Obleas de carburo de silicio de 2 pulgadas, sustratos de SiC tipo N 6H o 4H o semi-aislantes
Productos recomendados
Oblea de SiC 4H tipo N
Diámetro: 2 pulgadas (50,8 mm) | 4 pulgadas (100 mm) | 6 pulgadas (150 mm)
Orientación: fuera del eje 4,0° hacia <1120> ± 0,5°
Resistividad: < 0,1 ohm·cm
Rugosidad: Cara Si CMP Ra <0,5 nm, cara C pulido óptico Ra <1 nm
Oblea de SiC 4H semi-aislante
Diámetro: 2 pulgadas (50,8 mm) | 4 pulgadas (100 mm) | 6 pulgadas (150 mm)
Orientación: sobre el eje {0001} ± 0,25˚
Resistividad: >1E5 ohm.cm
Rugosidad: Cara Si CMP Ra <0,5 nm, cara C pulido óptico Ra <1 nm
1. Infraestructura 5G: suministro de energía para comunicaciones.
La fuente de alimentación para comunicaciones es la base energética de las comunicaciones entre servidores y estaciones base. Proporciona energía eléctrica a los diversos equipos de transmisión para garantizar el funcionamiento normal del sistema de comunicaciones.
2. Estación de carga de vehículos de nueva energía: módulo de potencia de la estación de carga.
La alta eficiencia y la alta potencia del módulo de alimentación de la pila de carga se pueden lograr utilizando carburo de silicio en el módulo de alimentación de la pila de carga, para así mejorar la velocidad de carga y reducir el costo de carga.
3. Centro de datos grande, Internet industrial: fuente de alimentación del servidor.
La fuente de alimentación del servidor es la biblioteca energética del servidor. El servidor proporciona la energía necesaria para garantizar el funcionamiento normal del sistema. El uso de componentes de potencia de carburo de silicio en la fuente de alimentación del servidor permite mejorar la densidad de potencia y la eficiencia, reducir el volumen del centro de datos, disminuir su coste total de construcción y lograr una mayor eficiencia ambiental.
4. UHV - Aplicación de interruptores de circuito de CC de transmisión flexible.
5. Ferrocarril interurbano de alta velocidad y tránsito ferroviario interurbano: convertidores de tracción, transformadores electrónicos de potencia, convertidores auxiliares, fuentes de alimentación auxiliares.
Parámetro
| Propiedades | unidad | Silicio | Sic | GaN |
| Ancho de banda prohibida | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
| Campo de desglose | MV/cm | 0.23 | 2.2 | 3.3 |
| movilidad electrónica | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
| Velocidad de deriva | 10^7 cm/s | 1 | 2.7 | 2.5 |
| conductividad térmica | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |

