Sustrato de SiC de 12 pulgadas, diámetro 300 mm, espesor 750 μm, tipo 4H-N personalizable.

Descripción breve:

En un momento crucial de la transición de la industria de semiconductores hacia soluciones más eficientes y compactas, la aparición del sustrato de SiC de 12 pulgadas (sustrato de carburo de silicio de 12 pulgadas) ha transformado radicalmente el panorama. En comparación con las especificaciones tradicionales de 6 y 8 pulgadas, la mayor dimensión del sustrato de 12 pulgadas cuadruplica con creces el número de chips producidos por oblea. Además, el coste unitario del sustrato de SiC de 12 pulgadas se reduce entre un 35 % y un 40 % en comparación con los sustratos convencionales de 8 pulgadas, lo cual resulta fundamental para la adopción generalizada de los productos finales.
Mediante nuestra tecnología patentada de crecimiento por transporte de vapor, hemos logrado un control líder en la industria sobre la densidad de dislocaciones en cristales de 12 pulgadas, lo que proporciona una base material excepcional para la posterior fabricación de dispositivos. Este avance es particularmente significativo en el contexto de la actual escasez mundial de chips.

Los dispositivos de potencia clave en aplicaciones cotidianas, como las estaciones de carga rápida para vehículos eléctricos y las estaciones base 5G, están adoptando cada vez más este sustrato de gran tamaño. Especialmente en entornos operativos adversos, como altas temperaturas y alto voltaje, el sustrato de SiC de 12 pulgadas demuestra una estabilidad muy superior a la de los materiales basados en silicio.

Envíanos un correo electrónico.

Características

Parámetros técnicos

Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) de 12 pulgadas
Calificación		Producción ZeroMPD Grado (Grado Z)	Producción estándar Calificación (Calificación P)		Grado ficticio (Calificación D)
Diámetro		300 mm ~ 1305 mm
Espesor	4H-N	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
	4H-SI	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
Orientación de la oblea		Fuera del eje: 4,0° hacia <1120> ±0,5° para 4H-N; en el eje: <0001> ±0,5° para 4H-SI
Densidad de micropipes	4H-N	≤0,4 cm⁻²	≤4 cm-2		≤25 cm-2
	4H-SI	≤5 cm-2	≤10 cm-2		≤25 cm-2
Resistividad	4H-N	0,015~0,024 Ω·cm			0,015~0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Orientación plana primaria		{10-10} ±5.0°
Longitud plana primaria	4H-N	N / A
	4H-SI	Muesca
Exclusión de bordes		3 mm
LTV/TTV/Arco/Deformación		≤5 μm/≤15 μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Aspereza		Pulido Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,2 nm			Ra ≤ 0,5 nm
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad Placas hexagonales iluminadas con luz de alta intensidad Áreas politípicas mediante luz de alta intensidad Inclusiones visuales de carbono Rayaduras en la superficie de silicio por luz de alta intensidad		Ninguno Área acumulada ≤0,05% Ninguno Área acumulada ≤0,05% Ninguno			Longitud acumulada ≤ 20 mm, longitud individual ≤ 2 mm Área acumulada ≤0,1% Área acumulada ≤3% Área acumulada ≤3% Longitud acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea
Desconchones en los bordes por luz de alta intensidad		Ninguno permitido ≥0,2 mm de ancho y profundidad			Se permiten 7, ≤1 mm cada una.
(TSD) Dislocación del tornillo de rosca		≤500 cm-2		N / A
(BPD) Dislocación del plano base		≤1000 cm-2		N / A
Contaminación de la superficie del silicio por luz de alta intensidad		Ninguno
Embalaje		Casete multioblea o contenedor de oblea única
Notas:
1 Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión del borde. 2Los arañazos deben comprobarse únicamente en la cara del Si. 3 Los datos de dislocación proceden únicamente de obleas grabadas con KOH.

