Sustrato de SiC de 12 pulgadas, diámetro 300 mm, espesor 750 μm, tipo 4H-N, personalizable.

Sustrato de SiC de 12 pulgadas Diámetro 300 mm Espesor 750 μm Tipo 4H-N Se puede personalizar Imagen destacada

Descripción breve:

En un momento crítico de la transición de la industria de semiconductores hacia soluciones más eficientes y compactas, la aparición del sustrato de SiC de 12 pulgadas (sustrato de carburo de silicio de 12 pulgadas) ha transformado radicalmente el panorama. En comparación con las especificaciones tradicionales de 6 y 8 pulgadas, la ventaja de su gran tamaño multiplica por más de cuatro la cantidad de chips producidos por oblea. Además, el coste unitario del sustrato de SiC de 12 pulgadas se reduce entre un 35 % y un 40 % en comparación con los sustratos convencionales de 8 pulgadas, lo cual es crucial para la adopción generalizada de productos finales.
Gracias a nuestra tecnología patentada de crecimiento por transporte de vapor, hemos logrado un control líder en la industria sobre la densidad de dislocación en cristales de 30 cm, lo que proporciona una base material excepcional para la fabricación posterior de dispositivos. Este avance es especialmente significativo en medio de la actual escasez mundial de chips.

Los dispositivos de energía clave en aplicaciones cotidianas, como las estaciones de carga rápida de vehículos eléctricos y las estaciones base 5G, están adoptando cada vez más este sustrato de gran tamaño. Especialmente en entornos operativos exigentes de alta temperatura y alto voltaje, el sustrato de SiC de 12 pulgadas demuestra una estabilidad muy superior a la de los materiales a base de silicio.

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Características

Parámetros técnicos

Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) de 12 pulgadas
Calificación		Producción de ZeroMPD Grado (Grado Z)	Producción estándar Grado (Grado P)		Grado ficticio (Grado D)
Diámetro		300 mm ~ 1305 mm
Espesor	4H-N	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
	4H-SI	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
Orientación de las obleas		Fuera del eje: 4,0° hacia <1120 >±0,5° para 4H-N, En el eje: <0001>±0,5° para 4H-SI
Densidad de microtubos	4H-N	≤0,4 cm-2	≤4 cm-2		≤25 cm-2
	4H-SI	≤5 cm-2	≤10 cm-2		≤25 cm-2
Resistividad	4H-N	0,015~0,024 Ω·cm			0,015~0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Orientación plana primaria		{10-10} ±5,0°
Longitud plana primaria	4H-N	N / A
	4H-SI	Muesca
Exclusión de bordes		3 milímetros
LTV/TTV/Arco/Urdimbre		≤5 μm/≤15 μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Aspereza		Polaco Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,2 nm			Ra≤0,5 nm
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad Placas hexagonales de luz de alta intensidad Áreas de politipos mediante luz de alta intensidad Inclusiones visuales de carbono Rayaduras en la superficie de silicio causadas por luz de alta intensidad		Ninguno Área acumulada ≤0,05% Ninguno Área acumulada ≤0,05% Ninguno			Longitud acumulada ≤ 20 mm, longitud única ≤ 2 mm Área acumulada ≤0,1% Área acumulada ≤ 3% Área acumulada ≤3% Longitud acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea
Chips de borde con luz de alta intensidad		No se permite ninguno ≥0,2 mm de ancho y profundidad			Se permiten 7, ≤1 mm cada uno
(TSD) Dislocación del tornillo de rosca		≤500 cm-2		N / A
(BPD) Dislocación del plano base		≤1000 cm-2		N / A
Contaminación de la superficie de silicio por luz de alta intensidad		Ninguno
Embalaje		Casete multi-obleas o contenedor de una sola oblea
Notas:
1 Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión del borde. 2Los rayones deben comprobarse solo en la cara Si. 3 Los datos de dislocación provienen únicamente de obleas grabadas con KOH.

