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Oblea de SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P Tipo 3C 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas

Oblea de SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P Tipo 3C 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas Imagen destacada
  • Oblea de SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P Tipo 3C 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas
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Descripción breve:

Ofrecemos una amplia selección de obleas de SiC (carburo de silicio) de alta calidad, con especial énfasis en las obleas de tipo N 4H-N y 6H-N, ideales para aplicaciones en optoelectrónica avanzada, dispositivos de potencia y entornos de alta temperatura. Estas obleas de tipo N se caracterizan por su excepcional conductividad térmica, excelente estabilidad eléctrica y notable durabilidad, lo que las hace perfectas para aplicaciones de alto rendimiento como electrónica de potencia, sistemas de propulsión para vehículos eléctricos, inversores de energías renovables y fuentes de alimentación industriales. Además de nuestra oferta de tipo N, también proporcionamos obleas de SiC de tipo P 4H/6H-P y 3C para necesidades especializadas, incluyendo dispositivos de alta frecuencia y radiofrecuencia, así como aplicaciones fotónicas. Nuestras obleas están disponibles en tamaños que van desde 2 pulgadas hasta 8 pulgadas, y ofrecemos soluciones a medida para satisfacer los requisitos específicos de diversos sectores industriales. Para obtener más información o realizar consultas, no dude en contactarnos.


Características

Propiedades

4H-N y 6H-N (obleas de SiC tipo N)

Solicitud:Se utiliza principalmente en electrónica de potencia, optoelectrónica y aplicaciones de alta temperatura.

Rango de diámetros:50,8 mm a 200 mm.

Espesor:350 μm ± 25 μm, con espesores opcionales de 500 μm ± 25 μm.

Resistividad:Tipo N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P); Tipo N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (grado Z), ≤ 1 mΩ·cm (grado P).

Aspereza:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densidad de micropipes (MPD):< 1 unidad/cm².

TTV: ≤ 10 μm para todos los diámetros.

Urdimbre: ≤ 30 μm (≤ 45 μm para obleas de 8 pulgadas).

Exclusión de bordes:De 3 mm a 6 mm dependiendo del tipo de oblea.

Embalaje:Casete multioblea o contenedor de oblea única.

Otros tamaños disponibles: 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas.

HPSI (obleas de SiC semi-aislantes de alta pureza)

Solicitud:Se utiliza en dispositivos que requieren alta resistencia y rendimiento estable, como dispositivos de radiofrecuencia, aplicaciones fotónicas y sensores.

Rango de diámetros:50,8 mm a 200 mm.

Espesor:Espesor estándar de 350 μm ± 25 μm con opciones para obleas más gruesas de hasta 500 μm.

Aspereza:Ra ≤ 0,2 nm.

Densidad de micropipes (MPD): ≤ 1 unidad/cm².

Resistividad:Alta resistencia, generalmente utilizada en aplicaciones semi-aislantes.

Urdimbre: ≤ 30 μm (para tamaños más pequeños), ≤ 45 μm para diámetros más grandes.

TTV: ≤ 10 μm.

Otros tamaños disponibles: 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas.

4H-P、6H-Py3C oblea de SiC(Obleas de SiC tipo P)

Solicitud:Principalmente para dispositivos de potencia y alta frecuencia.

Rango de diámetros:50,8 mm a 200 mm.

Espesor:350 μm ± 25 μm u opciones personalizadas.

Resistividad:Tipo P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P).

Aspereza:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densidad de micropipes (MPD):< 1 unidad/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Exclusión de bordes:De 3 mm a 6 mm.

Urdimbre: ≤ 30 μm para tamaños más pequeños, ≤ 45 μm para tamaños más grandes.

