Sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas con espesor de 350 µm. Grado de producción. Grado ficticio.
Tabla de parámetros del sustrato de SiC de 4 pulgadas tipo P 4H/6H-P 3C-N
4 Silicona de 1 pulgada de diámetroSustrato de carburo (SiC) Especificación
| Calificación | Producción de Cero MPD Grado (Z Calificación) | Producción estándar Calificación (P Calificación) | Grado ficticio (D Calificación) | ||
| Diámetro | 99,5 mm~100,0 mm | ||||
| Espesor | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientación de la oblea | Fuera del eje: 2,0°-4,0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, OEje n:〈111〉± 0,5° para 3C-N | ||||
| Densidad de micropipes | 0 cm-2 | ||||
| Resistividad | p-tipo 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| 3C-N de tipo n | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientación plana primaria | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Longitud plana primaria | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Longitud plana secundaria | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientación plana secundaria | Cara de silicio hacia arriba: 90° en sentido horario desde la posición plana principal±5.0° | ||||
| Exclusión de bordes | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Arco/Deformación | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Aspereza | Pulido Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| Grietas en los bordes por luz de alta intensidad | Ninguno | Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud individual ≤ 2 mm | |||
| Placas hexagonales iluminadas con luz de alta intensidad | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤0,1% | |||
| Áreas politípicas mediante luz de alta intensidad | Ninguno | Área acumulada ≤3% | |||
| Inclusiones visuales de carbono | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤3% | |||
| Rayaduras en la superficie de silicio por luz de alta intensidad | Ninguno | Longitud acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| Chips de borde de alta intensidad de luz | Ninguno permitido ≥0,2 mm de ancho y profundidad | Se permiten 5, ≤1 mm cada una. | |||
| Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad | Ninguno | ||||
| Embalaje | Casete multioblea o contenedor de oblea única | ||||
Notas:
※Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión del borde. # Los arañazos deben comprobarse únicamente en la cara de silicio.
El sustrato de SiC de 4 pulgadas, tipo P, 4H/6H-P, 3C-N, con un espesor de 350 μm, se utiliza ampliamente en la fabricación de dispositivos electrónicos y de potencia avanzados. Gracias a su excelente conductividad térmica, alta tensión de ruptura y gran resistencia a entornos extremos, este sustrato es ideal para electrónica de potencia de alto rendimiento, como interruptores de alta tensión, inversores y dispositivos de radiofrecuencia (RF). Los sustratos de grado de producción se emplean en la fabricación a gran escala, lo que garantiza un rendimiento fiable y de alta precisión de los dispositivos, fundamental para la electrónica de potencia y las aplicaciones de alta frecuencia. Por otro lado, los sustratos de grado de prueba se utilizan principalmente para la calibración de procesos, las pruebas de equipos y el desarrollo de prototipos, contribuyendo al control de calidad y la consistencia del proceso en la producción de semiconductores.
Especificaciones: Las ventajas de los sustratos compuestos de SiC de tipo N incluyen
- Alta conductividad térmicaLa eficiente disipación de calor hace que el sustrato sea ideal para aplicaciones de alta temperatura y alta potencia.
- Alta tensión de rupturaAdmite el funcionamiento a alto voltaje, lo que garantiza la fiabilidad en la electrónica de potencia y los dispositivos de radiofrecuencia.
- Resistencia a entornos hostilesResistente en condiciones extremas como altas temperaturas y ambientes corrosivos, lo que garantiza un rendimiento duradero.
- Precisión de grado de producciónGarantiza un rendimiento fiable y de alta calidad en la fabricación a gran escala, adecuado para aplicaciones avanzadas de potencia y radiofrecuencia.
- Grado ficticio para pruebasPermite una calibración precisa del proceso, pruebas de equipos y creación de prototipos sin comprometer las obleas de calidad de producción.
En general, el sustrato de SiC de 4 pulgadas, tipo P, 4H/6H-P, 3C-N, con un espesor de 350 μm, ofrece ventajas significativas para aplicaciones electrónicas de alto rendimiento. Su elevada conductividad térmica y tensión de ruptura lo hacen ideal para entornos de alta potencia y alta temperatura, mientras que su resistencia a condiciones extremas garantiza durabilidad y fiabilidad. El sustrato de grado industrial asegura un rendimiento preciso y consistente en la fabricación a gran escala de dispositivos electrónicos de potencia y de radiofrecuencia. Por otro lado, el sustrato de grado de prueba es esencial para la calibración de procesos, las pruebas de equipos y la creación de prototipos, lo que permite el control de calidad y la consistencia en la producción de semiconductores. Estas características hacen que los sustratos de SiC sean altamente versátiles para aplicaciones avanzadas.
Diagrama detallado
