Oblea de zafiro de 2 pulgadas y 50,8 mm, plano C, plano M, plano R, plano A, espesor 350 um, 430 um, 500 um
Especificación de diferentes orientaciones
| Orientación | Eje C(0001) | Eje R(1-102) | Eje M(10-10) | Eje A(11-20) | ||
| Propiedad física | El eje C tiene luz cristalina y los demás ejes tienen luz negativa. El plano C es plano, preferiblemente cortado. | Plano R un poco más duro que A. | El plano M tiene dientes escalonados, no es fácil de cortar, pero es fácil de cortar. | La dureza del plano A es significativamente mayor que la del plano C, lo que se manifiesta en resistencia al desgaste, resistencia al rayado y alta dureza; El plano A lateral es un plano en zigzag, que es fácil de cortar; | ||
| Aplicaciones | Los sustratos de zafiro orientados al C se utilizan para desarrollar películas depositadas III-V y II-VI, como nitruro de galio, que pueden producir productos LED azules, diodos láser y aplicaciones de detectores infrarrojos. | Crecimiento de sustrato orientado a R de diferentes extrasistemas de silicio depositados, utilizados en circuitos integrados de microelectrónica. | Se utiliza principalmente para cultivar películas epitaxiales de GaN no polares/semipolares para mejorar la eficiencia luminosa. | La orientación A respecto al sustrato produce una permitividad/medio uniforme, y se utiliza un alto grado de aislamiento en la tecnología microelectrónica híbrida. Se pueden producir superconductores de alta temperatura a partir de cristales alargados de base A. | ||
| Capacidad de procesamiento | Sustrato de zafiro con patrón (PSS): en forma de crecimiento o grabado, se diseñan y fabrican patrones de microestructura regulares específicos a escala nanométrica en el sustrato de zafiro para controlar la forma de salida de luz del LED y reducir los defectos diferenciales entre el GaN que crece en el sustrato de zafiro, mejorar la calidad de la epitaxia, mejorar la eficiencia cuántica interna del LED y aumentar la eficiencia de la extracción de luz. Además, el prisma de zafiro, el espejo, la lente, el orificio, el cono y otras piezas estructurales se pueden personalizar según los requisitos del cliente. | |||||
| Declaración de propiedad | Densidad | Dureza | punto de fusión | Índice de refracción (visible e infrarrojo) | Transmitancia (DSP) | Constante dieléctrica |
| 3,98 g/cm3 | 9 (Mohs) | 2053℃ | 1.762~1.770 | ≥85% | 11,58 a 300 K en el eje C (9,4 en el eje A) | |
Diagrama detallado