Otros tamaños disponibles: 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas.5×5 10×10

Tabla de parámetros de datos parciales

Propiedad

2 pulgadas

3 pulgadas

4 pulgadas

6 pulgadas

8 pulgadas

Tipo

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diámetro

50,8 ± 0,3 mm

76,2 ± 0,3 mm

100 ± 0,3 mm

150 ± 0,3 mm

200 ± 0,3 mm

Espesor

330 ± 25 µm

350 ±25 µm

350 ±25 µm

350 ±25 µm

350 ±25 µm

350±25 µm;

500 ± 25 µm

500 ± 25 µm

500 ± 25 µm

500 ± 25 µm

o personalizados

o personalizados

o personalizados

o personalizados

o personalizados

Aspereza

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Urdimbre

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤45 µm

Televisión por satélite

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

Rascar/Excavar

CMP/MP

MPD

<1 unidad/cm-2

<1 unidad/cm-2

<1 unidad/cm-2

<1 unidad/cm-2

<1 unidad/cm-2

Forma

Redondo, plano 16 mm; longitud OF 22 mm; longitud OF 30/32,5 mm; longitud OF 47,5 mm; muesca; muesca;

Bisel

45°, especificación SEMI; forma de C

 Calificación

Grado de producción para MOSFET y SBD; Grado de investigación; Grado ficticio; Grado de oblea semilla

Observaciones

Diámetro, grosor, orientación y demás especificaciones anteriores se pueden personalizar a petición del cliente.

 

Aplicaciones

·Electrónica de potencia

Las obleas de SiC de tipo N son cruciales en los dispositivos electrónicos de potencia debido a su capacidad para manejar alto voltaje y alta corriente. Se utilizan comúnmente en convertidores de potencia, inversores y accionamientos de motores para industrias como las energías renovables, los vehículos eléctricos y la automatización industrial.

· Optoelectrónica
Los materiales de SiC de tipo N, especialmente para aplicaciones optoelectrónicas, se emplean en dispositivos como diodos emisores de luz (LED) y diodos láser. Su alta conductividad térmica y su amplio ancho de banda prohibida los hacen ideales para dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento.

·Aplicaciones a altas temperaturas
Las obleas de SiC 4H-N 6H-N son muy adecuadas para entornos de alta temperatura, como los sensores y dispositivos de potencia utilizados en aplicaciones aeroespaciales, automotrices e industriales donde la disipación de calor y la estabilidad a temperaturas elevadas son fundamentales.

·Dispositivos de radiofrecuencia
Las obleas de SiC 4H-N y 6H-N se utilizan en dispositivos de radiofrecuencia (RF) que operan en rangos de alta frecuencia. Se aplican en sistemas de comunicación, tecnología de radar y comunicaciones por satélite, donde se requiere alta eficiencia energética y rendimiento.

·Aplicaciones fotónicas
En fotónica, las obleas de SiC se utilizan en dispositivos como fotodetectores y moduladores. Las propiedades únicas de este material permiten su eficacia en la generación, modulación y detección de luz en sistemas de comunicación óptica y dispositivos de imagen.

·Sensores
Las obleas de SiC se utilizan en diversas aplicaciones de sensores, especialmente en entornos hostiles donde otros materiales podrían fallar. Entre ellas se incluyen sensores de temperatura, presión y químicos, esenciales en sectores como la automoción, el petróleo y el gas, y la monitorización ambiental.

·Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos
La tecnología SiC desempeña un papel fundamental en los vehículos eléctricos al mejorar la eficiencia y el rendimiento de los sistemas de propulsión. Gracias a los semiconductores de potencia SiC, los vehículos eléctricos pueden lograr una mayor autonomía de la batería, tiempos de carga más rápidos y una mayor eficiencia energética.

·Sensores avanzados y convertidores fotónicos
En las tecnologías de sensores avanzadas, las obleas de SiC se utilizan para crear sensores de alta precisión para aplicaciones en robótica, dispositivos médicos y monitorización ambiental. En los convertidores fotónicos, se aprovechan las propiedades del SiC para permitir la conversión eficiente de energía eléctrica en señales ópticas, lo cual es fundamental en las telecomunicaciones y la infraestructura de internet de alta velocidad.

Preguntas y respuestas

Q¿Qué es el 4H en 4H SiC?
ALa sigla "4H" en SiC 4H se refiere a la estructura cristalina del carburo de silicio, específicamente una forma hexagonal con cuatro capas (H). La "H" indica el tipo de politipo hexagonal, lo que lo distingue de otros politipos de SiC como 6H o 3C.

Q¿Cuál es la conductividad térmica del 4H-SiC?
ALa conductividad térmica del 4H-SiC (carburo de silicio) es de aproximadamente 490-500 W/m·K a temperatura ambiente. Esta elevada conductividad térmica lo hace ideal para aplicaciones en electrónica de potencia y entornos de alta temperatura, donde la disipación eficiente del calor es crucial.

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