Los conjuntos de fotodetectores PD de sustrato de oblea epitaxial de InGaAs se pueden utilizar para LiDAR.
Las características clave de la lámina epitaxial láser InGaAs incluyen
1. Alineación de la red cristalina: Se puede lograr una buena alineación de la red cristalina entre la capa epitaxial de InGaAs y el sustrato de InP o GaAs, reduciendo así la densidad de defectos de la capa epitaxial y mejorando el rendimiento del dispositivo.
2. Banda prohibida ajustable: La banda prohibida del material InGaAs se puede lograr ajustando la proporción de los componentes In y Ga, lo que hace que la lámina epitaxial de InGaAs tenga una amplia gama de perspectivas de aplicación en dispositivos optoelectrónicos.
3. Alta fotosensibilidad: La película epitaxial de InGaAs tiene una alta sensibilidad a la luz, lo que le confiere ventajas únicas en el campo de la detección fotoeléctrica, la comunicación óptica y otros.
4. Estabilidad a altas temperaturas: La estructura epitaxial InGaAs/InP tiene una excelente estabilidad a altas temperaturas y puede mantener un rendimiento estable del dispositivo a altas temperaturas.
Las principales aplicaciones de las tabletas epitaxiales láser de InGaAs incluyen
1. Dispositivos optoelectrónicos: Las tabletas epitaxiales de InGaAs se pueden utilizar para fabricar fotodiodos, fotodetectores y otros dispositivos optoelectrónicos, que tienen una amplia gama de aplicaciones en comunicaciones ópticas, visión nocturna y otros campos.
2. Láseres: Las láminas epitaxiales de InGaAs también se pueden utilizar para fabricar láseres, especialmente láseres de longitud de onda larga, que juegan un papel importante en las comunicaciones de fibra óptica, el procesamiento industrial y otros campos.
3. Células solares: El material InGaAs tiene un amplio rango de ajuste de banda prohibida, que puede cumplir con los requisitos de banda prohibida exigidos por las células fotovoltaicas térmicas, por lo que la lámina epitaxial de InGaAs también tiene cierto potencial de aplicación en el campo de las células solares.
4. Imágenes médicas: En equipos de imágenes médicas (como TC, RM, etc.), para detección e imágenes.
5. Red de sensores: en el monitoreo ambiental y la detección de gases, se pueden monitorear múltiples parámetros simultáneamente.
6. Automatización industrial: se utiliza en sistemas de visión artificial para controlar el estado y la calidad de los objetos en la línea de producción.
En el futuro, las propiedades del sustrato epitaxial de InGaAs seguirán mejorando, incluyendo la eficiencia de conversión fotoeléctrica y la reducción del ruido. Esto permitirá que el sustrato epitaxial de InGaAs se utilice más ampliamente en dispositivos optoelectrónicos, con un rendimiento superior. Asimismo, el proceso de fabricación se optimizará continuamente para reducir costes y aumentar la eficiencia, con el fin de satisfacer las necesidades de un mercado más amplio.
En general, el sustrato epitaxial de InGaAs ocupa una posición importante en el campo de los materiales semiconductores debido a sus características únicas y sus amplias perspectivas de aplicación.
XKH ofrece láminas epitaxiales de InGaAs personalizadas con diferentes estructuras y espesores, abarcando una amplia gama de aplicaciones para dispositivos optoelectrónicos, láseres y células solares. Los productos de XKH se fabrican con equipos MOCVD de última generación para garantizar un alto rendimiento y fiabilidad. En cuanto a la logística, XKH cuenta con una extensa red de proveedores internacionales que permite gestionar con flexibilidad el volumen de pedidos y ofrecer servicios de valor añadido como la optimización y la segmentación. Los eficientes procesos de entrega garantizan la puntualidad y el cumplimiento de los requisitos de calidad y plazos de entrega de los clientes.
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