Oblea de SiC ficticia de grado 4H-N de 8 pulgadas con sustrato de SiC de 200 mm

Oblea de SiC de 8 pulgadas, grado ficticio, sustrato de SiC de 200 mm, 4H-N Imagen destacada

Breve descripción:

Sustrato de carburo de silicio con un diámetro de 8 pulgadas (unos 200 mm).El sustrato de carburo de silicio (SiC) es un material importante para la fabricación de dispositivos de potencia y dispositivos optoelectrónicos.Los sustratos de SiC de 8 pulgadas se utilizan comúnmente para fabricar dispositivos electrónicos de alta potencia, como MOSFET de potencia, diodos de potencia y otros dispositivos de potencia de alto rendimiento.Este sustrato de gran tamaño puede mejorar la eficiencia de la producción, reducir los costos de fabricación y ayudar a permitir la fabricación de dispositivos más potentes.El material de carburo de silicio tiene una excelente conductividad térmica, resistencia a altas temperaturas y resistencia a la radiación, lo que lo convierte en una opción ideal para fabricar dispositivos de potencia de alto rendimiento.

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Las dificultades técnicas de la producción de sustratos de SiC de 8 pulgadas incluyen:

1.Crecimiento cristalino: Lograr un crecimiento monocristalino de alta calidad de carburo de silicio en grandes diámetros puede ser un desafío debido al control de defectos e impurezas.

2.Procesamiento de obleas: El tamaño más grande de las obleas de 8 pulgadas presenta desafíos en términos de uniformidad y control de defectos durante el procesamiento de obleas, como pulido, grabado y dopado.

3. Homogeneidad del material: Garantizar propiedades consistentes del material y homogeneidad en todo el sustrato de SiC de 8 pulgadas es técnicamente exigente y requiere un control preciso durante el proceso de fabricación.

4.Costo: Ampliar sustratos de SiC de hasta 8 pulgadas manteniendo una alta calidad y rendimiento del material puede ser un desafío económico debido a la complejidad y el costo de los procesos de producción.

5. Abordar estas dificultades técnicas es crucial para la adopción generalizada de sustratos de SiC de 8 pulgadas en dispositivos optoelectrónicos y de potencia de alto rendimiento.

Suministramos sustratos de zafiro de las principales fábricas exportadoras de SiC de China, incluida Tankeblue.Más de 10 años de agencia nos han permitido mantener una estrecha relación con la fábrica.Podemos proporcionarle los sustratos de SiC de 6 y 8 pulgadas que necesita para un suministro estable y a largo plazo, al mismo tiempo que ofrecemos el mejor precio y precio.

Tankeblue es una empresa de alta tecnología especializada en el desarrollo, producción y venta de chips semiconductores de carburo de silicio (SiC) de tercera generación.La empresa es uno de los principales productores mundiales de obleas de SiC.