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Aplicaciones de sustrato de carburo de silicio conductor y semiaislado
El sustrato de carburo de silicio se divide en semiaislante y conductor. Actualmente, la especificación principal de los sustratos de carburo de silicio semiaislados es de 4 pulgadas. En el caso del carburo de silicio conductor...Leer más -
¿Existen también diferencias en la aplicación de obleas de zafiro con diferentes orientaciones de cristal?
El zafiro es un monocristal de alúmina, pertenece al sistema cristalino tripartito, estructura hexagonal, su estructura cristalina está compuesta por tres átomos de oxígeno y dos átomos de aluminio en tipo de enlace covalente, dispuestos muy juntos, con fuerte cadena de enlace y energía reticular, mientras que su inte...Leer más -
¿Cuál es la diferencia entre un sustrato conductor de SiC y un sustrato semiaislado?
El dispositivo de carburo de silicio SiC se refiere a un dispositivo fabricado con carburo de silicio como materia prima. Según sus diferentes propiedades de resistencia, se divide en dispositivos de potencia de carburo de silicio conductores y dispositivos de radiofrecuencia de carburo de silicio semiaislados. Formas principales del dispositivo y...Leer más -
Un artículo te lleva a un maestro del TGV
¿Qué es TGV? TGV (vía a través del vidrio), una tecnología que crea orificios pasantes sobre un sustrato de vidrio. En pocas palabras, TGV es un edificio de gran altura que perfora, rellena y conecta el vidrio verticalmente para construir circuitos integrados sobre él.Leer más -
¿Cuáles son los indicadores de evaluación de la calidad de la superficie de las obleas?
Con el continuo desarrollo de la tecnología de semiconductores, tanto en la industria de los semiconductores como en la fotovoltaica, los requisitos de calidad superficial del sustrato de oblea o lámina epitaxial son muy estrictos. Entonces, ¿cuáles son los requisitos de calidad...?Leer más -
¿Cuánto sabe sobre el proceso de crecimiento de un solo cristal de SiC?
El carburo de silicio (SiC), como material semiconductor de banda ancha, desempeña un papel cada vez más importante en la ciencia y la tecnología modernas. El carburo de silicio posee una excelente estabilidad térmica, alta tolerancia al campo eléctrico, conductividad intencional y...Leer más -
La batalla revolucionaria de los sustratos de SiC domésticos
En los últimos años, con la continua penetración de aplicaciones posteriores, como vehículos de nueva energía, generación de energía fotovoltaica y almacenamiento de energía, el SiC, como nuevo material semiconductor, desempeña un papel importante en estos campos. Según...Leer más -
MOSFET de SiC, 2300 voltios.
El 26, Power Cube Semi anunció el exitoso desarrollo del primer semiconductor MOSFET de SiC (carburo de silicio) de 2300 V de Corea del Sur. En comparación con los semiconductores de SiC (carburo de silicio) existentes, el SiC (carburo de silicio) puede soportar voltajes más altos, por lo que se le considera...Leer más -
¿La recuperación de los semiconductores es sólo una ilusión?
Entre 2021 y 2022, el mercado mundial de semiconductores experimentó un rápido crecimiento debido a la aparición de demandas especiales derivadas del brote de COVID-19. Sin embargo, como las demandas especiales causadas por la pandemia de COVID-19 finalizaron en la segunda mitad de 2022 y se desplomaron...Leer más -
En 2024, el gasto de capital en semiconductores disminuyó
El miércoles, el presidente Biden anunció un acuerdo para proporcionar a Intel 8.500 millones de dólares en financiación directa y 11.000 millones de dólares en préstamos bajo la Ley CHIPS y Ciencia. Intel utilizará estos fondos para sus fábricas de obleas en Arizona, Ohio, Nuevo México y Oregón. Como se informó en nuestro...Leer más -
¿Qué es una oblea de SiC?
Las obleas de SiC son semiconductores fabricados con carburo de silicio. Este material, desarrollado en 1893, es ideal para diversas aplicaciones. Son especialmente adecuadas para diodos Schottky, diodos Schottky de barrera de unión, interruptores y transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico.Leer más -
Interpretación en profundidad del semiconductor de tercera generación: el carburo de silicio
Introducción al carburo de silicio. El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor compuesto de carbono y silicio, ideal para la fabricación de dispositivos de alta temperatura, alta frecuencia, alta potencia y alto voltaje. Comparado con el tradicional...Leer más