Detector de luz APD con sustrato de oblea epitaxial InP de 2 pulgadas, 3 pulgadas y 4 pulgadas para comunicaciones de fibra óptica o LiDAR

Breve descripción:

El sustrato epitaxial InP es el material base para la fabricación de APD, generalmente un material semiconductor depositado sobre el sustrato mediante tecnología de crecimiento epitaxial. Los materiales más utilizados incluyen silicio (Si), arseniuro de galio (GaAs), nitruro de galio (GaN), etc., con excelentes propiedades fotoeléctricas. El fotodetector APD es un tipo especial de fotodetector que utiliza el efecto fotoeléctrico de avalancha para mejorar la señal de detección. Cuando los fotones inciden sobre APD, se generan pares electrón-hueco. La aceleración de estos portadores bajo la acción de un campo eléctrico puede provocar la formación de más portadores, un “efecto avalancha”, que amplifica significativamente la corriente de salida.
Las obleas epitaxiales cultivadas por MOCvD son el foco de las aplicaciones de diodos de fotodetección de avalanchas. La capa de absorción se preparó con material U-InGaAs con dopaje de fondo <5E14. La capa funcional puede utilizar InP o InAlAslayer. El sustrato epitaxial InP es el material básico para la fabricación de APD, que determina el rendimiento del detector óptico. El fotodetector APD es un tipo de fotodetector de alta sensibilidad, que se usa ampliamente en los campos de comunicación, detección e imágenes.

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Las características clave de la lámina epitaxial láser InP incluyen

1. Características de la banda prohibida: InP tiene una banda prohibida estrecha, que es adecuada para la detección de luz infrarroja de onda larga, especialmente en el rango de longitud de onda de 1,3 μm a 1,5 μm.
2. Rendimiento óptico: la película epitaxial InP tiene un buen rendimiento óptico, como potencia luminosa y eficiencia cuántica externa en diferentes longitudes de onda. Por ejemplo, a 480 nm, la potencia luminosa y la eficiencia cuántica externa son del 11,2% y 98,8%, respectivamente.
3. Dinámica del portador: las nanopartículas (NP) de InP exhiben un comportamiento de desintegración exponencial doble durante el crecimiento epitaxial. El tiempo de desintegración rápido se atribuye a la inyección de portadores en la capa de InGaAs, mientras que el tiempo de desintegración lento está relacionado con la recombinación de portadores en las NP de InP.
4. Características de alta temperatura: el material del pozo cuántico AlGaInAs/InP tiene un excelente rendimiento a alta temperatura, lo que puede prevenir eficazmente las fugas de corriente y mejorar las características de alta temperatura del láser.
5. Proceso de fabricación: las láminas epitaxiales de InP generalmente se cultivan sobre el sustrato mediante epitaxia de haz molecular (MBE) o tecnología de deposición química de vapor organometálico (MOCVD) para lograr películas de alta calidad.
Estas características hacen que las obleas epitaxiales láser InP tengan importantes aplicaciones en comunicación por fibra óptica, distribución de claves cuánticas y detección óptica remota.

Las principales aplicaciones de las tabletas epitaxiales con láser InP incluyen

1. Fotónica: Los láseres y detectores InP se utilizan ampliamente en comunicaciones ópticas, centros de datos, imágenes infrarrojas, biometría, detección 3D y LiDAR.

2. Telecomunicaciones: Los materiales InP tienen aplicaciones importantes en la integración a gran escala de láseres de longitud de onda larga basados en silicio, especialmente en comunicaciones de fibra óptica.

3. Láseres infrarrojos: Aplicaciones de láseres de pozo cuántico basados en InP en la banda del infrarrojo medio (como de 4 a 38 micrones), incluida la detección de gases, la detección de explosivos y la obtención de imágenes infrarrojas.

4. Fotónica de silicio: mediante tecnología de integración heterogénea, el láser InP se transfiere a un sustrato a base de silicio para formar una plataforma de integración optoelectrónica de silicio multifuncional.

5. Láseres de alto rendimiento: los materiales InP se utilizan para fabricar láseres de alto rendimiento, como los láseres de transistores InGaAsP-InP con una longitud de onda de 1,5 micras.

XKH ofrece obleas epitaxiales InP personalizadas con diferentes estructuras y espesores, que cubren una variedad de aplicaciones como comunicaciones ópticas, sensores, estaciones base 4G/5G, etc. Los productos de XKH se fabrican utilizando equipos MOCVD avanzados para garantizar un alto rendimiento y confiabilidad. En términos de logística, XKH tiene una amplia gama de canales de origen internacionales, puede manejar de manera flexible la cantidad de pedidos y brindar servicios de valor agregado como adelgazamiento, segmentación, etc. Los procesos de entrega eficientes garantizan la entrega a tiempo y cumplen con los requisitos del cliente para calidad y tiempos de entrega. Después de su llegada, los clientes pueden obtener soporte técnico integral y servicio posventa para garantizar que el producto se utilice sin problemas.