Obleas de carburo de silicio de 2 pulgadas Sustratos de SiC semiaislantes o tipo N 6H o 4H
Productos recomendados
Oblea de SiC 4H tipo N
Diámetro: 2 pulgadas 50,8 mm | 4 pulgadas 100 mm | 6 pulgadas 150mm
Orientación: fuera del eje 4,0˚ hacia <1120> ± 0,5˚
Resistividad: < 0,1 ohmios.cm
Rugosidad: cara Si CMP Ra <0,5 nm, pulido óptico cara C Ra <1 nm
Oblea de SiC 4H Semiaislante
Diámetro: 2 pulgadas 50,8 mm | 4 pulgadas 100 mm | 6 pulgadas 150mm
Orientación: sobre el eje {0001} ± 0,25˚
Resistividad: >1E5 ohm.cm
Rugosidad: cara Si CMP Ra <0,5 nm, pulido óptico cara C Ra <1 nm
1. Infraestructura 5G: suministro de energía para comunicaciones.
La fuente de alimentación de comunicación es la base de energía para la comunicación del servidor y la estación base. Proporciona energía eléctrica para diversos equipos de transmisión para garantizar el funcionamiento normal del sistema de comunicación.
2. Pila de carga de vehículos de nueva energía: módulo de potencia de la pila de carga.
La alta eficiencia y alta potencia del módulo de potencia de la pila de carga se pueden lograr utilizando carburo de silicio en el módulo de potencia de la pila de carga, para mejorar la velocidad de carga y reducir el costo de carga.
3. Big data center, Internet industrial: fuente de alimentación del servidor.
La fuente de alimentación del servidor es la biblioteca de energía del servidor. El servidor proporciona energía para garantizar el funcionamiento normal del sistema del servidor. El uso de componentes de potencia de carburo de silicio en la fuente de alimentación del servidor puede mejorar la densidad de potencia y la eficiencia de la fuente de alimentación del servidor, reducir el volumen del centro de datos en general, reducir el costo general de construcción del centro de datos y lograr un mayor impacto ambiental. eficiencia.
4. Uhv - Aplicación de disyuntores de CC de transmisión flexible.
5. Tren interurbano de alta velocidad y tránsito ferroviario interurbano: convertidores de tracción, transformadores electrónicos de potencia, convertidores auxiliares, fuentes de alimentación auxiliares.
Parámetro
Propiedades | unidad | Silicio | Sic | GaN |
Ancho de banda prohibida | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
Campo de desglose | VM/cm | 0,23 | 2.2 | 3.3 |
Movilidad electrónica | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
Valor de deriva | 10^7cm/s | 1 | 2.7 | 2.5 |
Conductividad térmica | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |