Oblea de zafiro de 2 pulgadas y 50,8 mm Plano C Plano M Plano R Plano A Espesor 350um 430um 500um

Oblea de zafiro de 2 pulgadas y 50,8 mm Plano C Plano M Plano R Plano A Espesor 350 um 430 um 500 um Imagen destacada

Breve descripción:

El zafiro es un material con una combinación única de propiedades físicas, químicas y ópticas que lo hacen resistente a altas temperaturas, choques térmicos, erosión por agua y arena y rayones.

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Especificación de diferentes orientaciones.

Orientación	C(0001)-Eje		Eje R(1-102)		M(10-10) -Eje	Eje A(11-20)
Propiedad física	El eje C tiene luz cristalina y los otros ejes tienen luz negativa. El plano C es plano, preferiblemente cortado.		El plano R es un poco más duro que el A.		El plano M es dentado escalonado, no es fácil de cortar, es fácil de cortar.	La dureza del plano A es significativamente mayor que la del plano C, lo que se manifiesta en resistencia al desgaste, resistencia al rayado y alta dureza; El plano lateral A es un plano en zigzag, que es fácil de cortar;
Aplicaciones	Los sustratos de zafiro orientados a C se utilizan para hacer crecer películas depositadas III-V y II-VI, como el nitruro de galio, que puede producir productos LED azules, diodos láser y aplicaciones de detectores de infrarrojos. Esto se debe principalmente a que el proceso de crecimiento del cristal de zafiro a lo largo del eje C está maduro, el costo es relativamente bajo, las propiedades físicas y químicas son estables y la tecnología de epitaxia en el plano C es madura y estable.		Crecimiento de sustrato orientado a R de diferentes extracristales de silicio depositados, utilizados en circuitos integrados de microelectrónica. Además, también se pueden formar circuitos integrados de alta velocidad y sensores de presión en el proceso de producción de películas de crecimiento de silicio epitaxial. El sustrato tipo R también se puede utilizar en la producción de plomo, otros componentes superconductores, resistencias de alta resistencia y arseniuro de galio.		Se utiliza principalmente para cultivar películas epitaxiales de GaN no polares/semipolares para mejorar la eficiencia luminosa.	La orientación A hacia el sustrato produce una permitividad/medio uniforme, y en la tecnología de microelectrónica híbrida se utiliza un alto grado de aislamiento. Se pueden producir superconductores de alta temperatura a partir de cristales alargados de base A.
Capacidad de procesamiento	Sustrato de zafiro con patrón (PSS): en forma de crecimiento o grabado, se diseñan y fabrican patrones de microestructura regulares específicos a nanoescala en el sustrato de zafiro para controlar la forma de salida de luz del LED y reducir los defectos diferenciales entre el GaN que crece en el sustrato de zafiro. , mejorar la calidad de la epitaxia, mejorar la eficiencia cuántica interna del LED y aumentar la eficiencia de la extracción de luz. Además, el prisma, el espejo, la lente, el orificio, el cono y otras piezas estructurales de zafiro se pueden personalizar según los requisitos del cliente.
Declaración de propiedad	Densidad	Dureza	punto de fusión	Índice de refracción (visible e infrarrojo)	Transmitancia (DSP)	Constante dieléctrica
Declaración de propiedad	3,98g/cm3	9(meses)	2053℃	1,762~1,770	≥85%	11,58 a 300 K en el eje C (9,4 en el eje A)

Diagrama detallado

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