Sustrato de SiC de 12 pulgadas, tipo N, tamaño grande, aplicaciones de RF de alto rendimiento
Parámetros técnicos
Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) de 12 pulgadas | |||||
Calificación | Producción de ZeroMPD Grado (Grado Z) | Producción estándar Grado (Grado P) | Grado ficticio (Grado D) | ||
Diámetro | 300 mm ~ 1305 mm | ||||
Espesor | 4H-N | 750 μm ± 15 μm | 750 μm ± 25 μm | ||
4H-SI | 750 μm ± 15 μm | 750 μm ± 25 μm | |||
Orientación de las obleas | Fuera del eje: 4,0° hacia <1120 >±0,5° para 4H-N, En el eje: <0001>±0,5° para 4H-SI | ||||
Densidad de microtubos | 4H-N | ≤0,4 cm-2 | ≤4 cm-2 | ≤25 cm-2 | |
4H-SI | ≤5 cm-2 | ≤10 cm-2 | ≤25 cm-2 | ||
Resistividad | 4H-N | 0,015~0,024 Ω·cm | 0,015~0,028 Ω·cm | ||
4H-SI | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
Orientación plana primaria | {10-10} ±5,0° | ||||
Longitud plana primaria | 4H-N | N / A | |||
4H-SI | Muesca | ||||
Exclusión de bordes | 3 milímetros | ||||
LTV/TTV/Arco/Urdimbre | ≤5 μm/≤15 μm/≤35 μm/≤55 μm | ≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm | |||
Aspereza | Polaco Ra≤1 nm | ||||
CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad Placas hexagonales de luz de alta intensidad Áreas de politipos mediante luz de alta intensidad Inclusiones visuales de carbono Rayaduras en la superficie de silicio causadas por luz de alta intensidad | Ninguno Área acumulada ≤0,05% Ninguno Área acumulada ≤0,05% Ninguno | Longitud acumulada ≤ 20 mm, longitud única ≤ 2 mm Área acumulada ≤0,1% Área acumulada ≤ 3% Área acumulada ≤3% Longitud acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
Chips de borde por luz de alta intensidad | No se permite ninguno ≥0,2 mm de ancho y profundidad | Se permiten 7, ≤1 mm cada uno | |||
(TSD) Dislocación del tornillo de rosca | ≤500 cm-2 | N / A | |||
(BPD) Dislocación del plano base | ≤1000 cm-2 | N / A | |||
Contaminación de la superficie de silicio por luz de alta intensidad | Ninguno | ||||
Embalaje | Casete multi-obleas o contenedor de una sola oblea | ||||
Notas: | |||||
1 Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión del borde. 2Los rayones deben comprobarse solo en la cara Si. 3 Los datos de dislocación provienen únicamente de obleas grabadas con KOH. |
Características principales
1. Ventaja de gran tamaño: El sustrato de SiC de 12 pulgadas (sustrato de carburo de silicio de 12 pulgadas) ofrece un área de oblea única más grande, lo que permite producir más chips por oblea, reduciendo así los costos de fabricación y aumentando el rendimiento.
2. Material de alto rendimiento: la resistencia a altas temperaturas del carburo de silicio y la alta intensidad del campo de ruptura hacen que el sustrato de 12 pulgadas sea ideal para aplicaciones de alto voltaje y alta frecuencia, como inversores de vehículos eléctricos y sistemas de carga rápida.
3. Compatibilidad de procesamiento: a pesar de la alta dureza y los desafíos de procesamiento del SiC, el sustrato de SiC de 12 pulgadas logra menores defectos de superficie a través de técnicas optimizadas de corte y pulido, lo que mejora el rendimiento del dispositivo.
4. Gestión térmica superior: con una mejor conductividad térmica que los materiales a base de silicio, el sustrato de 12 pulgadas aborda eficazmente la disipación del calor en dispositivos de alta potencia, lo que extiende la vida útil del equipo.
Aplicaciones principales
1. Vehículos eléctricos: El sustrato de SiC de 12 pulgadas (sustrato de carburo de silicio de 12 pulgadas) es un componente central de los sistemas de propulsión eléctrica de próxima generación, que permite inversores de alta eficiencia que mejoran la autonomía y reducen el tiempo de carga.
2. Estaciones base 5G: Los sustratos de SiC de gran tamaño admiten dispositivos de RF de alta frecuencia, lo que satisface las demandas de las estaciones base 5G de alta potencia y baja pérdida.
3. Fuentes de alimentación industriales: en inversores solares y redes inteligentes, el sustrato de 12 pulgadas puede soportar voltajes más altos y minimizar la pérdida de energía.
4. Electrónica de consumo: Los futuros cargadores rápidos y fuentes de alimentación para centros de datos pueden adoptar sustratos de SiC de 12 pulgadas para lograr un tamaño compacto y una mayor eficiencia.
Servicios de XKH
Nos especializamos en servicios de procesamiento personalizados para sustratos de SiC de 12 pulgadas (sustratos de carburo de silicio de 12 pulgadas), que incluyen:
1. Corte y pulido: procesamiento de sustrato de alta planitud y bajo daño adaptado a los requisitos del cliente, lo que garantiza un rendimiento estable del dispositivo.
2. Soporte de crecimiento epitaxial: servicios de obleas epitaxiales de alta calidad para acelerar la fabricación de chips.
3. Prototipado en lotes pequeños: apoya la validación de I+D para instituciones de investigación y empresas, acortando los ciclos de desarrollo.
4. Consultoría técnica: Soluciones integrales desde la selección de materiales hasta la optimización del proceso, ayudando a los clientes a superar los desafíos del procesamiento de SiC.
Ya sea para producción en masa o personalización especializada, nuestros servicios de sustrato de SiC de 12 pulgadas se alinean con las necesidades de su proyecto, potenciando los avances tecnológicos.


