Obleas epitaxiales de GaN sobre SiC personalizadas (100 mm, 150 mm) – Múltiples opciones de sustrato de SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Descripción breve:

Nuestras obleas epitaxiales de GaN sobre SiC personalizadas ofrecen un rendimiento superior para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, al combinar las propiedades excepcionales del nitruro de galio (GaN) con la robusta conductividad térmica y la resistencia mecánica deCarburo de silicio (SiC)Disponibles en obleas de 100 mm y 150 mm, estas obleas se fabrican sobre diversos sustratos de SiC, incluidos los tipos 4H-N, HPSI y 4H/6H-P, adaptados a los requisitos específicos de la electrónica de potencia, los amplificadores de RF y otros dispositivos semiconductores avanzados. Gracias a sus capas epitaxiales personalizables y sus exclusivos sustratos de SiC, nuestras obleas están diseñadas para garantizar una alta eficiencia, una gestión térmica óptima y una gran fiabilidad en las exigentes aplicaciones industriales.

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Características

●Espesor de la capa epitaxial: Personalizable desde1,0 µma3,5 µm, optimizado para un alto rendimiento de potencia y frecuencia.

●Opciones de sustrato de SiCDisponible con diversos sustratos de SiC, incluyendo:

4H-N: 4H-SiC dopado con nitrógeno de alta calidad para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.
HPSISiC semi-aislante de alta pureza para aplicaciones que requieren aislamiento eléctrico.
4H/6H-P: Mezcla de 4H y 6H-SiC para un equilibrio entre alta eficiencia y fiabilidad.

●Tamaños de las obleasDisponible en100 mmy150 mmdiámetros para mayor versatilidad en el escalado e integración de dispositivos.

●Alta tensión de rupturaLa tecnología GaN sobre SiC proporciona una alta tensión de ruptura, lo que permite un rendimiento robusto en aplicaciones de alta potencia.

●Alta conductividad térmica: La conductividad térmica inherente del SiC (aproximadamente 490 W/m·K) garantiza una excelente disipación del calor para aplicaciones de alto consumo energético.

Especificaciones técnicas

Parámetro	Valor
Diámetro de la oblea	100 mm, 150 mm
Espesor de la capa epitaxial	1,0 µm – 3,5 µm (personalizable)
Tipos de sustratos de SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Conductividad térmica del SiC	490 W/m·K
Resistividad del SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSISemiaislante,4H/6H-P: Mixto 4H/6H
Espesor de la capa de GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Concentración de portadores de GaN	10^18 cm^-3 a 10^19 cm^-3 (personalizable)
Calidad de la superficie de la oblea	Rugosidad RMS< 1 nm
Densidad de dislocación	< 1 x 10^6 cm^-2
Arco de oblea	< 50 µm
Planitud de la oblea	< 5 µm
Temperatura máxima de funcionamiento	400 °C (típico para dispositivos GaN sobre SiC)

Aplicaciones

●Electrónica de potencia:Las obleas de GaN sobre SiC proporcionan una alta eficiencia y disipación de calor, lo que las hace ideales para amplificadores de potencia, dispositivos de conversión de energía y circuitos inversores de potencia utilizados en vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y maquinaria industrial.
●Amplificadores de potencia de RF:La combinación de GaN y SiC es perfecta para aplicaciones de radiofrecuencia de alta frecuencia y alta potencia, como telecomunicaciones, comunicaciones por satélite y sistemas de radar.
●Aeroespacial y Defensa:Estas obleas son adecuadas para tecnologías aeroespaciales y de defensa que requieren sistemas de comunicación y electrónica de potencia de alto rendimiento capaces de operar en condiciones extremas.
●Aplicaciones en la industria automotriz:Ideal para sistemas de potencia de alto rendimiento en vehículos eléctricos (VE), vehículos híbridos (VHE) y estaciones de carga, permitiendo una conversión y control de energía eficientes.
●Sistemas militares y de radar:Las obleas de GaN sobre SiC se utilizan en sistemas de radar por su alta eficiencia, capacidad de manejo de potencia y rendimiento térmico en entornos exigentes.
●Aplicaciones de microondas y ondas milimétricas:Para los sistemas de comunicación de próxima generación, incluido el 5G, el GaN sobre SiC proporciona un rendimiento óptimo en los rangos de microondas de alta potencia y ondas milimétricas.

