimiento: Los materiales InP se utilizan para fabricar láseres de alto rendimiento, como los láseres de transistor InGaAsP-InP con una longitud de onda de 1,5 micras.

XKH ofrece obleas epitaxiales de InP personalizadas con diferentes estructuras y espesores, que abarcan una variedad de aplicaciones como comunicaciones ópticas, sensores, estaciones base 4G/5G, etc. Los productos de XKH se fabrican utilizando equipos MOCVD avanzados para garantizar un alto rendimiento y fiabilidad. En cuanto a la logística, XKH cuenta con una amplia red de proveedores internacionales, puede gestionar con flexibilidad el volumen de pedidos y proporciona servicios de valor añadido como el adelgazamiento y la segmentación. Los eficientes procesos de entrega garantizan la puntualidad y el cumplimiento de los requisitos de calidad y plazos de entrega de los clientes. Tras la recepción, los clientes reciben soporte técnico integral y un servicio posventa completo para asegurar una puesta en marcha sin problemas del producto.