Noticias de la industria
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El corte láser se convertirá en la tecnología principal para cortar carburo de silicio de 8 pulgadas en el futuro. Colección de preguntas y respuestas.
P: ¿Cuáles son las principales tecnologías utilizadas en el corte y procesamiento de obleas de SiC? R: El carburo de silicio (SiC) tiene una dureza solo superada por el diamante y se considera un material muy duro y frágil. El proceso de corte, que consiste en cortar los cristales cultivados en obleas delgadas, es lento y propenso a...Leer más -
Estado actual y tendencias de la tecnología de procesamiento de obleas de SiC
Como material de sustrato semiconductor de tercera generación, el monocristal de carburo de silicio (SiC) ofrece amplias posibilidades de aplicación en la fabricación de dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia. La tecnología de procesamiento del SiC desempeña un papel decisivo en la producción de sustratos de alta calidad...Leer más -
La estrella emergente de los semiconductores de tercera generación: el nitruro de galio presenta varios nuevos puntos de crecimiento en el futuro.
En comparación con los dispositivos de carburo de silicio, los dispositivos de potencia de nitruro de galio tendrán más ventajas en escenarios donde se requieren eficiencia, frecuencia, volumen y otros aspectos integrales al mismo tiempo, como los dispositivos basados en nitruro de galio que se han aplicado con éxito...Leer más -
El desarrollo de la industria nacional de GaN se ha acelerado
La adopción de dispositivos de energía de nitruro de galio (GaN) está creciendo drásticamente, liderada por los proveedores chinos de electrónica de consumo, y se espera que el mercado de dispositivos de energía de GaN alcance los $ 2 mil millones para 2027, frente a los $ 126 millones en 2021. Actualmente, el sector de la electrónica de consumo es el principal impulsor del nitruro de galio...Leer más