Preguntas y respuestas

P1: ¿Cuáles son los beneficios de utilizar SiC como sustrato para GaN?

A1:El carburo de silicio (SiC) ofrece una conductividad térmica superior, una alta tensión de ruptura y una mayor resistencia mecánica en comparación con sustratos tradicionales como el silicio. Esto hace que las obleas de GaN sobre SiC sean ideales para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura. El sustrato de SiC ayuda a disipar el calor generado por los dispositivos de GaN, mejorando así su fiabilidad y rendimiento.

P2: ¿Se puede personalizar el espesor de la capa epitaxial para aplicaciones específicas?

A2:Sí, el espesor de la capa epitaxial se puede personalizar dentro de un rango de1,0 µm a 3,5 µmEn función de los requisitos de potencia y frecuencia de su aplicación, podemos ajustar el grosor de la capa de GaN para optimizar el rendimiento de dispositivos específicos como amplificadores de potencia, sistemas de radiofrecuencia o circuitos de alta frecuencia.

P3: ¿Cuál es la diferencia entre los sustratos de SiC 4H-N, HPSI y 4H/6H-P?

A3:

4H-NEl 4H-SiC dopado con nitrógeno se utiliza comúnmente para aplicaciones de alta frecuencia que requieren un alto rendimiento electrónico.
HPSIEl SiC semi-aislante de alta pureza proporciona aislamiento eléctrico, ideal para aplicaciones que requieren una conductividad eléctrica mínima.
4H/6H-PUna mezcla de 4H y 6H-SiC que equilibra el rendimiento, ofreciendo una combinación de alta eficiencia y robustez, adecuada para diversas aplicaciones de electrónica de potencia.

P4: ¿Son estas obleas de GaN sobre SiC adecuadas para aplicaciones de alta potencia como vehículos eléctricos y energías renovables?

A4:Sí, las obleas de GaN sobre SiC son ideales para aplicaciones de alta potencia como vehículos eléctricos, energías renovables y sistemas industriales. Su alta tensión de ruptura, elevada conductividad térmica y capacidad de manejo de potencia les permiten funcionar eficazmente en circuitos exigentes de conversión y control de potencia.

P5: ¿Cuál es la densidad de dislocación típica para estas obleas?

A5:La densidad de dislocación de estas obleas de GaN sobre SiC es típicamente< 1 x 10^6 cm^-2, lo que garantiza un crecimiento epitaxial de alta calidad, minimizando los defectos y mejorando el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo.

P6: ¿Puedo solicitar un tamaño de oblea o un tipo de sustrato de SiC específico?

A6:Sí, ofrecemos obleas de tamaños personalizados (100 mm y 150 mm) y sustratos de SiC de diferentes tipos (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) para satisfacer las necesidades específicas de su aplicación. Póngase en contacto con nosotros para conocer más opciones de personalización y para hablar sobre sus requisitos.

P7: ¿Cómo se comportan las obleas de GaN sobre SiC en entornos extremos?

A7:Las obleas de GaN sobre SiC son ideales para entornos extremos debido a su alta estabilidad térmica, alta capacidad de manejo de potencia y excelente disipación de calor. Estas obleas ofrecen un rendimiento óptimo en condiciones de alta temperatura, alta potencia y alta frecuencia, comunes en aplicaciones aeroespaciales, de defensa e industriales.

Conclusión

Nuestras obleas epitaxiales GaN-on-SiC personalizadas combinan las propiedades avanzadas del GaN y el SiC para ofrecer un rendimiento superior en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia. Con múltiples opciones de sustrato de SiC y capas epitaxiales personalizables, estas obleas son ideales para industrias que requieren alta eficiencia, gestión térmica y fiabilidad. Ya sea para electrónica de potencia, sistemas de radiofrecuencia o aplicaciones de defensa, nuestras obleas GaN-on-SiC ofrecen el rendimiento y la flexibilidad que usted necesita.