Características principales

1. Ventajas en capacidad de producción y costos: La producción en masa de sustratos de SiC de 12 pulgadas (sustrato de carburo de silicio de 12 pulgadas) marca una nueva era en la fabricación de semiconductores. La cantidad de chips que se pueden obtener a partir de una sola oblea es 2,25 veces mayor que la de los sustratos de 8 pulgadas, lo que impulsa directamente la eficiencia de producción. Los comentarios de los clientes indican que la adopción de sustratos de 12 pulgadas ha reducido sus costos de producción de módulos de potencia en un 28%, lo que les ha proporcionado una ventaja competitiva decisiva en un mercado tan competitivo.
2. Propiedades físicas excepcionales: El sustrato de SiC de 12 pulgadas hereda todas las ventajas del carburo de silicio: su conductividad térmica es tres veces mayor que la del silicio, mientras que su intensidad de campo de ruptura es diez veces mayor que la del silicio. Estas características permiten que los dispositivos basados en sustratos de 12 pulgadas funcionen de forma estable en entornos de alta temperatura superiores a 200 °C, lo que los hace especialmente adecuados para aplicaciones exigentes como los vehículos eléctricos.
3. Tecnología de Tratamiento de Superficies: Hemos desarrollado un novedoso proceso de pulido químico-mecánico (CMP) específico para sustratos de SiC de 12 pulgadas, logrando una planitud superficial a nivel atómico (Ra < 0,15 nm). Este avance resuelve el desafío mundial del tratamiento de superficies de obleas de carburo de silicio de gran diámetro, eliminando los obstáculos para un crecimiento epitaxial de alta calidad.
4. Rendimiento de gestión térmica: En aplicaciones prácticas, los sustratos de SiC de 12 pulgadas demuestran una notable capacidad de disipación térmica. Los datos de pruebas muestran que, con la misma densidad de potencia, los dispositivos que utilizan sustratos de 12 pulgadas funcionan a temperaturas entre 40 y 50 °C inferiores a las de los dispositivos de silicio, lo que prolonga significativamente su vida útil.

Aplicaciones principales

1. Ecosistema de Vehículos de Nueva Energía: El sustrato de SiC de 12 pulgadas (sustrato de carburo de silicio de 12 pulgadas) está revolucionando la arquitectura del sistema de propulsión de los vehículos eléctricos. Desde los cargadores integrados (OBC) hasta los inversores de la unidad principal y los sistemas de gestión de baterías, las mejoras de eficiencia que aportan los sustratos de 12 pulgadas aumentan la autonomía del vehículo entre un 5 y un 8 %. Informes de un fabricante de automóviles líder indican que la adopción de nuestros sustratos de 12 pulgadas redujo la pérdida de energía en su sistema de carga rápida en un impresionante 62 %.
2. Sector de energías renovables: En las centrales fotovoltaicas, los inversores basados en sustratos de SiC de 12 pulgadas no solo presentan formatos más pequeños, sino que también alcanzan una eficiencia de conversión superior al 99 %. En particular, en escenarios de generación distribuida, esta alta eficiencia se traduce en un ahorro anual de cientos de miles de yuanes en pérdidas de electricidad para los operadores.
3. Automatización industrial: Los convertidores de frecuencia que utilizan sustratos de 12 pulgadas demuestran un excelente rendimiento en robots industriales, máquinas herramienta CNC y otros equipos. Sus características de conmutación de alta frecuencia mejoran la velocidad de respuesta del motor en un 30 %, a la vez que reducen la interferencia electromagnética a un tercio en comparación con las soluciones convencionales.
4. Innovación en electrónica de consumo: Las tecnologías de carga rápida para smartphones de última generación han comenzado a adoptar sustratos de SiC de 12 pulgadas. Se prevé que los productos de carga rápida de más de 65 W se integrarán completamente en soluciones de carburo de silicio, y los sustratos de 12 pulgadas se perfilan como la opción con mejor relación calidad-precio.

Servicios personalizados de XKH para sustrato de SiC de 12 pulgadas

Para cumplir con los requisitos específicos de los sustratos de SiC de 12 pulgadas (sustratos de carburo de silicio de 12 pulgadas), XKH ofrece un servicio de soporte integral:
1. Personalización del grosor:
Ofrecemos sustratos de 12 pulgadas en varias especificaciones de espesor, incluido 725 μm, para satisfacer diferentes necesidades de aplicación.
2. Concentración de dopaje:
Nuestra fabricación admite múltiples tipos de conductividad, incluidos sustratos de tipo n y tipo p, con un control de resistividad preciso en el rango de 0,01 a 0,02 Ω·cm.
3. Servicios de prueba:
Con un equipo completo de pruebas a nivel de oblea, proporcionamos informes de inspección completos.
XKH comprende que cada cliente tiene requisitos únicos para sustratos de SiC de 12 pulgadas. Por ello, ofrecemos modelos flexibles de cooperación empresarial para brindar las soluciones más competitivas, ya sea para:
· Muestras de I+D
· Compras de producción en volumen
Nuestros servicios personalizados garantizan que podamos satisfacer sus necesidades técnicas y de producción específicas para sustratos de SiC de 12 pulgadas.