¿Qué significan TTV, BOW, WARP y TIR en obleas?

Al examinar obleas de silicio semiconductoras o sustratos de otros materiales, a menudo encontramos indicadores técnicos como TTV, BOW, WARP y, posiblemente, TIR, STIR y LTV, entre otros. ¿Qué parámetros representan estos?

 

TTV — Variación total del espesor
Arco — Arco
WARP — Warp
TIR — Lectura Indicada Total
STIR — Lectura total indicada del sitio
LTV — Variación de espesor local

 

1. Variación total del espesor — TTV

da81be48e8b2863e21d68a6b25f09db7La diferencia entre el espesor máximo y mínimo de la oblea con respecto al plano de referencia cuando la oblea está sujeta y en contacto cercano. Generalmente se expresa en micrómetros (μm), a menudo representado como: ≤15 μm.

 

2. Reverencia — REVERSIÓN

081e298fdd6abf4be6f882cfbb704f12

La desviación entre la distancia mínima y máxima desde el centro de la superficie de la oblea hasta el plano de referencia cuando la oblea está libre (sin sujeción). Esto incluye tanto casos cóncavos (curvatura negativa) como convexos (curvatura positiva). Se expresa normalmente en micrómetros (μm), y suele representarse como: ≤40 μm.

 

3. Deformación — DEFORMACIÓN

e3c709bbb4ed2b11345e6a942df24fa4

La desviación entre la distancia mínima y máxima desde la superficie de la oblea hasta el plano de referencia (normalmente la superficie posterior de la oblea) cuando la oblea se encuentra en estado libre (sin sujeción). Esto incluye tanto casos cóncavos (deformación negativa) como convexos (deformación positiva). Generalmente se expresa en micrómetros (μm), y suele representarse como: ≤30 μm.

 

4. Lectura total indicada (TIR)

8923bc5c7306657c1df01ff3ccffe6b4

 

Cuando la oblea está sujeta y en contacto cercano, utilizando un plano de referencia que minimiza la suma de las intersecciones de todos los puntos dentro del área de calidad o una región local específica en la superficie de la oblea, el TIR es la desviación entre las distancias máxima y mínima desde la superficie de la oblea a este plano de referencia.

 

Con una sólida experiencia en especificaciones de materiales semiconductores como TTV, BOW, WARP y TIR, XKH ofrece servicios de procesamiento de obleas personalizados de alta precisión, adaptados a los más exigentes estándares de la industria. Suministramos y brindamos soporte para una amplia gama de materiales de alto rendimiento, incluyendo zafiro, carburo de silicio (SiC), obleas de silicio, SOI y cuarzo, garantizando una planitud, consistencia de espesor y calidad superficial excepcionales para aplicaciones avanzadas en optoelectrónica, dispositivos de potencia y MEMS. Confíe en nosotros para obtener soluciones de materiales confiables y mecanizado de precisión que satisfagan sus requisitos de diseño más exigentes.

 

https://www.xkh-semitech.com/single-crystal-silicon-wafer-si-substrate-type-np-optional-silicon-carbide-wafer-product/

 


Fecha de publicación: 29 de agosto de 2025