Nitruro de galio (GaN) epitaxial crecido sobre obleas de zafiro de 4 y 6 pulgadas para MEMS
Propiedades del GaN sobre obleas de zafiro
●Alta eficiencia:Los dispositivos basados en GaN proporcionan cinco veces más potencia que los dispositivos basados en silicio, mejorando el rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas, incluyendo la amplificación de RF y la optoelectrónica.
●Ancho de banda prohibida:La amplia banda prohibida del GaN permite una alta eficiencia a temperaturas elevadas, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
●Durabilidad:La capacidad del GaN para soportar condiciones extremas (altas temperaturas y radiación) garantiza un rendimiento duradero en entornos hostiles.
●Tamaño pequeño:El GaN permite la producción de dispositivos más compactos y ligeros en comparación con los materiales semiconductores tradicionales, lo que facilita la creación de dispositivos electrónicos más pequeños y potentes.
Abstracto
El nitruro de galio (GaN) se está consolidando como el semiconductor predilecto para aplicaciones avanzadas que requieren alta potencia y eficiencia, como módulos frontales de radiofrecuencia (RF), sistemas de comunicación de alta velocidad e iluminación LED. Las obleas epitaxiales de GaN, cultivadas sobre sustratos de zafiro, ofrecen una combinación de alta conductividad térmica, alta tensión de ruptura y amplia respuesta en frecuencia, características clave para un rendimiento óptimo en dispositivos de comunicación inalámbrica, radares e inhibidores de señal. Estas obleas están disponibles en diámetros de 4 y 6 pulgadas, con diferentes espesores de GaN para satisfacer diversos requisitos técnicos. Las propiedades únicas del GaN lo convierten en un candidato ideal para el futuro de la electrónica de potencia.
Parámetros del producto
| Características del producto | Especificación |
| Diámetro de la oblea | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Sustrato | Zafiro |
| Espesor de la capa de GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Tipo/dopaje de GaN | Tipo N (Tipo P disponible bajo pedido) |
| Orientación del cristal de GaN | <0001> |
| Tipo de pulido | Pulido por una cara (SSP), Pulido por ambas caras (DSP) |
| Espesor de Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Variación Total del Espesor) | ≤ 10 μm |
| Arco | ≤ 10 μm |
| Urdimbre | ≤ 10 μm |
| Área superficial | Superficie útil > 90% |
Preguntas y respuestas
P1: ¿Cuáles son las principales ventajas de utilizar GaN sobre los semiconductores tradicionales basados en silicio?
A1El GaN ofrece varias ventajas significativas sobre el silicio, incluyendo una banda prohibida más amplia, lo que le permite soportar tensiones de ruptura más altas y operar eficientemente a temperaturas más elevadas. Esto hace que el GaN sea ideal para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, como módulos de radiofrecuencia, amplificadores de potencia y LED. La capacidad del GaN para manejar densidades de potencia más altas también permite la creación de dispositivos más pequeños y eficientes en comparación con las alternativas basadas en silicio.
P2: ¿Se pueden utilizar obleas de GaN sobre zafiro en aplicaciones MEMS (Sistemas Microelectromecánicos)?
A2Sí, las obleas de GaN sobre zafiro son adecuadas para aplicaciones MEMS, especialmente donde se requieren alta potencia, estabilidad térmica y bajo ruido. La durabilidad y eficiencia del material en entornos de alta frecuencia lo hacen ideal para dispositivos MEMS utilizados en sistemas de comunicación inalámbrica, detección y radar.
P3: ¿Cuáles son las aplicaciones potenciales del GaN en la comunicación inalámbrica?
A3El nitruro de galio (GaN) se utiliza ampliamente en módulos frontales de radiofrecuencia (RF) para comunicaciones inalámbricas, incluyendo infraestructura 5G, sistemas de radar e inhibidores de señal. Su alta densidad de potencia y conductividad térmica lo hacen ideal para dispositivos de alta potencia y alta frecuencia, permitiendo un mejor rendimiento y un tamaño más reducido en comparación con las soluciones basadas en silicio.
P4: ¿Cuáles son los plazos de entrega y las cantidades mínimas de pedido para obleas de GaN sobre zafiro?
A4Los plazos de entrega y las cantidades mínimas de pedido varían según el tamaño de la oblea, el grosor del GaN y los requisitos específicos del cliente. Póngase en contacto con nosotros directamente para obtener información detallada sobre precios y disponibilidad según sus especificaciones.
P5: ¿Puedo obtener un grosor o niveles de dopaje personalizados para la capa de GaN?
A5Sí, ofrecemos personalización del grosor y los niveles de dopaje del GaN para satisfacer necesidades específicas de cada aplicación. Indíquenos sus especificaciones y le proporcionaremos una solución a medida.
Diagrama detallado
