Oblea de silicio de 4 pulgadas FZ CZ tipo N DSP o SSP grado de prueba

Descripción breve:

Una oblea de silicio es una lámina delgada cortada de silicio monocristalino. Las obleas de silicio están disponibles en diámetros de 2, 3, 4, 6 y 8 pulgadas, y se utilizan principalmente para la fabricación de circuitos integrados. Las obleas de silicio son la materia prima, mientras que los chips son el producto final. Son materiales esenciales para la fabricación de circuitos integrados, y diversos dispositivos semiconductores se pueden producir mediante fotolitografía e implantación iónica sobre obleas de silicio.

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Características

Introducción de la caja de obleas

Las obleas de silicio son una parte fundamental del creciente sector tecnológico actual. El mercado de materiales semiconductores requiere obleas de silicio con especificaciones precisas para la producción de una gran cantidad de nuevos dispositivos de circuitos integrados. Reconocemos que, a medida que aumenta el costo de la fabricación de semiconductores, también lo hace el costo de los materiales necesarios, como las obleas de silicio. Entendemos la importancia de la calidad y la rentabilidad en los productos que ofrecemos a nuestros clientes. Ofrecemos obleas rentables y de calidad constante. Producimos principalmente obleas y lingotes de silicio (CZ), obleas epitaxiales y obleas SOI.

Diámetro	Diámetro	Pulido	dopado	Orientación	Resistividad/Ω·cm	Espesor/µm
2 pulgadas	50,8 ± 0,5 mm	SSP DSP	N/P	100	1-20	200-500
3 pulgadas	76,2 ± 0,5 mm	SSP DSP	P/B	100	NA	525±20
4 pulgadas	101,6±0,2 101,6±0,3 101,6±0,4	SSP DSP	N/P	100	0.001-10	200-2000
6 pulgadas	152,5±0,3	SSPDSP	N/P	100	1-10	500-650
8 pulgadas	200±0.3	DSPSSP	N/P	100	0.1-20	625

La aplicación de obleas de silicio

Sustrato: recubrimiento PECVD/LPCVD, pulverización catódica magnetrónica

Sustrato: difracción de rayos X (DRX), microscopía electrónica de barrido (MEB), espectroscopía infrarroja de fuerza atómica (AFI), microscopía electrónica de transmisión (MET), espectroscopía de fluorescencia y otras pruebas analíticas; crecimiento epitaxial por haces moleculares; análisis de rayos X de la microestructura cristalina; procesamiento: grabado, unión, dispositivos MEMS, dispositivos de potencia, dispositivos MOS y otros procesos.

Desde 2010, Shanghai XKH Material Tech. Co., Ltd. se ha comprometido a proporcionar a sus clientes soluciones integrales de obleas de silicio de 4 pulgadas, desde obleas de depuración (Dummy Wafer), obleas de prueba (Test Wafer) hasta obleas de producto (Prime Wafer), así como obleas especiales, obleas de óxido (Oxide), obleas de nitruro (Si3N4), obleas chapadas en aluminio, obleas de silicio chapadas en cobre, obleas SOI, vidrio MEMS, obleas ultragruesas y ultraplanas personalizadas, etc., con tamaños que van desde 50 mm hasta 300 mm, y podemos proporcionar obleas semiconductoras con pulido de una o dos caras, adelgazamiento, corte, MEMS y otros servicios de procesamiento y personalización.