Las ventajas deVía de cristal (TGV)Y los procesos a través de Silicio Vía (TSV) sobre TGV son principalmente:
(1) Excelentes características eléctricas de alta frecuencia. El vidrio es un material aislante, su constante dieléctrica es solo aproximadamente un tercio de la del silicio y su factor de pérdida es de 2 a 3 órdenes de magnitud menor, lo que reduce considerablemente la pérdida de sustrato y los efectos parásitos, garantizando así la integridad de la señal transmitida.
(2)Sustrato de vidrio ultrafino y de gran tamañoEs fácil de obtener. Corning, Asahi, SCHOTT y otros fabricantes de vidrio pueden proporcionar paneles de vidrio ultragrandes (>2 m × 2 m) y ultrafinos (<50 µm), así como materiales de vidrio flexible ultrafino.
3) Bajo costo. Se beneficia del fácil acceso a paneles de vidrio ultrafinos de gran tamaño y no requiere la deposición de capas aislantes. El costo de producción de la placa adaptadora de vidrio es solo aproximadamente 1/8 del de la placa adaptadora de silicio.
4) Proceso sencillo. No es necesario depositar una capa aislante sobre la superficie del sustrato ni sobre la pared interna del TGV, ni adelgazar la placa adaptadora ultrafina.
(5) Gran estabilidad mecánica. Incluso con un espesor de placa adaptadora inferior a 100 µm, la deformación es mínima.
(6) Amplia gama de aplicaciones, es una tecnología de interconexión longitudinal emergente aplicada en el campo del empaquetado a nivel de oblea, para lograr la distancia más corta entre oblea-oblea, el paso mínimo de la interconexión proporciona un nuevo camino tecnológico, con excelentes propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas, en el chip RF, sensores MEMS de alta gama, integración de sistemas de alta densidad y otras áreas con ventajas únicas, es la próxima generación de chips 3D de alta frecuencia 5G y 6G. Es una de las primeras opciones para el empaquetado 3D de chips de alta frecuencia 5G y 6G de próxima generación.
El proceso de moldeo de TGV incluye principalmente chorro de arena, perforación ultrasónica, grabado húmedo, grabado iónico reactivo profundo, grabado fotosensible, grabado láser, grabado de profundidad inducido por láser y formación de orificios de descarga de enfoque.
Resultados recientes de investigación y desarrollo demuestran que esta tecnología permite preparar agujeros pasantes y agujeros ciegos de 5:1 con una relación profundidad-anchura de 20:1 y una buena morfología. El grabado profundo inducido por láser, que produce una rugosidad superficial reducida, es el método más estudiado actualmente. Como se muestra en la Figura 1, se observan grietas evidentes alrededor de la perforación láser convencional, mientras que las paredes circundantes y laterales del grabado profundo inducido por láser están limpias y lisas.
El proceso de procesamiento deTren de alta velocidadEl intercalador se muestra en la Figura 2. El esquema general consiste en perforar primero el sustrato de vidrio y, a continuación, depositar la capa de barrera y la capa de siembra en la pared lateral y la superficie. La capa de barrera impide la difusión de Cu al sustrato de vidrio, a la vez que aumenta la adhesión entre ambos. Sin embargo, algunos estudios han demostrado que la capa de barrera no es necesaria. A continuación, el Cu se deposita mediante galvanoplastia, se recoce y se elimina mediante CMP. Finalmente, se prepara la capa de recableado RDL mediante litografía de recubrimiento PVD, y se forma la capa de pasivación tras retirar el adhesivo.
(a) Preparación de la oblea, (b) formación de TGV, (c) galvanoplastia de doble cara – deposición de cobre, (d) recocido y pulido químico-mecánico CMP, eliminación de la capa de cobre superficial, (e) recubrimiento PVD y litografía, (f) colocación de la capa de recableado RDL, (g) despegado y grabado de Cu/Ti, (h) formación de la capa de pasivación.
En resumen,orificio pasante de vidrio (TGV)Las perspectivas de aplicación son amplias y el mercado interno actual está en una etapa ascendente, desde el diseño de equipos hasta el de productos y la tasa de crecimiento de la investigación y el desarrollo es más alta que el promedio mundial.
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Hora de publicación: 16 de julio de 2024