Características clave

1. Ventajas en capacidad de producción y costes: La producción en masa de sustratos de SiC de 12 pulgadas (sustratos de carburo de silicio de 12 pulgadas) marca una nueva era en la fabricación de semiconductores. El número de chips que se pueden obtener de una sola oblea es 2,25 veces mayor que el de los sustratos de 8 pulgadas, lo que supone un salto cualitativo en la eficiencia de producción. Los comentarios de los clientes indican que la adopción de sustratos de 12 pulgadas ha reducido sus costes de producción de módulos de potencia en un 28 %, lo que les otorga una ventaja competitiva decisiva en un mercado altamente competitivo.
2. Propiedades físicas excepcionales: El sustrato de SiC de 12 pulgadas hereda todas las ventajas del carburo de silicio: su conductividad térmica es tres veces superior a la del silicio, mientras que su rigidez dieléctrica alcanza diez veces la del silicio. Estas características permiten que los dispositivos basados en sustratos de 12 pulgadas funcionen de forma estable en entornos de alta temperatura superiores a 200 °C, lo que los hace especialmente adecuados para aplicaciones exigentes como los vehículos eléctricos.
3. Tecnología de tratamiento de superficies: Hemos desarrollado un novedoso proceso de pulido químico-mecánico (CMP) específico para sustratos de SiC de 12 pulgadas, que logra una planitud superficial a nivel atómico (Ra < 0,15 nm). Este avance resuelve el desafío mundial del tratamiento de superficies de obleas de carburo de silicio de gran diámetro, eliminando obstáculos para el crecimiento epitaxial de alta calidad.
4. Rendimiento de gestión térmica: En aplicaciones prácticas, los sustratos de SiC de 12 pulgadas demuestran una notable capacidad de disipación de calor. Los datos de las pruebas muestran que, con la misma densidad de potencia, los dispositivos que utilizan sustratos de 12 pulgadas funcionan a temperaturas entre 40 y 50 °C inferiores a las de los dispositivos basados en silicio, lo que prolonga significativamente la vida útil del equipo.

Aplicaciones principales

1. Ecosistema de vehículos de nueva energía: El sustrato de SiC de 12 pulgadas (sustrato de carburo de silicio de 12 pulgadas) está revolucionando la arquitectura de los sistemas de propulsión de los vehículos eléctricos. Desde cargadores a bordo (OBC) hasta inversores de accionamiento principal y sistemas de gestión de baterías, las mejoras en la eficiencia que aportan los sustratos de 12 pulgadas aumentan la autonomía del vehículo entre un 5 % y un 8 %. Informes de un fabricante de automóviles líder indican que la adopción de nuestros sustratos de 12 pulgadas redujo la pérdida de energía en su sistema de carga rápida en un impresionante 62 %.
2. Sector de energías renovables: En las centrales fotovoltaicas, los inversores basados en sustratos de SiC de 12 pulgadas no solo presentan un tamaño más reducido, sino que también alcanzan una eficiencia de conversión superior al 99 %. En particular, en escenarios de generación distribuida, esta alta eficiencia se traduce en un ahorro anual de cientos de miles de yuanes en pérdidas de electricidad para los operadores.
3. Automatización industrial: Los convertidores de frecuencia que utilizan sustratos de 12 pulgadas ofrecen un rendimiento excelente en robots industriales, máquinas herramienta CNC y otros equipos. Sus características de conmutación de alta frecuencia mejoran la velocidad de respuesta del motor en un 30 % y reducen la interferencia electromagnética a un tercio de las soluciones convencionales.
4. Innovación en electrónica de consumo: Las tecnologías de carga rápida de última generación para smartphones han comenzado a adoptar sustratos de SiC de 12 pulgadas. Se prevé que los productos de carga rápida de más de 65 W migren completamente a soluciones de carburo de silicio, siendo los sustratos de 12 pulgadas la opción óptima en cuanto a relación coste-rendimiento.

Servicios personalizados de XKH para sustratos de SiC de 12 pulgadas

Para cumplir con los requisitos específicos de los sustratos de SiC de 12 pulgadas (sustratos de carburo de silicio de 12 pulgadas), XKH ofrece un servicio integral de asistencia:
1. Personalización del grosor:
Suministramos sustratos de 12 pulgadas en diversas especificaciones de espesor, incluyendo 725 μm, para satisfacer diferentes necesidades de aplicación.
2. Concentración de dopaje:
Nuestra fabricación admite múltiples tipos de conductividad, incluidos sustratos de tipo n y tipo p, con un control preciso de la resistividad en el rango de 0,01-0,02 Ω·cm.
3. Servicios de prueba:
Con equipos completos de prueba a nivel de oblea, proporcionamos informes de inspección completos.
XKH entiende que cada cliente tiene requisitos únicos para los sustratos de SiC de 12 pulgadas. Por lo tanto, ofrecemos modelos de cooperación comercial flexibles para brindar las soluciones más competitivas, ya sea para:
· Muestras de I+D
· Compras de producción en volumen
Nuestros servicios personalizados garantizan que podemos satisfacer sus necesidades técnicas y de producción específicas para sustratos de SiC de 12 pulgadas.