El equipo de desprendimiento por láser de semiconductores es una solución industrial altamente especializada, diseñada para el adelgazamiento preciso y sin contacto de lingotes de semiconductores mediante técnicas de desprendimiento inducido por láser. Este avanzado sistema desempeña un papel fundamental en los modernos procesos de fabricación de obleas de semiconductores, especialmente en la producción de obleas ultrafinas para electrónica de potencia de alto rendimiento, LED y dispositivos de radiofrecuencia. Al permitir la separación de capas delgadas de lingotes o sustratos donantes, el equipo de desprendimiento por láser de semiconductores revoluciona el adelgazamiento de lingotes al eliminar las etapas de corte mecánico, pulido y grabado químico.

El adelgazamiento tradicional de lingotes semiconductores, como el nitruro de galio (GaN), el carburo de silicio (SiC) y el zafiro, suele ser laborioso, genera desperdicio y es propenso a microfisuras o daños superficiales. En cambio, el equipo de despegue por láser para semiconductores ofrece una alternativa precisa y no destructiva que minimiza la pérdida de material y la tensión superficial, a la vez que aumenta la productividad. Es compatible con una amplia variedad de materiales cristalinos y compuestos, y se integra fácilmente en las líneas de producción de semiconductores, tanto en la etapa inicial como en la intermedia.

Con longitudes de onda láser configurables, sistemas de enfoque adaptativos y soportes para obleas compatibles con el vacío, este equipo es especialmente adecuado para el corte de lingotes, la creación de láminas y el desprendimiento de películas ultrafinas para estructuras de dispositivos verticales o la transferencia de capas heteroepitaxiales.