Detector de luz APD de sustrato de oblea epitaxial InP de 2, 3 y 4 pulgadas para comunicaciones por fibra óptica o LiDAR

Descripción breve:

El sustrato epitaxial de InP es el material base para la fabricación de APD, generalmente un material semiconductor depositado sobre el sustrato mediante tecnología de crecimiento epitaxial. Entre los materiales más utilizados se incluyen el silicio (Si), el arseniuro de galio (GaAs), el nitruro de galio (GaN), etc., con excelentes propiedades fotoeléctricas. El fotodetector APD es un tipo especial de fotodetector que utiliza el efecto fotoeléctrico de avalancha para mejorar la señal de detección. Cuando los fotones inciden sobre el APD, se generan pares electrón-hueco. La aceleración de estos portadores bajo la acción de un campo eléctrico puede provocar la formación de más portadores, un "efecto avalancha", que amplifica significativamente la corriente de salida.
Las obleas epitaxiales obtenidas mediante MOCvD son el foco de las aplicaciones de diodos de fotodetección de avalancha. La capa de absorción se preparó con material U-InGaAs con dopaje de fondo <5E14. La capa funcional puede ser de InP o InAlAs. El sustrato epitaxial de InP es el material básico para la fabricación de APD, lo que determina el rendimiento del detector óptico. El fotodetector APD es un tipo de fotodetector de alta sensibilidad, ampliamente utilizado en los campos de la comunicación, la detección y la imagen.

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Las características principales de la lámina epitaxial láser InP incluyen:

1. Características de banda prohibida: InP tiene una banda prohibida estrecha, que es adecuada para la detección de luz infrarroja de onda larga, especialmente en el rango de longitud de onda de 1,3 μm a 1,5 μm.
2. Rendimiento óptico: La película epitaxial de InP ofrece un buen rendimiento óptico, como la potencia luminosa y la eficiencia cuántica externa a diferentes longitudes de onda. Por ejemplo, a 480 nm, la potencia luminosa y la eficiencia cuántica externa son del 11,2 % y el 98,8 %, respectivamente.
3. Dinámica de portadores: Las nanopartículas (NP) de InP presentan un comportamiento de desintegración exponencial doble durante el crecimiento epitaxial. El rápido tiempo de desintegración se atribuye a la inyección de portadores en la capa de InGaAs, mientras que el lento tiempo de desintegración se relaciona con la recombinación de portadores en las NP de InP.
4. Características de alta temperatura: el material de pozo cuántico AlGaInAs/InP tiene un excelente rendimiento a alta temperatura, lo que puede prevenir eficazmente fugas de corriente y mejorar las características de alta temperatura del láser.
5. Proceso de fabricación: Las láminas epitaxiales de InP generalmente se cultivan en el sustrato mediante epitaxia de haz molecular (MBE) o tecnología de deposición química en fase de vapor metalorgánica (MOCVD) para lograr películas de alta calidad.
Estas características hacen que las obleas epitaxiales de láser InP tengan aplicaciones importantes en la comunicación por fibra óptica, la distribución de claves cuánticas y la detección óptica remota.

Las principales aplicaciones de las tabletas epitaxiales láser InP incluyen:

1. Fotónica: Los láseres y detectores InP se utilizan ampliamente en comunicaciones ópticas, centros de datos, imágenes infrarrojas, biometría, detección 3D y LiDAR.

2. Telecomunicaciones: Los materiales InP tienen aplicaciones importantes en la integración a gran escala de láseres de longitud de onda larga basados en silicio, especialmente en comunicaciones de fibra óptica.

3. Láseres infrarrojos: aplicaciones de láseres de pozo cuántico basados en InP en la banda del infrarrojo medio (como 4-38 micrones), incluida la detección de gases, la detección de explosivos y la obtención de imágenes infrarrojas.

4. Fotónica de silicio: a través de la tecnología de integración heterogénea, el láser InP se transfiere a un sustrato a base de silicio para formar una plataforma de integración optoelectrónica de silicio multifuncional.

5. Láseres de alto rendimiento: Los materiales InP se utilizan para fabricar láseres de alto rendimiento, como los láseres de transistores InGaAsP-InP con una longitud de onda de 1,5 micrones.

XKH ofrece obleas epitaxiales de InP personalizadas con diferentes estructuras y espesores, que abarcan diversas aplicaciones, como comunicaciones ópticas, sensores, estaciones base 4G/5G, etc. Los productos de XKH se fabrican con equipos MOCVD avanzados para garantizar un alto rendimiento y fiabilidad. En cuanto a la logística, XKH cuenta con una amplia gama de canales de suministro internacionales, gestiona con flexibilidad el volumen de pedidos y ofrece servicios de valor añadido como adelgazamiento y segmentación. Nuestros eficientes procesos de entrega garantizan la puntualidad y cumplen con los requisitos del cliente en cuanto a calidad y plazos de entrega. Tras la llegada, los clientes pueden disfrutar de un completo soporte técnico y servicio posventa para garantizar una puesta en funcionamiento sin problemas del producto.